二次击穿

作品数：65被引量：72H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：高巍张金平任敏李泽宏张波更多>>
相关机构：电子科技大学华南理工大学西安电子科技大学东南大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重点项目广西大学科研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
特高压GIS隔离开关切合短母线过程中对地二次击穿机理仿真研究
《电工技术学报》2024年第19期6201-6214,共14页崔建 张国钢 陈允 张鹏飞 崔博源 
国家电网有限公司科技资助项目(5500-202255135A-1-1-ZN)。
近年来,在特高压气体绝缘开关设备(GIS)的操作过程中发现,隔离开关在切合短母线时会在断口间产生流注分叉对地二次击穿现象。传统有限元-通量修正(FEM-FCT)方法和粒子网格-蒙特卡罗(PIC-MCC)方法在仿真此类长距离气体流注放电分叉现象时...
关键词：特高压 气体绝缘开关设备(GIS) 隔离开关 二次击穿 相场法 
雪崩晶体管电压斜坡触发模式下终端失效机理研究被引量：1
《电源学报》2024年第3期220-226,共7页温凯俊 梁琳 陈晗 
台达电力电子科教发展计划重点资助项目(DREK2022003)。
随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究。针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究。利用...
关键词：雪崩晶体管 二次击穿 半导体器件建模 MARX电路 失效分析 
电磁脉冲作用下NMOS管的电磁敏感性研究
《兵器装备工程学报》2023年第12期25-31,共7页李万银 张晨阳 查继鹏 郑国庆 李吾阳 张祥金 
针对起爆控制电路中的NMOS管在战场强磁干扰环境下时常发生误触、击穿等现象,通过Silvaco TCAD建立了金属场效应(MOS)晶体管在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,获得了处于工作区的NMOS管在栅极注入电磁脉冲时的瞬态响应,分析了注入不同...
关键词：电磁脉冲 NMOS管 雪崩击穿 二次击穿 熔融烧毁 
不间断电源(UPS)系统认识误区解析(续二)
《数据中心建设+》2022年第4期63-64,共2页王其英 
晶体功率三极管虽然有导通压降小的优点,但也有二次击穿效应弊病,使设备工作很不稳定,以后出现了场效应管(MOSFET)可以替代晶体功率三极管,但由于其导通压降太大,无法做大功率设备。于是又出现了绝缘栅双极晶体管(IGBT),是MOSFET和GTR(...
关键词：场效应管 功率三极管 工频机 平衡度 二次击穿 UPS 三相负载 虚线框 
功率晶体管击穿特性及测试分析
《电子制作》2019年第11期64-66,共3页赖忠有 
本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测试原理,对击穿电压实际测试过程中遇到的问题进行了总结和分析。
关键词：雪崩击穿 二次击穿 箝位电压 
双极性晶体管的二次击穿烧毁分析
《中外企业家》2018年第6期220-221,共2页智晶 许允亮 王维乐 刘金婷 
本文通过对大功率双极晶体管失效机理、实际应用工作波形及工作条件进行探讨和分析,我们对大功率双极晶体管的正偏和反偏二次击穿特性有了清晰地认识。同时通过从制造和使用两个方面进行改进,解决了产品上机的失效问题,提高了产品的工...
关键词：3DD167 失效机理分析 解决失效 
光伏逆变器用大功率开关晶体管结构参数的设计
《微处理机》2017年第6期42-46,共5页李媛 陆晓东 周涛 
国家自然科学基金项目资助(No.11304020)
集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。根据光伏逆变器实际参数指标的要求,对光伏逆变器中的核心功率开关器件的结...
关键词：大功率 集电极峰值电流 饱和压降 击穿电压 二次击穿 
系统级测试下静电防护器件的失效机理分析被引量：2
《半导体光电》2016年第5期698-702,724,共6页刘进 陈永光 
国家自然科学基金项目(51177174);国防科技重点实验室项目(9140C87020410JB3403)
为满足系统级电磁兼容测试标准IEC61000-4-2,许多航空电子设备中都有静电放电(ESD)防护器件,其功能的失效直接影响到被保护电路和整机的安全性。在分析该类器件的失效机理时考虑到典型性,选择双极性ESD防护器件0603ESDA-TR作为受试对象...
关键词：系统级测试 ESD防护器件 性能退化 瞬变电压抑制器 二次击穿 
一种功率脉冲驱动方法及空间取电技术研究
《电气技术》2016年第3期27-29,35,共4页杨立新 侯克男 
本文主要阐述了一种功率脉冲驱动方法、功率脉冲发生装置技术实施方法以及空间取电技术的研究。具体为采用双极板电场感应取电的方式从高压输电线路上获取电压,通过在高压线路和大地之间架设两个平行于大地的极板构成一个电容,高压线与...
关键词：空间取电 二次击穿 脉冲驱动 三极管 电容器 
直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究被引量：2
《电子元件与材料》2016年第2期73-78,共6页周涛 陆晓东 吴元庆 夏婷婷 
国家自然科学基金项目资助(No.11304020)
集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三...
关键词：大功率 晶体管 集电极峰值电流 饱和压降 击穿电压 二次击穿 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部