硅电容

作品数：23被引量：38H指数：4
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硅电容专利现状分析
《中国科技信息》2024年第19期60-62,共3页陈兴来 谭成 
微波芯片电容是一种针对高频微波信号应用而设计的电容器。它具有较高的频率响应、低损耗和稳定性,常用于射频(Radio Frequency)和微波电路中。硅基电容是一种常见的芯片电容类型,特别是在射频(RF)电路和微波电路中。由于硅基电容器具...
关键词：无线通信设备 微波电路 微波天线 高频特性 卫星通信 雷达系统 频率响应 高频微波 
硅电容差压传感器叠层静电封接工艺研究
《电子产品世界》2023年第1期91-94,共4页张娜 单鹤南 胡延丽 徐海宁 何方 袁峰 韩策 张凯 
差压传感器广泛应用于武器装备和工业过程控制。为了树立用户对国产品牌的信心,开发性能优异、拥有自主知识产权的差压芯片是非常必要的。为了解决差压芯片温度特性差、静压偏差大的常见问题,本文提出了一种电容式差压芯体双面叠层静电...
关键词：硅电容 差压 叠层 封接 
反应离子刻蚀硅槽工艺研究被引量：1
《电子与封装》2017年第9期41-43,共3页赵金茹 蒋大伟 陈杰 
在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素...
关键词：硅槽刻蚀 氯气 溴化氢 反应离子刻蚀 光电继电器 硅电容 
一种改进的穿硅电容三维互连技术被引量：1
《微纳电子技术》2017年第8期558-564,共7页刘松 单光宝 
航天先进制造技术研究联合基金资助项目(U1537208)
针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TS...
关键词：三维集成电路(3D IC) 三维互连 硅通孔(TSV) 电容耦合互连(CCI) 硅通孔(TSV)背面通孔外露工艺 
提高压力传感器过载响应速度的研究
《仪表技术与传感器》2015年第6期14-16,19,共4页李颖 张治国 刘剑 张哲 张娜 郑东明 梁峭 祝永锋 
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2014AA042001)
介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度...
关键词：硅电容 传感器 导油槽 响应速度 
数字式气压传感器静态性能测试与评估被引量：4
《解放军理工大学学报（自然科学版）》2013年第6期603-607,共5页王晓蕾 马祥辉 杨长业 陈晓颖 陈振涛 孙学金 
国家自然科学基金资助项目(41305137)
为了掌握硅压阻、数字式振筒和硅电容3种气压传感器的静态性能,进行了2次静态性能测试(非线性、迟滞、重复性)、温度测试和长期稳定性试验,并对相应各项性能进行了评估和比较。结果表明,硅电容式传感器静态特性和温度稳定性均优于其他2...
关键词：硅压阻 数字式振筒 硅电容 气压传感器 静态特性 
硅电容微差压敏感器件封装工艺研究被引量：4
《仪表技术与传感器》2013年第12期138-140,共3页李颖 张治国 张娜 刘剑 周磊 张哲 
文中从应用开发MEMS产品的实用角度出发,介绍硅电容微差压敏感器件的封装工艺技术。文中给出了该器件的工作原理及结构特点,从封装的角度论述了固定极板的加工技术,并结合该器件的结构特点,讨论了适于小间隙、微结构芯片封装的等电位静...
关键词：硅电容 微差压 敏感器件 封装工艺 
昊润科技
《传感器世界》2012年第7期F0004-F0004,共1页
致力于MEMS硅电容数字传感技术的合作引进和OME传感器制造工艺技术的深入研究，开发并规模化生产制造硅电容系列，硅压阴系列传感器、各类压力变送器及仪器登记表近100种型号规格产品，是国内领先的规模化生产制造商之一。SHR1000繁殖...
关键词：生产制造商 科技 制造工艺技术 压力变送器 硅电容 传感技术 MEMS 型号规格 
10μF硅电容器：硅电容器
《世界电子元器件》2012年第3期38-38,共1页
IPDIA推出10μF的硅电容，具有较好的稳定性和可靠性特点，专为要求苛刻的应用而设计。新的使用专利3D硅技术的10μF电容，其低漏电流可低至12nA。
关键词：电容器 硅电容 可靠性 稳定性 硅技术 漏电流 
1μF硅电容：硅电容
《世界电子元器件》2012年第3期39-39,共1页
IPDIA公司推出一种新的高温硅电容，可在1206封装尺寸里达到高电容值。
关键词：硅电容 封装尺寸 电容值 
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