不间断电源(UPS)系统认识误区解析(续二)  

Misconceptions Explanation of the Uninterruptible Power Supply(UPS)System(Continued Ⅱ)

作　　者：王其英 Oiying Wang

机构地区：[1]不详

出　　处：《数据中心建设+》2022年第4期63-64,共2页DATA CENTRE SETUP+

摘　　要：晶体功率三极管虽然有导通压降小的优点,但也有二次击穿效应弊病,使设备工作很不稳定,以后出现了场效应管(MOSFET)可以替代晶体功率三极管,但由于其导通压降太大,无法做大功率设备。于是又出现了绝缘栅双极晶体管(IGBT),是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。如图13(a)虚线框内电路环节,这就是今天的一般工频机UPS的主电路。这种工频机UPS在初期对三相负载的平衡度要求非常严,负载不平衡度≤20%,以后有意大利西力公司添加了一个电路环节将不平衡度范围扩大到≤50%,如果超出这个范围三相电压就不一样了。

关 键 词：场效应管 功率三极管 工频机 平衡度 二次击穿 UPS 三相负载 虚线框 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]