双极互补金属氧化物半导体

作品数：22被引量：42H指数：4
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基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现
《电子器件》2024年第5期1157-1164,共8页谢卓恒 黄波 刘兰 冯越 阳润 杭虹江 袁素 
国家重点研发计划课题项目(2020YFB1806203)。
论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2....
关键词：卫星通信 四通道 接收芯片 毫米波 锗硅双极互补金属氧化物半导体 
基于SiGe工艺的X波段多功能芯片设计
《现代雷达》2020年第6期80-84,共5页张浩 万川川 
采用锗硅工艺设计了一款X波段多功能芯片,该芯片包括开关、低噪声放大器、驱动放大器、移相器和衰减器等功能电路。传统的微波多功能芯片通常采用砷化镓(GaAs)工艺实现,具有成本高、集成度低等缺点,该设计采用Si基工艺来实现,大大降低...
关键词：多功能芯片 移相器 衰减器 双极互补金属氧化物半导体 相控阵 收发组件 
基于BiCMOS工艺的光接收机前端电路被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第5期436-440,共5页付友 谢生 郭增笑 毛陆虹 康玉琢 张世林 
国家自然科学基金资助项目(61036002;61106052);天津市基础研究重点项目(11JCZDJC15100)
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计,实现了光接收机模拟前端,电路整体结构包括差分共射跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)以及输出缓冲级(Buffer)。采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻...
关键词：光接收机 跨阻放大器 差分共射结构 锗硅 双极互补金属氧化物半导体 
Performance Modeling and Evaluation for Optical Access Networks
《通讯和计算机（中英文版）》2013年第5期686-692,共7页Tony Tsang 
关键词：性能建模 光接入网 双极互补金属氧化物半导体 BICMOS工艺 EPON系统 ETHEMET 标准化活动 光学接收器 
锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计
《半导体技术》2012年第4期271-275,共5页刘冬华 胡君 钱文生 陈帆 陈雄斌 段文婷 
国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303)
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入...
关键词：P-I-N二极管 锗硅异质结双极型晶体管 双极互补金属氧化物半导体 赝埋层 工艺和器件仿真 
恒流-恒压模式控制的锂电池充电器的设计被引量：8
《半导体技术》2011年第4期291-295,共5页徐静萍 
陕西省教育厅专项科学研究项目(2010JK823);西安邮电学院中青年基金资助项目(ZL2009-14)
设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒压充电模式对充电器的控制,充电电流减小。对主要子...
关键词：恒流 恒压 涓流 锂电池充电器 双极互补金属氧化物半导体 
泰克公司在高速示波器中采用200 GHz SiGe技术
《国外电子测量技术》2010年第8期87-87,共1页
泰克公司日前宣布，其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM8HP硅锗（SiGe）技术，再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米（nm）硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）foundry工艺提供...
关键词：SIGE技术 泰克公司 示波器 双极互补金属氧化物半导体 测试工作 未来设计 可扩展 工程师 
泰克公司在高速示波器中采用200 GHz SiGe技术
《电子测试》2010年第9期94-95,共2页
8月10日,泰克公司宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM8HP硅锗（SiGe）技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米（nm）硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）foundry工艺提...
关键词：SIGE技术 泰克公司 示波器 双极互补金属氧化物半导体 GHZ 测试工作 未来设计 可扩展 
用于光通信系统的BiCMOS F/V转换器
《半导体光电》2009年第6期923-926,934,共5页成立 张静 倪雪梅 周洋 张雷 王振宇 
国家"863"计划项目(2006AA10Z258)
设计了一种由3运放A1、A2和A3组成的BiCMOS频率/电压(F/V)转换器,其中A1、A2设计成共源-共源CMOS运放,而低通滤波器(LPF)中的A3采用BiCMOS运放。优选了整个F/V转换器的元器件参数,并采取了提速和降耗等措施。实验结果表明,所设计的转换...
关键词：双极互补金属氧化物半导体 F/V转换器 延迟-功耗积 光通信系统 
高速BiCMOS运算跨导放大器的设计被引量：1
《半导体技术》2009年第1期41-44,共4页车红瑞 王海柱 杨建红 金璐 
基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中。电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现,由3.3 V单电源供电,经优化设计后,实现了2.1 GHz的单位增益...
关键词：双极互补金属氧化物半导体 模拟电路 跨导运算放大器 流水线 
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