反向漏电

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新型复合终端氧化镓肖特基二极管电学特性仿真研究
《人工晶体学报》2025年第2期348-357,共10页屈珉敏 余建刚 李子唯 李旺旺 雷程 李腾腾 李丰超 梁庭 贾仁需 
国家重点研发计划(2023YFB3208500);山西省重点研发计划(202302030201001);山西省科技重大专项“揭榜挂帅”项目(202301030201003);山西省基础研究计划青年项目(202203021212191);国家自然科学基金专项项目(62441110)。
作为新一代宽禁带半导体,氧化镓因具有更大的禁带宽度(4.4~4.8 eV)和更高的击穿场强(8 MV/cm),成为制备耐高压、高频、高功率电力电子器件的最佳候选材料。然而,氧化镓肖特基二极管具有终端电场边缘集中效应,导致器件因提前击穿而失效,...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 反向漏电流 击穿电压 复合终端 
一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究
《微处理机》2025年第1期20-23,共4页王继祥 靳晓诗 任国琛 
本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅...
关键词：浮栅型场效应晶体管 肖特基势垒 低反向漏电 
硅柱专用测试仪的研制与应用
《电世界》2024年第5期60-61,共2页吴奕霖 
1 问题的提出硅柱又称高压硅堆,是一种硅高频高压整流二极管,工作电压在几千伏至几万伏之间。在当今电子设备日益复杂和高性能的发展趋势下,硅柱作为关键的电子元件,其性能的准确检测变得至关重要。然而,现有的硅柱测试手段存在诸多问题...
关键词：整流二极管 反向漏电流 高压硅堆 电流变化 电子设备 故障风险 高频高压 电子元件 
硅基结势垒肖特基二极管仿真设计
《微处理机》2024年第5期17-19,共3页王卉如 贾文博 任向阳 张治国 李永清 刘宏伟 何方 祝永峰 李颖 钱薪竹 
为实现硅基结势垒控制肖特基(JBS)二极管低反向漏电流和高击穿电压的双重目标,使用TCAD软件建立耐压值为60 V的JBS二极管仿真模型。通过研究其正向导通状态和反向截止状态的工作原理,模拟施加电压观察内部电场分布情况,仿真不同P+区间...
关键词：JBS二极管 P+区间距 反向漏电流 耐压能力 
GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析
《发光学报》2024年第9期1539-1546,共8页王伟 张腾飞 王绶玙 
南京信息工程大学滨江学院人才启动科研项目(2019 r005,550219005);企业横向(2021320205000041,2023320205000242,2023320205000242,560124081)。
针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,采用温度应力和电压应力的实验方法研究了其反向漏电流失效机理。结果表明,在温度应力下,Micro-LED芯片退化前的反向漏电流主要由多步热辅助隧穿电流构成,且受Poole-Frenkel(PF)隧穿机制影响;电压应力(-85V...
关键词：Micro-LED 失效机制 非辐射复合 遂穿通道 反向漏电流 
二极管反向漏电流导致输出电压信号不确定的分析
《上海电气技术》2024年第2期96-98,共3页寇越 
针对二极管反向漏电流导致输出电压信号不确定故障,进行分析,并提出处理方法。
关键词：二极管 漏电流 电压 故障 
AlGaN/GaN肖特基二极管阳极后退火界面态修复技术
《物理学报》2023年第19期278-284,共7页武鹏 李若晗 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题。
AlGaN/GaN异质结构材料在较强自发极化和压电极化的作用下,会产生高面密度和高迁移率的二维电子气,保障了基于该异质结构的GaN肖特基二极管器件具有高输出电流密度和低导通电阻特性.阳极作为GaN肖特基二极管的核心结构,对器件的开启电...
关键词：ALGAN/GAN 肖特基二极管 低反向漏电 低界面态密度 
基于湿法腐蚀凹槽阳极的低漏电高耐压AlGaN/GaN肖特基二极管
《物理学报》2023年第17期364-370,共7页武鹏 朱宏宇 吴金星 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:QTZX23076);青年人才托举工程(批准号:2022QNRC001)资助的课题.
得益于铝镓氮/氮化镓异质结材料较大的禁带宽度、较高的击穿场强以及异质界面存在的高面密度及高迁移率的二维电子气,基于该异质结材料的器件在高压大功率及微波射频方面具有良好的应用前景,尤其是随着大尺寸硅基氮化镓材料外延技术的...
关键词：铝镓氮/氮化镓 肖特基二极管 低反向漏电 高击穿电压 
抑制CMOS输出端口反向漏电设计
《电子与封装》2022年第10期36-41,共6页叶宗祥 史良俊 
提出了抑制CMOS输出端口反向漏电的结构,当电源端接地或者悬空,CMOS输出端口接高电平时,通过优化控制逻辑,由输出端口为电路提供电源电压,从而抑制了输出端口对电源端口的漏电。以华润微电子0.25μm 5 V工艺实现电路版图并流片,典型漏电...
关键词：反向漏电抑制 CMOS输出端口 电源不上电 
低反向漏电自支撑衬底AlGaN/GaN肖特基二极管被引量：5
《物理学报》2022年第15期299-305,共7页武鹏 张涛 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:62104185);国家杰出青年科学基金(批准号:61925404);中央高校基本科研业务费(批准号:JB211103)资助的课题。
氮化镓材料具有大的禁带宽度(3.4 eV)、高的击穿场强(3.3 MV/cm),在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构材料而言,由极化效应产生的高面密度和高迁移率二维电子气在降低器件导通电阻、提高器件工作效率...
关键词：自支撑氮化镓衬底 肖特基势垒二极管 低反向漏电 铝镓氮/氮化镓 
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