硅电容差压传感器叠层静电封接工艺研究  

Study on the technology of laminated electrostatic sealing for silicon capacitance differential pressure sensor

作　　者：张娜 单鹤南 胡延丽 徐海宁[2] 何方[2] 袁峰 韩策 张凯 

机构地区：[1]国机传感科技有限公司,沈阳110043 [2]沈阳仪表科学研究院有限公司,沈阳110043

出　　处：《电子产品世界》2023年第1期91-94,共4页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：差压传感器广泛应用于武器装备和工业过程控制。为了树立用户对国产品牌的信心,开发性能优异、拥有自主知识产权的差压芯片是非常必要的。为了解决差压芯片温度特性差、静压偏差大的常见问题,本文提出了一种电容式差压芯体双面叠层静电封接工艺设计方法,并对双面叠层静电封接的工艺参数:温度、电压、时间、表面光洁度、压力等行了优化,使其适合大规模生产。

关 键 词：硅电容 差压 叠层 封接 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]