幺锦强

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：感应耦合等离子体ICP干法刻蚀ICP刻蚀P-I-N二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
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ICP腔体压力对直流偏压的影响被引量：2
《半导体技术》2010年第8期794-796,共3页张力江 幺锦强 周俊 王敬松 
基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况。发现在各种不同的功率下都存在一个特定的腔体压力,当低于该腔体压力时...
关键词：感应耦合等离子体 直流偏压 腔体压力 干法刻蚀 砷化镓刻蚀 
ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用
《微纳电子技术》2010年第8期503-506,共4页张力江 幺锦强 崔玉兴 付兴昌 
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i...
关键词：GAAS 感应耦合等离子体 P-I-N二极管 湿法腐蚀 干法刻蚀 
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