功率晶体管击穿特性及测试分析  

作　　者：赖忠有[1] 

机构地区：[1]中国空空导弹研究院

出　　处：《电子制作》2019年第11期64-66,共3页Practical Electronics

摘　　要：本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测试原理,对击穿电压实际测试过程中遇到的问题进行了总结和分析。

关 键 词：雪崩击穿 二次击穿 箝位电压 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]