碰撞电离

作品数:159被引量:242H指数:7
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相关机构:北京应用物理与计算数学研究所中国科学院中国科学技术大学吉林大学更多>>
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质子入射In靶激发L系特征X射线的角分布研究
《原子与分子物理学报》2025年第2期98-104,共7页柳钰 王兴 徐忠锋 周贤明 程锐 张小安 梁昌慧 
国家自然科学基金(11875219);陕西省科技厅自然科学基础研究计划(2023-JC-YB-032);陕西省教育厅科研计划(20JK0975);咸阳师范学院“青蓝人才”培养基金项目(XSYQL202007);咸阳师范学院重点培育项目(XSYK21037);咸阳市离子束与光物理重点实验室(L2022-CXNL-ZDSYS-001)。
本论文实验测量并分析了发射角以10°为间隔,125°-155°范围内,入射能量为250 keV的质子束激发In靶产生的特征L系X射线谱,根据实验测得能谱结果,综合考虑探测器的探测效率后,计算了不同探测角度下特征X射线的相对强度比L_(ι)/L_(γ1)...
关键词:碰撞电离 特征X射线 角分布 各向异性 
等离子体发射光谱法简化分析研究
《宇航计测技术》2025年第1期87-94,102,共9页李耀 郑悦 贾军伟 徐亚迪 王青青 武宇婧 常猛 李绍飞 
国家自然科学基金项目(U22B2094)资助。
发射光谱法作为测量等离子体关键参数的一种重要非介入式测量手段,现有常规的发射光谱测量方法虽能获取部分电子温度、电子密度等关键参数的信息,但是传统的发射光谱模型实际上包含了很多个原子能级的碰撞辐射过程,研究者们主要根据截...
关键词:发射光谱分析 电子 碰撞电离 电感耦合等离子体 
基于CTMC与ETACHA4的重离子在径迹上碰撞电离的研究
《原子核物理评论》2024年第4期1085-1091,共7页古敬仁 李国壮 张晟 李新霞 
国家自然科学基金资助项目(11775108);湖南省研究生创新基金项目(QL20220210);先进能源科学与技术广东省实验室项目课题(DJLTN01020000)。
离子束驱动是产生高能量密度物质的重要途径,研究在穿透径迹上离子电荷态的变化以及产生电离电子的情况,对认识离子束在靶中的能量沉积过程有重要意义。本工作提出了一种计算径迹上重离子碰撞电离的方法,首先采用ETACHA4程序计算了重离...
关键词:CTMC ETACHA4 重离子碰撞 电离电子 
W^(6+)离子的电子碰撞电离研究
《物理学报》2024年第12期136-146,共11页马莉莉 张世平 张芳军 李麦娟 蒋军 丁晓彬 颉录有 张登红 董晨钟 
国家自然科学基金(批准号:12364034);甘肃省科技计划(批准号:23YFFA0074)资助的课题。
采用细致能级扭曲波方法计算了W^(6+)离子基态[Kr]4d^(10)5s^(2)4f^(14)5p^(6)和亚稳态[Kr]4d^(10)5s^(2)4f145p^(5)5d^(1),[Kr]4d^(10)5s2^(4)f^(13)5p^(6)5d^(1),[Kr]4d^(10)5s^(2)4f^(14)5p^(5)5f1,[Kr]4d^(10)5s^(2)4f^(13)5p^(6)5f...
关键词:钨离子 电子碰撞 亚稳态 直接电离 激发自电离 
中高Z元素原子、离子的电子碰撞电离与激发截面快速计算方法
《物理学报》2024年第10期105-115,共11页周旭 王川 胡荣豪 陶治豪 邓小良 梁亦寒 李晓亚 吕蒙 祝文军 
中高Z元素的原子数据如碰撞电离和碰撞激发截面在聚变工程、X射线与物质相互作用等工程及研究领域有非常广泛的需求.高能量密度等离子体中存在从基态到激发态的原子和各价态离子,其碰撞电离和碰撞激发截面需要分别计算.本文以73号元素钽...
关键词:碰撞电离 碰撞激发 扭曲波模型 原子数据 
基极触发的雪崩晶体管导通机理被引量:1
《半导体技术》2024年第5期432-441,共10页王欢 乔汉青 程骏 胡龙 李昕 王翔宇 方旭 
为研究基极触发的雪崩晶体管导通机理,建立了雪崩晶体管(n+⁃p⁃n⁃n+掺杂结构)的准三维器件模型和实验测试电路。研究了雪崩晶体管的温度分布特征,导通结束后器件最高温度约为417 K,位于电流通道内n⁃n+边界处。当集电极电压为300 V、基极...
关键词:雪崩晶体管 超宽带(UWB)脉冲 雪崩击穿 碰撞电离 物理参数模型 
InGaAs/InP SAGCM APD的电流响应模型研究
《华中科技大学学报(自然科学版)》2023年第9期160-166,共7页谢生 张帆 毛陆虹 
国家自然科学基金资助项目(11673019).
从吸收、渐变、电荷和倍增层分离型(SAGCM)InGaAs/InP APD的器件结构和工作原理出发,分析了载流子扩散、产生-复合等影响暗电流的主要因素,推导了光电流响应和碰撞电离倍增因子的表达式,同时考虑了温度和高偏压下隧穿效应的影响,构建了...
关键词:雪崩光电二极管(APD) 半导体器件模型 INGAAS/INP 电流响应 倍增因子 碰撞电离 
锗硅异质结双极型晶体管RF雪崩效应Mextram模型研究
《电子学报》2023年第6期1493-1499,共7页刘静 郑少华 刘茵 
陕西省重点研发计划(No.2022GY-016)。
传统Mextram模型基于雪崩倍增电流源Iavl来描述硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应,忽略了射频条件下因雪崩倍增相位延迟以及载流子传输时间延迟带来的集电结电感延迟问题.对硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应进行了研究,解释了导致...
关键词:HBT Mextram模型 参数提取 RF雪崩倍增效应 碰撞电离 
4H-SiC p-n结基于精确碰撞电离模型的雪崩倍增因子研究
《微电子学》2023年第2期333-337,共5页熊俊程 黄海猛 张子敏 张国义 
广东省基础与应用基础研究基金项目(2021A1515011720);电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题资助(KFJJ202106);电子科技大学格拉斯哥学院学生科创基金资助项目。
雪崩倍增效应是4H-SiC雪崩光电二极管、功率半导体器件等器件的关键机理。作为其中最重要的物理参数,雪崩倍增因子(M)的精确解析表达式目前未见报道。文章提出4H-SiC p-n结M的精确计算方法及其解析表达式。基于更准确的碰撞电离模型,通...
关键词:4H-SIC 雪崩倍增因子 碰撞电离积分 Miller公式 
雪崩光电二极管过剩噪声的测量和抑制方法被引量:2
《红外技术》2022年第4期343-350,共8页李再波 李云雪 马旭 田亚芳 史衍丽 
云南大学研究生科研创新基金项目(2020290);云南省重大科技项目(2018ZI002)。
雪崩光电二极管(APD)因为其高灵敏度和高增益带宽的优势已被广泛应用在高比特率、远程光纤通信系统中,而雪崩过程中产生的过剩噪声直接影响到APD的信噪比,因此,研究过剩噪声对APD性能的提升具有重要意义。目前,国内外测试雪崩光电二极...
关键词:雪崩光电二极管 过剩噪声因子 相敏探测法 碰撞电离工程 
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