云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 三维互连

三维互连: 作品数：26被引量：39H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王泽毅喻文健王喆垚魏洪川朱健更多>>; 相关机构：清华大学电子科技大学技术公司厦门云天半导体科技有限公司更多>>; 相关期刊：《高性能计算技术》《新型炭材料（中英文）》《Science China Materials》《电子世界》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项国家杰出青年科学基金更多>>

高速数字化三维集成式CCD-CMOS图像传感器: 《半导体光电》2024年第3期388-394,共7页李明黄芳刘戈扬周后荣王小东任思伟; 工信部高质量发展项目(TC220H05N).; 为了解决CCD与CMOS工艺兼容性低、互连集成制作难度大,以及芯片间接口匹配和高性能兼备等问题,对CCD器件拓扑结构与像元、CMOS读出电路、三维异质互连集成及高密度引脚封装等技术进行研究,提出了一种1024×256阵列规模的集成式CCD-CMOS...; 关键词：集成式CCD-CMOS探测器三维互连集成电荷耦合器件 CMOS读出电路

“硅通孔三维互连与集成技术”专题前言: 《电子与封装》2024年第6期I0002-I0003,共2页刘子玉; 芯片是未来人工智能等领域的核心,人工智能等也将为芯片市场带来新的增长点。依靠晶体管尺寸微缩已难以进一步提升集成电路的集成度。三维异构集成可以将不同尺寸、功能和材料的存储、逻辑和传感器件在三维方向上进行模块化整合与集成,...; 关键词：人工智能异构集成电子系统传感器件数据中心物联网集成电路核心竞争力

面向Chiplet集成的三维互连硅桥技术被引量：1: 《电子与封装》2024年第6期1-11,I0003,共12页赵瑾于大全秦飞; 国家自然科学基金联合基金(U2241222)。; 摩尔定律的发展速度放缓和集成电路产品应用的多元化趋势,共同推动了先进封装技术的快速发展。先进互连技术是先进封装的核心,在高速、高频传输、功耗、超细节距互连以及系统集成能力等方面均展现出显著优势。硅桥技术作为Chiplet以及...; 关键词：先进互连技术 Chiplet 硅桥技术高密度互连

硅通孔三维互连与集成技术: 《电子与封装》2024年第6期81-94,共14页马书英付东之刘轶仲晓羽赵艳娇陈富军段光雄边智芸; 随着电子技术的高速发展,更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。由于物理限制,芯片的功能密度已达到二维封装技术的极限,不能再通过减小线宽来满足高性能、低功耗和高信号传输速度的要求...; 关键词：硅通孔三维互连集成技术先进封装

氮掺杂空心碳纳米球嵌入氮掺杂石墨烯负载钯纳米粒子作为甲酸氧化的高效电催化剂: 《新型炭材料（中英文）》2024年第2期321-333,共13页房越杨富开曲微丽邓超王振波; 国家自然科学基金(21503059);哈尔滨师范大学研究生创新基金(HSDSSCX2019-37).; 低成本、高活性、耐久性好的高效电催化剂对直接甲酸燃料电池的应用起着至关重要的作用。本文采用简单经济的方法,研究了以三维层状多孔结构嵌入氮掺杂石墨烯(NG)的氮掺杂空心碳纳米球(NHCN)负载Pd纳米粒子作为直接甲酸燃料电池催化剂...; 关键词：甲酸电氧化氮掺杂中空碳纳米球氮掺杂石墨烯载体材料三维互连层状多孔结构

三维互连炭材料/金属导热复合材料的研究进展被引量：2: 《新型炭材料（中英文）》2023年第5期804-824,共21页关洪达何新波张子建张涛曲选辉; 国家自然科学基金(51274040).; 随着电子设备的产热不断攀升,在确保设备性能和寿命方面,高效散热已成为一个关键的技术问题,高的导热性通常取决于填料在复合材料中形成快速导热通道的能力。近年来,在复合材料中利用高导热性填料开发三维互连结构已成为一种很有前途的...; 关键词：炭填料三维互连网络金属基复合材料导热性制备方法

提高锂离子电池负极的电化学储锂容量和倍率性能—三维互连碳管-NiO-SnO_(2)网格膜被引量：1: 《Science China Materials》2023年第9期3493-3500,共8页张世平韩方明潘其军林豆陈干牧小卫朱晓光邵成吴年强孟国文; supported by the National Natural Science Foundation of China (91963202 and 52072372);the Key Research Program of Frontier Sciences (CAS, QYZDJ-SSW-SLH046);the CAS/SAFEA International Partnership Program for Creative Research Teams;Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences Director’s Fund (YZJJZX202018)。; 二氧化锡(SnO_(2))具有高的理论比容量,有望作为下一代锂离子电池负极材料.然而,Sn向SnO_(2)的不可逆转化以及充放电过程中巨大的体积变化限制了其实际的应用.本文基于三维互连多孔氧化铝模板,设计合成了一种由内腔同时填充NiO和SnO_(2...; 关键词：充放电过程锂离子电池倍率性能理论比容量一体化结构体积变化三维互连传输通道

玻璃通孔三维互连镀铜填充技术发展现状被引量：9: 《电化学》2022年第6期42-61,共20页纪执敬凌惠琴吴培林余瑞益于大全李明; 随着摩尔定律的发展迟缓,微电子器件的高密度化、微型化对先进封装技术提出了更高的要求。中介层技术作为2.5D/3D封装中的关键技术,受到了广泛研究。按照中介层材料不同,主要分为有机中介层、硅中介层以及玻璃中介层。与硅通孔(through ...; 关键词：中介层玻璃通孔填充机理填充工艺添加剂

微芯片的X射线成像: 《现代材料动态》2019年第3期8-9,共2页李龙飞(翻译); 电子设备中的三维互连非常小且复杂,以至于在不破坏的情况下不能对它们进行成像。这在器件设计和制造的实际输出之间留下了“计量”差距。; 关键词：X射线成像微芯片三维互连电子设备

硅通孔耦合抑制方法的研究综述: 《电子世界》2018年第12期11-12,15,共3页刘建峰; 基于硅通孔实现三维芯片或三维系统,是集成电路发展的重要趋势,本文针对硅通孔在三维互连中的耦合问题,从耦合途径和抑制方法的研究现状进行了综述。首先介绍了三种硅通孔的耦合途径和模型,其次总结描述了国内外对耦合抑制方法的研究现...; 关键词：硅通孔耦合三维互连

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