隧穿

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半导体量子点分子-腔光机械耦合系统中光学双稳及多稳态的形成及调控被引量：1
《原子与分子物理学报》2025年第5期115-122,共8页曾莹 任波 徐名琪 杨红 佘彦超 
国家自然科学基金(12165016);贵州省科技厅基础研究项目(ZK[2023]049,ZK[2021]021,ZK[2022]558);铜仁市科技局科学技术基金(铜市科研(2023)41号)。
本研究探讨了外部磁场对半导体量子点分子与腔光机械耦合系统中光学双稳态行为的影响.研究结果显示,外部磁场、量子点之间的隧穿耦合以及探测光单光子的失谐可以有效地调控系统的光学双稳态.在弱隧穿和弱磁场条件下,系统的光学双稳态阈...
关键词：双稳态 多稳态 点间隧穿耦合 光力耦合 
基于TMR的U型差分高线性度电流传感器
《无线电工程》2025年第2期416-423,共8页周冬 曾蕙明 韩梓硕 张黎可 方彬 
国家重点研发计划青年科学家项目(2023YFB2407700)。
针对隧穿磁阻效应(Tunneling Magnetoresistance, TMR)电流传感器线性度不理想、准确度易受温度变化和外磁场影响及测量分辨率低的问题,对TMR电流传感器的功率放大器进行改进并设计了U型探头结构。通过采用V/A转换电路作为功放电路,提...
关键词：电流传感器 隧穿磁阻效应 差分结构 闭环结构 功率放大电路 
《神秘的量子生命》
《科技创新与品牌》2025年第2期6-6,共1页
没有量子力学,我们就无法解释世界是如何运转的,比如:知更鸟长途迁徙时是如何通过微弱的地球磁场感知方向的?小丑鱼是如何找到回家之路的?光合作用中能量的传递效率为什么那么高?对所有这些问题的解答,都离不开量子力学,离不开量子隧穿...
关键词：量子相干性 量子力学 量子纠缠 量子隧穿 传递效率 地球磁场 量子世界 磁感应 
对科学的追求,历时光而不朽
《少年博览(初中版)》2025年第1期1-1,共1页郭光灿 
亲爱的同学们,你们正值青春年华,意气风发,随时准备迈入更加广阔的天地。我想以一名科学工作者的身份,与你们聊一聊当前世界科技最前沿的领域之一——量子科技。不知道你们是否了解量子纠缠、量子隧穿等概念?虽然听起来很“科幻”,但它...
关键词：量子纠缠 量子隧穿 科学工作者 
p型TOPCon结构的隧穿氧化和钝化工艺研究
《人工晶体学报》2025年第1期133-138,共6页高嘉庆 屈小勇 吴翔 郭永刚 王永冈 汪梁 谭新 杨鑫泽 
国家电投黄河上游水电开发有限责任公司科研项目(KY-C-2023-GF06)。
为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能,本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响,以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明,氧气流量达到15 slm(标准...
关键词：p型TOPCon结构 低压化学气相沉积 钝化质量 隐开路电压 暗饱和电流密度 太阳能电池 
晶硅异质结(HJT)太阳电池电子接触电阻率测量
《太阳能学报》2025年第1期609-614,共6页吴坚 李硕 
对太阳电池而言,较低的接触电阻率是实现高转换效率的关键参数,特别是对于载流子选择接触的结构,比如晶硅异质结(HJT)太阳电池。接触电阻率(ρ_c)通常用Cox-Strack方法(简称CSM)或转移长度方法(TLM)计算得到。无论是哪种方法,均需要在...
关键词：硅太阳电池 异质结 接触电阻 隧穿接触 电子 
脲基有机配体与硫氰根协同构建的五角双锥型Dy^(Ⅲ)单离子磁体的磁性研究
《湖北大学学报（自然科学版）》2024年第6期864-871,共8页谷依 赵曼芸 董晓燕 黄宁宁 边青燕 黄云燕 朱文华 
国家自然科学基金(22271082);湖北省教育厅重点项目(D20211003);湖北高校省级教学研究项目(2022204)资助。
Dy^(Ⅲ)离子具有大的基态自旋值,是获取大磁弛豫能垒单分子磁体(SMMs)非常有潜力的稀土离子之一,而SCN-属于典型的无机含氰基短桥配体,具有空间位阻较小、配位能力较强等特点,可以作为阴离子构筑单分子磁体。基于此,本文中使用脲类有机...
关键词：单分子磁体 五角双锥 磁弛豫 量子隧穿 
光子的量子隧穿新研究
《大学物理》2024年第12期5-10,共6页王智勇 贾志国 汪相如 吴双红 
横向项目(No.Ho4W200725)。
对于光子的单势垒量子隧穿效应,传统中是将波导内或全内反射下电磁波的亥姆霍兹方程与实物粒子穿过单势垒时的定态方程进行形式类比,直接给出光子的量子隧穿概率公式,没有结合电磁场自身的物理特征,该结果既不严格也不完整.更为重要的是...
关键词：电磁波导 光子隧穿 多势垒 共振隧穿 
双栅无掺杂隧穿晶体管特性提升仿真研究
《微电子学与计算机》2024年第11期97-108,共12页陈坤 王树龙 
对双栅无掺杂型隧穿晶体管(DopingLess TFET,DLTFET)进行了仿真研究。通过对传统无掺杂型器件的载流子分布、电流密度、电势分布及能带图等参数的深入研究,较为全面的了解了此类器件的工作原理。基于DGTFET器件的仿真研究成果,提出了使...
关键词：隧穿晶体管 功函数 无掺杂 开态电流 
MgO基磁性隧道结中隧穿磁-塞贝克效应温度特性的理论研究
《半导体光电》2024年第5期798-804,共7页刘超 陶懿洲 方贺男 
国家自然科学基金项目(11704197);南京邮电大学校级自然科学基金项目(NY221066,NY223074).
构建了基于光学方法的单晶势垒层磁性隧道结理论模型,并利用该模型研究了MgO基磁性隧道结中隧穿磁-塞贝克效应的温度特性。由于该理论模型充分地计入了势垒层的周期性和晶格畸变的影响,在此理论模型中,温度不仅通过费米分布函数对塞贝...
关键词：磁性隧道结 隧穿磁-塞贝克效应 晶格畸变 自旋热电子学 
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