注氧隔离

作品数：24被引量：46H指数：4
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相关机构：中国科学院中国科学院上海冶金研究所北京师范大学济南大学更多>>
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单晶硅高温压阻式压力传感器被引量：6
《仪表技术与传感器》2020年第10期1-3,7,共4页吴沛珊 刘沁 李新 张治国 郑东明 
2019年辽宁省科技重大专项项目(2019JH1/10100022)。
适于高温环境应用的压力传感器的相关研究工作备受关注。以注氧隔离(SIMOX)技术SOI晶圆为基础,探讨了单晶硅高温压阻式压力传感器芯片和封装结构设计,在传感器国家工程中心OEM压力传感器制作工艺的基础上,完成传感器研制与测试。结果表...
关键词：高温压力传感器 注氧隔离 压阻效应 
总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响被引量：2
《电子与封装》2015年第4期41-45,共5页谢儒彬 吴建伟 洪根深 罗静 陈海波 
介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场...
关键词：注氧隔离 绝缘体上硅 辐射加固 总剂量 
氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响被引量：2
《物理学报》2013年第11期442-448,共7页张百强 郑中山 于芳 宁瑾 唐海马 杨志安 
为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征....
关键词：绝缘体上硅(SOI)材料 注氮 注氟 埋氧层正电荷密度 
注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应被引量：1
《仪表技术与传感器》2011年第6期1-2,共2页李新 刘沁 
辽宁省自然基金项目(20102162);辽宁省微纳米技术及系统重点实验室;微系统与微制造辽宁省高校重点实验室开放基金项目
针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应。研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数...
关键词：压阻效应 注氧隔离 高温 
硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固被引量：2
《功能材料与器件学报》2011年第2期223-226,共4页王茹 张正选 俞文杰 毕大炜 陈明 刘张李 宁冰旭 
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,...
关键词：绝缘体上硅 注氧隔离 总剂量辐照 纳米晶 
高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1
《物理学报》2011年第5期532-537,共6页唐海马 郑中山 张恩霞 于芳 李宁 王宁娟 李国花 马红芝 
济南大学博士基金及上海市教育委员会科研创新项目(批准号:08YZ156)资助的课题~~
为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升...
关键词：注氧隔离 埋氧 注氮 正电荷密度 
一种新的基于E-SIMOX衬底的PSOI高压器件
《固体电子学研究与进展》2010年第4期473-477,共5页吴丽娟 胡盛东 张波 李肇基 
国家自然科学基金资助项目(60436030;60806025)
首次提出了一种新的采用E-SIMOX技术的界面电荷岛结构的PSOI高压器件(NI PSOI)。该结构在SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度N+区。器件外加高压时,纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽N+区内高浓度的电离施主束缚在介质层...
关键词：外延-注氧隔离 电荷岛 击穿电压 界面电荷 介质场增强 
两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究被引量：1
《科学通报》2010年第19期1963-1967,共5页魏星 薛忠营 武爱民 王湘 李显元 叶斐 陈杰 陈猛 张波 林成鲁 张苗 王曦 
国家科技重大专项(2009ZX02040);国家重点基础研究发展计划(2010CB832906);国家自然科学基金(60721004);上海市国际科技合作基金(AM基金)(08520740100);上海市自然科学基金(10ZR1436100)资助项目
研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量的SIMOX材料.与单步氧离子注入工...
关键词：绝缘体上的硅 界面形貌 剂量窗口 注氧隔离 
SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与^(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对
《功能材料与器件学报》2007年第6期599-603,共5页田浩 张正选 张恩霞 贺威 俞文杰 王茹 
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及^(60)Coγ射线总剂量辐照实验。实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和。实...
关键词：注氧隔离 绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐射效应 MOS晶体管 
环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第3期314-316,334,共4页贺威 张恩霞 钱聪 张正选 
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。实验表明,同样的辐射总剂量条件下,采用改性材料制...
关键词：注氧隔离 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 
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