张治国

作品数：23被引量：69H指数：5
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供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
发文主题：硅电容压力传感器极板传感器敏感电阻更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学冶金工程更多>>
发文期刊：《电子世界》《微处理机》《中国科技成果》《半导体技术》更多>>
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硅基结势垒肖特基二极管仿真设计
《微处理机》2024年第5期17-19,共3页王卉如 贾文博 任向阳 张治国 李永清 刘宏伟 何方 祝永峰 李颖 钱薪竹 
为实现硅基结势垒控制肖特基(JBS)二极管低反向漏电流和高击穿电压的双重目标,使用TCAD软件建立耐压值为60 V的JBS二极管仿真模型。通过研究其正向导通状态和反向截止状态的工作原理,模拟施加电压观察内部电场分布情况,仿真不同P+区间...
关键词：JBS二极管 P+区间距 反向漏电流 耐压能力 
碳化硅压力传感器欧姆接触电阻率的测量方法被引量：1
《微处理机》2024年第1期5-8,共4页任向阳 张治国 刘宏伟 李永清 李颖 贾文博 祝永峰 王卉如 钱薪竹 
国机研究院青年科研基金(SINOMAST-QNJJ-2021-04)。
鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳...
关键词：碳化硅 压力传感器 欧姆接触 接触电阻率 线性传输线模型 
超级结MOSFET特性仿真分析
《微处理机》2023年第2期27-30,共4页王卉如 张治国 祝永峰 贾文博 李颖 任向阳 钱薪竹 
为实现硅基MOSFET功率器件低导通电阻和高击穿电压的折衷优化,在传统MOSFET漂移区中引入周期性排列的P区和N区,增加垂直分布的PN结结构,设计一种具有1200V耐压的超级结MOSFET。基于对工作原理的分析,使用Silvaco TCAD软件建立结构模型,...
关键词：超级结MOSFET TCAD仿真 电流-电压特性 转移特性 耐压特性 
金刚石高温压力传感器芯片设计与研究被引量：2
《仪表技术与传感器》2022年第5期19-23,共5页贾文博 张治国 李永清 祝永峰 任向阳 
金刚石拥有已知材料中最高的压阻系数,5.45 eV的高禁带宽度,其制成的高温压力传感器芯片,在理论上可以拥有更高的灵敏度和更高的抗辐射性能,可以适应高温、复杂电磁环境等领域。文中开发了一种新型金刚石高温压力传感器芯片的设计及制...
关键词：金刚石 压力传感器 高温 压阻系数 芯片 抗辐射 
基于碳化硅的高温压力传感器芯片在国内的研究进展被引量：2
《电子世界》2022年第1期39-40,共2页任向阳 张治国 刘宏伟 祝永峰 贾文博 
碳化硅材料凭借其具有一定的压阻效应、较大的带隙、较强的抗腐蚀性能等优点,在压力传感器领域有不错的应用前景,可广泛应用于高温、强辐射、强腐蚀等硅材料无法胜任的极端恶劣的环境中。本文以国内碳化硅高温压力传感器的研究现状为背...
关键词：高温压力传感器 压阻效应 碳化硅材料 抗腐蚀性能 强腐蚀 强辐射 研究现状 
碳化硅高温压力传感器设计及工艺研究被引量：1
《微处理机》2020年第5期1-5,共5页肖淼 任向阳 李振波 张治国 李新 
碳化硅因其优越的半导体性质和物理性质,在传感器领域具有广阔的应用前景。采用第三代半导体碳化硅材料制备的高温压力传感器可在高温的恶劣环境下表现出极佳的稳定性,实现对压力的准确测量,相关研究工作备受业界关注。针对当前碳化硅...
关键词：碳化硅 高温压力传感器 压阻效应 
单晶硅高温压阻式压力传感器被引量：6
《仪表技术与传感器》2020年第10期1-3,7,共4页吴沛珊 刘沁 李新 张治国 郑东明 
2019年辽宁省科技重大专项项目(2019JH1/10100022)。
适于高温环境应用的压力传感器的相关研究工作备受关注。以注氧隔离(SIMOX)技术SOI晶圆为基础,探讨了单晶硅高温压阻式压力传感器芯片和封装结构设计,在传感器国家工程中心OEM压力传感器制作工艺的基础上,完成传感器研制与测试。结果表...
关键词：高温压力传感器 注氧隔离 压阻效应 
高稳定MEMS硅压力敏感芯片关键技术研究
《中国科技成果》2020年第16期37-39,共3页张治国 李颖 郑东明 刘宏伟 金琦 祝永峰 刘波 
国家863计划“高精度硅压力传感器技术研究与产业化开发”(2014AA042001-02)。
在单晶硅晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片.根据芯片实际已经有要求,提出了提高芯片稳定性的制备过程的关键工艺其影响因素.测量结果表明,所制备高稳定MEMS硅压力敏感芯片线性度优于0.1%,重复性0....
关键词：压力传感器 敏感芯片 关键技术 压阻效应 
基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究被引量：4
《仪表技术与传感器》2017年第5期10-13,18,共5页李颖 张治国 郑东明 梁峭 张哲 刘剑 祝永峰 
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2014AA042001)
硅压阻压力传感器核心部件一般是由单晶硅和玻璃组成的微结构,由于单晶硅和玻璃的材料特性存在差异,在制造过程中会引入封装应力对传感器的性能产生不利影响。采用硅硅键合技术制造压力传感器核心部件的微结构,以同质材料替代异质材料...
关键词：高精度 传感器 硅硅键合 
提高压力传感器过载响应速度的研究
《仪表技术与传感器》2015年第6期14-16,19,共4页李颖 张治国 刘剑 张哲 张娜 郑东明 梁峭 祝永锋 
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2014AA042001)
介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度...
关键词：硅电容 传感器 导油槽 响应速度 
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