BICMOS工艺

作品数：133被引量：108H指数：5
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一种K频段4通道高精度有源移相器被引量：1
《电讯技术》2024年第5期805-811,共7页张然 
基于130 nm双极型晶体管与互补金属氧化物半导体(Bipolar and Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,采用矢量合成架构的高精度移相器架构,提出了一款满足5G与民用卫星通信应用需求的K频段4通道高精度有源移相器。在移...
关键词：5G 卫星通信 有源移相器 BICMOS工艺 
2.4 GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计被引量：1
《湖南大学学报（自然科学版）》2023年第10期77-83,共7页傅海鹏 史昕宇 
国家自然科学基金资助项目(62074110)。
为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出...
关键词：低噪声放大器 线性度 射频前端芯片 BICMOS工艺 
一款BiCMOS工艺的低附加相移衰减器
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第4期14-20,共7页张超 陈奇超 叶乔霞 高海军 
采用0.18μm BiCMOS工艺,设计了一款工作频率为17~42 GHz的5位低附加相移、超宽带衰减器。小衰减单元采用简化的T型衰减结构,大衰减单元采用π型衰减结构,且每个衰减单元均采用电容和电阻并联的方式对附加相移进行补偿。测试结果表明,在...
关键词：衰减器 低附加相移 相移补偿网络 
一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段宽带有源移相器被引量：3
《微电子学》2020年第5期615-620,共6页袁刚 郭宽田 周小川 叶力群 范超 田泽 耿莉 桂小琰 
广东省基础与应用基础研究基金资助项目(2020A1515010001);航空科学基金资助项目(20184370006)。
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32~38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能。该移相器电路包括输入无源巴伦、多相滤波网络、矢量合成单元、射随器和输出有源巴伦。后仿结果表明,输入输出反射系数均小...
关键词：有源移相器 矢量合成 多相滤波网络 BICMOS工艺 宽温 
25~40GHz非对称单刀双掷开关的设计与实现
《半导体技术》2020年第10期754-759,共6页张浩 汪璨星 
针对Ka波段单片收发(T/R)集成电路对发射大功率和高隔离度的需求,分析了传统单刀双掷(SPDT)开关中并联、串联晶体管尺寸对插入损耗、隔离度和线性度的影响,设计了一款非对称的毫米波单刀双掷开关,通过去除发射通道上的并联支路,提高发...
关键词：单刀双掷(SPDT)开关 非对称 KA波段 锗硅(SiGe) BICMOS工艺 
用于气体频谱分析传感器的245 GHz次谐波接收机
《微电子学》2019年第6期783-787,共5页毛燕飞 鄂世举 Klaus Schmalz J.Christoph Scheytt 
浙江省自然科学基金资助项目(LQ17F04001);东南大学毫米波国家重点实验室开放项目(K201817)
提出了一种用于气体频谱分析传感器的混频器优先的245 GHz次谐波接收机。该接收机具有高线性度、高带宽、低噪声系数、低功耗和高集成度的特点。该接收机由2次无源反接并联二极管对(APDP)次谐波混频器、120 GHz推推型压控振荡器-分频器...
关键词：混频器优先 次谐波接收机 BICMOS工艺 
基于130nm BiCMOS工艺的太赫兹十二倍频链的设计
《半导体技术》2019年第10期755-761,共7页曹军 何勇畅 蔡运城 赵君鹏 吴凯翔 高海军 
国家自然科学基金资助项目(61871161);浙江省自然科学基金资助项目(LZ17F010001)
毫米波/太赫兹信号源作为微波系统的关键电路,普遍应用在无线通信、电子对抗、毫米波成像等领域,稳定性高、相位噪声低的毫米波/太赫兹信号源对整体链路起到至关重要的作用。基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,采用倍频器和驱动放大器(DA...
关键词：BICMOS工艺 倍频器 驱动放大器 十二倍频链(FMC) 有源Marchand巴伦 
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器被引量：2
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2019年第5期26-33,共8页张翼 沈宇 李晓鹏 杨磊 刘中华 郭宇锋 
国家自然科学基金(61804081);中国博士后基金(2018M642292);东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(K201727);射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室开放课题(KFJJ20170203);南京邮电大学校级科研基金(NY215138)资助项目
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码...
关键词：全并行模数转换器 SIGE BICMOS工艺 差分编码电路 超高速 
220 GHz低噪声放大器研究被引量：2
《红外》2019年第8期24-30,共7页毛燕飞 鄂世举 SCHMALZ Klaus SCHEYTT John Christoph 
浙江省自然科学基金(LQ17F0400);东南大学毫米波国家重点实验室开放项目(K201817)
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-...
关键词：低噪声放大器 220 GHZ 共基级 共射共基 太赫兹无线高速通信收发机 BICMOS工艺 
一种12位2 GS/s BiCMOS采样保持电路被引量：1
《微电子学》2019年第3期326-330,共5页孙伟 王永禄 杨鑫 何基 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280201010101)
基于130 nm BiCMOS工艺,设计了一种12位高速采样保持电路,对电路的主要性能进行了分析。电路采用差分结构,采样开关是开环交换射极跟随开关。在输入信号范围内,缓冲器的线性度较高。采用Cadence Spectre软件进行仿真。结果表明,当采样率...
关键词：采样保持电路 SIGE BICMOS工艺 射极跟随开关 
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