反应离子刻蚀

作品数：289被引量：536H指数：10
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基于DRIE的太赫兹行波管硅基低损耗慢波结构工艺技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第5期369-373,共5页吴杰 杨扬 刘欣 严可 郑源 冯堃 王政焱 姜理利 黄旼 李忠辉 朱健 陈堂胜 
行波管慢波结构的制造通常采用计算机数字化控制精密机械加工技术。随着工作频率的提升,对慢波结构特征尺寸精度的要求达到微纳米级,导致加工难度大、周期长,成本高昂,一定程度上限制了技术的快速发展。硅基MEMS加工工艺具备优秀的三维...
关键词：太赫兹 慢波结构 低损耗 硅基 MEMS 深反应离子刻蚀(DRIE) 
基于MEMS技术的离子门设计与制备
《微纳电子技术》2024年第10期134-140,共7页任家纬 贾建 高晓光 何秀丽 
国家重点研发计划(2022YFF0708200)。
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子...
关键词：离子门 微电子机械系统(MEMS) 离子迁移谱 有限元仿真 深反应离子刻蚀 
太赫兹真空器件中超深金属慢波结构的微加工技术
《真空科学与技术学报》2024年第9期759-767,共9页姜琪 李兴辉 冯进军 蔡军 潘攀 
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室基金项目(10249)。
太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗...
关键词：太赫兹真空电子器件 微机电系统 深反应离子刻蚀 紫外−光刻、电铸 慢波结构 
用于E型薄膜制备的双掩膜工艺研究
《压电与声光》2024年第4期505-510,共6页郝一鸣 雷程 王涛龙 余建刚 冀鹏飞 闫施锦 梁庭 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3209100);中央引导地方科技发展资金资助项目(YDZJSX20231B006);山西省重点研发计划资助项目(202302030201001)。
在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜...
关键词：双掩膜 E型薄膜 深反应离子刻蚀 刻蚀比 刻蚀形貌 
基于光刻胶修正技术的石英锥形侧壁刻蚀工艺研究
《半导体光电》2024年第4期606-611,共6页刘丹 乌李瑛 沈贇靓 张文昊 刘民 权雪玲 程秀兰 
国家科技部“十四五”重点研发计划“高性能免疫现场检测系统研发”项目(2023YFC2413001)。
基于光刻胶修正技术,采用两步刻蚀法对石英锥形侧壁的刻蚀工艺进行了研究。首先利用Ar,O_(2),CF_(4)气体对光刻胶刻蚀,将光刻胶的垂直侧壁修改为锥形侧壁。然后以此为掩膜实现光刻胶倾斜侧壁向石英材料的转移。两步刻蚀在同一个刻蚀腔...
关键词：石英 光刻胶修正 反应离子刻蚀 倾斜侧壁 
石英玻璃刻蚀浅锥孔阵列的工艺研究被引量：1
《半导体光电》2024年第3期434-441,共8页乌李瑛 刘丹 权雪玲 程秀兰 张芷齐 高庆学 付学成 徐丽萍 张文昊 马玲 
上海市科技创新行动项目;国家自然科学基金重点项目(62335014);上海交通大学平湖智能光电研究所开放基金(22H010102520);国家科技部“十四五”重点研发计划“高性能免疫现场检测系统研发”项目(2023YFC2413001);2023年上海交通大学决策咨询重点课题项目(JCZXSJA2023-05).
介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻...
关键词：电感耦合反应离子刻蚀 石英玻璃 干法刻蚀 等离子体 刻蚀倾角 微透镜阵列 锥孔 
基于ICP-RIE工艺和共晶键合技术的微引擎
《微纳电子技术》2023年第9期1481-1487,共7页周鑫 赖丽燕 李以贵 
国家自然科学基金(62104151);上海应用技术大学引进人才基金(YJ2021-59)。
针对便携式设备的电源存在能量密度不够、电池寿命短、回收利用困难以及难以实现小型化等问题,设计了一种氢气作为燃料的微型往复式引擎来替代小型电源,其整体设计尺寸为52 mm×43 mm×4 mm。利用绝缘体上硅(SOI)基板制作了微型往复式...
关键词：微型往复式引擎 燃烧室 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) 共晶键合 燃烧压 活塞 
线性离子源反应离子刻蚀多晶硅绒面结构被引量：1
《化学工程》2023年第9期7-13,共7页孙涛 张忠强 林本才 上官泉元 
国家重点研发计划(2018YFB1500304)。
为探究硅片绒面结构受RIE(反应离子刻蚀)工艺参数的影响规律,采用二维流体力学漂移扩散有限元方法建立了矩形腔室电容耦合等离子体放电模型,研究射频功率和压强对等离子放电特性的影响规律,并通过实验研究不同功率(1500、1750、1900 W)...
关键词：反应离子刻蚀 线性离子源 多晶硅 电容耦合放电 绒面结构 
基于介电泳微流控芯片实现amol级分子量检测
《微纳电子技术》2023年第5期770-778,共9页周博华 林琳 赖丽燕 李以贵 
国家自然科学基金(62104151)。
设计并制作了一种快速检测宫颈癌细胞C4II的微流控芯片。制作的微芯片结构是采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺制备的硅模具为核心的复合结构,微芯片中包含一个10×10的微腔室阵列,单个微腔室底面半径40μm,高度500μm,...
关键词：微流控芯片 介电泳(DEP) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) 微腔室 核酸探针 滤波片 
电子特气在低温干法刻蚀中的应用与发展被引量：1
《低温与特气》2023年第2期11-16,共6页陈润泽 花莹曦 张建伟 倪珊珊 吝秀锋 李欣 孙加其 王佳佳 
介绍了低温干法刻蚀技术的技术原理、应用和进展,探讨了不同刻蚀气体和工艺参数对低温干法刻蚀工艺的影响。
关键词：低温干法刻蚀 反应离子刻蚀 电子特气 
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