赖忠有

作品数：6被引量：4H指数：2
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供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
发文主题：MOS器件动态电阻电阻测试漏电流隧穿更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电子质量》《电子科技》《电子制作》《电子产品可靠性与环境试验》更多>>
所获基金：西安应用材料创新基金国家部委预研基金更多>>
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功率晶体管击穿特性及测试分析
《电子制作》2019年第11期64-66,共3页赖忠有 
本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测试原理,对击穿电压实际测试过程中遇到的问题进行了总结和分析。
关键词：雪崩击穿 二次击穿 箝位电压 
动态电阻测试问题分析被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第2期9-11,共3页赖忠有 
基于稳压二极管动态电阻测试中所遇到的问题,对动态电阻的测试方法和原理进行了总结,结合测试原理,将现场3台分立器件测试系统进行了对比测试,分析了能够影响设备动态电阻测试精确性的各种因素。
关键词：动态电阻 拐点 微变量 
动态电阻测试问题分析
《现代测量与实验室管理》2012年第6期14-16,共3页赖忠有 
本文基于稳压二极管动态电阻测试中所遇到的问题,对动态电阻的测试方法和原理进行了总结,结合测试原理分析和现场三台分立器件测试系统的对比测试,分析了设备动态电阻测试精确性的影响因素。
关键词：动态电阻 PN结 拐点 微变量 
MOS器件的ESD失效被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2011年第6期64-67,共4页赖忠有 许清平 
静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注。综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式;总结了ESD潜在性失效灵敏表征...
关键词：金属氧化物半导体器件 静电放电模型 静电防护 
栅隧穿电流分量研究
《电子质量》2011年第12期5-6,10,共3页赖忠有 
MOS器件尺寸缩减,导致栅氧化层厚度急剧减小,引起栅隧穿电流的迅速增大,对MOS器件特性产生了很大影响。该文基于此,重点分析和研究了栅隧穿电流分量及其特性,并针对四端MOS器件给出了相应的栅隧穿电流分量测试原理及构思。
关键词：MOS器件 栅氧化层 隧穿 
MOSFET栅漏电流噪声模型研究
《电子科技》2009年第10期53-55,共3页赖忠有 杜磊 
国家部委"十一五"预研基金资助项目(51312060104);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603)
随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注。由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其...
关键词：栅漏电流 栅介质 噪声模型 
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