雪崩击穿

作品数：48被引量：94H指数：4
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雪崩管Marx电路波形振荡影响因素分析
《强激光与粒子束》2024年第11期166-172,共7页赵维 胡学溢 陈煜青 成真伯 燕有杰 
基于雪崩晶体管的Marx电路常用于产生高压纳秒脉冲,输出波形通常具有前沿时间百ps量级、指数型放电后沿、kV级输出电压等特征。然而这种电路结构的典型输出波形后沿通常存在振荡或畸变;Marx电路的储能电容较大时,波形前沿还会出现尖峰振...
关键词：雪崩晶体管 MARX电路 波形振荡 雪崩击穿 纳秒脉冲 
基极触发的雪崩晶体管导通机理被引量：1
《半导体技术》2024年第5期432-441,共10页王欢 乔汉青 程骏 胡龙 李昕 王翔宇 方旭 
为研究基极触发的雪崩晶体管导通机理,建立了雪崩晶体管(n+⁃p⁃n⁃n+掺杂结构)的准三维器件模型和实验测试电路。研究了雪崩晶体管的温度分布特征,导通结束后器件最高温度约为417 K,位于电流通道内n⁃n+边界处。当集电极电压为300 V、基极...
关键词：雪崩晶体管 超宽带(UWB)脉冲 雪崩击穿 碰撞电离 物理参数模型 
电磁脉冲作用下NMOS管的电磁敏感性研究
《兵器装备工程学报》2023年第12期25-31,共7页李万银 张晨阳 查继鹏 郑国庆 李吾阳 张祥金 
针对起爆控制电路中的NMOS管在战场强磁干扰环境下时常发生误触、击穿等现象,通过Silvaco TCAD建立了金属场效应(MOS)晶体管在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,获得了处于工作区的NMOS管在栅极注入电磁脉冲时的瞬态响应,分析了注入不同...
关键词：电磁脉冲 NMOS管 雪崩击穿 二次击穿 熔融烧毁 
雪崩三极管的雪崩击穿导通特性研究
《通讯世界》2022年第7期19-22,共4页徐守利 张鸿亮 郎秀兰 杨光晖 倪涛 段雪 刘京亮 许春良 
雪崩三极管是较为理想的高压窄脉冲信号源半导体元器件,研究其雪崩击穿导通特性将有助于设计与优化基于雪崩三极管的脉冲产生电路。本文通过搭建雪崩三极管击穿工作电路,测试雪崩三极管在基极大注入触发的二次击穿导通模式,以及集电极...
关键词：雪崩三极管 开关导通特性 雪崩击穿 
具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT被引量：1
《半导体技术》2021年第9期694-700,共7页陈飞 冯全源 
国家自然科学基金重大项目(62090012);国家自然科学基金重点项目(62031016,61831017);四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028)。
为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN(i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构。新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) 高场区 雪崩击穿 击穿电压 二维电子气(2DEG) 
功率晶体管击穿特性及测试分析
《电子制作》2019年第11期64-66,共3页赖忠有 
本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测试原理,对击穿电压实际测试过程中遇到的问题进行了总结和分析。
关键词：雪崩击穿 二次击穿 箝位电压 
瞬态抑制二极管阵列
《今日电子》2018年第3期65-65,共1页
SP4208系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）符合AEC—Q101标准，该系列产品经过优化，可保护敏感的电信端口免因静电放电（ESD）和雷击感应浪涌而受损。该系列产品集成了低电容控向二极管和一个（单向保护）或两个（双向保护）雪崩击...
关键词：二极管阵列 瞬态抑制 产品集成 浪涌电流 静电放电 雪崩击穿 AEC 保护 
基于BJT开关和Marx的双极性脉冲发生器
《农业装备与车辆工程》2018年第1期50-53,共4页许广利 饶俊峰 李孜 姜松 
双极结型晶体管(BJT)的集电极与发射极之间的雪崩击穿具有快导通、快恢复、高稳定性等优点,适合作为小型Marx脉冲功率发生系统自击穿开关。将相同级数的单层Marx发生器和双层Marx发生器进行了对比,得出相同级数的双极性Marx发生器输出...
关键词：双极结型晶体管 雪崩击穿 MARX发生器 双极性 倍压电路 
一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管
《微纳电子技术》2017年第9期581-584,共4页沈路 李妤晨 杨拥军 
碰撞电离晶体管(IMOS)在高速、低功耗领域具有很好的应用前景。以优化传统IMOS的工作电压为目的,介绍了一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管(GOI IMOS),利用Synopsys公司的ISE_TCAD对GOI IMOS的性能进行仿真分析与验证。结果表明,GOI I...
关键词：碰撞电离晶体管(IMoS) 绝缘体上Ge(GOI) 雪崩击穿 阈值电压 亚阈值摆幅 
微纳尺度电气击穿特性和放电规律研究综述被引量：23
《电工技术学报》2017年第2期13-23,共11页成永红 孟国栋 董承业 
国家自然科学基金创新研究群体基金(51221005);中国博士后科学基金(2015M572559);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费(SKLIPR.1512)资助项目
微纳尺度电气击穿特性和放电规律是当前国内外学者的研究热点。本文回顾了近70年来国内外学者在该领域的主要研究工作和成果,重点从研究手段、放电规律以及物理机制等方面对不同物理尺度介电系统(宏观尺度电极/微米间隙、微米尺度电极/...
关键词：微纳尺度 电气击穿 放电规律 Paschen曲线 Townsend雪崩击穿 场致发射 
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