高稳定MEMS硅压力敏感芯片关键技术研究  

作　　者：张治国[1] 李颖[1] 郑东明[1] 刘宏伟[1] 金琦[1] 祝永峰[1] 刘波[1] 

机构地区：[1]沈阳仪表科学研究院有限公司,东北沈阳110179

出　　处：《中国科技成果》2020年第16期37-39,共3页China Science and Technology Achievements

基　　金：国家863计划“高精度硅压力传感器技术研究与产业化开发”(2014AA042001-02)。

摘　　要：在单晶硅晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片.根据芯片实际已经有要求,提出了提高芯片稳定性的制备过程的关键工艺其影响因素.测量结果表明,所制备高稳定MEMS硅压力敏感芯片线性度优于0.1%,重复性0.05%,迟滞性为0.05%,满足工业压力变送器的高精度测量要求,在实际工程应用中应用效果良好.

关 键 词：压力传感器 敏感芯片 关键技术 压阻效应 

分 类 号：TP2[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]