刘张李

作品数：4被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：深亚微米器件沟槽隔离沟道微米总剂量辐射效应更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《功能材料与器件学报》更多>>
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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
《物理学报》2012年第5期92-96,共5页胡志远 刘张李 邵华 张正选 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的...
关键词：总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 金属氧化物半导体场效晶体管 
0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应被引量：9
《物理学报》2011年第11期489-493,共5页刘张李 胡志远 张正选 邵华 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 
中国科学院微小卫星重点实验室开放基金资助的课题~~
对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化...
关键词：总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 MOSFET 
硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固被引量：2
《功能材料与器件学报》2011年第2期223-226,共4页王茹 张正选 俞文杰 毕大炜 陈明 刘张李 宁冰旭 
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,...
关键词：绝缘体上硅 注氧隔离 总剂量辐照 纳米晶 
浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展
《功能材料与器件学报》2010年第5期407-412,共6页刘张李 邹世昌 张正选 毕大炜 胡志远 俞文杰 陈明 王茹 
综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可...
关键词：控制电路 存储单元 单粒子效应 电荷损失 
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