云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAAS/INP

INGAAS/INP: 作品数：209被引量：369H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘宝林刘新宇徐安怀梁焰齐鸣更多>>; 相关机构：中国科学院厦门大学中国科学院大学华东师范大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

基于InGaAs/InP的高效率GHz单光子探测器: 《光学仪器》2025年第1期79-85,共7页马靖梁焰; 国家自然科学基金(61927813,62175152);上海市市级科技重大专项(2019SHZDZX01)。; 作为量子信息系统的接收终端,提高单光子探测器的探测效率与工作速率意义重大。基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD)设计了2 GHz高探测效率单光子探测器,采用正弦门控与低通滤波技术相结合的方法,有效抑制了门控模...; 关键词：单光子探测器雪崩光电二极管低通.滤波技术

Low noise InGaAs/InP single-photon detector with DC to 1 GHz tunable gate frequency: 《Photonics Research》2024年第12期3027-3032,共6页JIA-LIN CHEN DE-YONG HE SHUANG WANG YING-LIANG SHI JIA-QI GENG ZHEN-QIANG YIN WEI CHEN GUAN-JIE FAN-YUAN GUANG-CAN GUO ZHENG-FU HAN; National Natural Science Foundation of China(62271463,62425507,62301524,62105318,62171424);Fundamental Research Funds for the Central Universities;China Postdoctoral Science Foundation(2022M723064);Natural Science Foundation of Anhui Province(23080850F216);Innovation Program for Quantum Science and Technology(2021ZD0300700).; An InGaAs/InP single-photon detector(SPD)typically operates in gated mode,but the capacitive response of a single-photon avalanche diode introduces spike noise,obscuring the avalanche signal.Most avalanche signal disc...; 关键词：INGAAS/INP TUNABLE tuning

Research on the correlation between the dual diffusion behavior of zinc in InGaAs/InP single-photon avalanche photodiodes and device performance: 《红外与毫米波学报》2024年第5期595-602,共8页LIU Mao-Fan YU Chun-Lei MA Ying-Jie YU Yi-Zhen YANG Bo TIAN Yu BAO Peng-Fei CAO Jia-Sheng LIU Yi LI Xue; Supported by Shanghai Natural Science Foundation(22ZR1472600).; The development of InGaAs/InP single-photon avalanche photodiodes(SPADs)necessitates the utiliza-tion of a two-element diffusion technique to achieve accurate manipulation of the multiplication width and the dis-tribu...; 关键词：InGaAs/InP single-photon avalanche photodiode diffusion depth Znic diffusion dark count rate

光栅光谱仪前置和后置分光构型下光调制反射谱应用的不同特征: 《红外与毫米波学报》2024年第5期615-620,共6页詹嘉查访星顾溢; 国家自然科学基金面上项目(61874069)。; 光调制反射光谱因其高灵敏的特性而广泛的用于研究半导体及其表面与界面特性。基于光栅光谱仪其测量光路根据分光顺序的不同可以分为前置分光构型(暗构型)与后置分光构型(亮构型)。本文以InP/In_(0.52)Ga_(0.48)As/InP异质结外延结构为...; 关键词：光调制反射光谱半导体异质结 INGAAS/INP 内建电场

InGaAs/InP高速正弦门控单光子探测器后脉冲抑制方案: 《红外与激光工程》2024年第4期51-57,共7页曹扬苏扬蒋连军刘酩郭舒扬张文哲方余强高松陈尊耀陈治通于林唐世彪; 安徽省科技重大专项(202103a13010004);合肥市重大专项定向委托项目(2021DX007)。; 基于量子力学基本原理的量子密钥分发(QKD)系统具有信息论安全的水平,单光子探测器是QKD系统的重要组成,其后脉冲对QKD系统的安全成码率和安全成码距离均有重要影响。文中根据InGaAs/InP高速正弦门控探测器的后脉冲概率随时间呈现指数...; 关键词：量子密钥分发正弦门控单光子探测器后脉冲概率时间测量

实时激光通信用自由运行InGaAs/InP单光子探测器(特邀): 《激光与光电子学进展》2024年第7期142-149,共8页童启夏雷勇申向伟谌晨陈伟赵江林任丽崔大健汪亮蔡善勇; 为实现高速、高灵敏度、低成本的激光通信,优化改进一种新的InGaAs/InP单光子雪崩二极管(SPAD)以更好地使其应用于单个单光子探测器(SPD)探测的近红外激光通信系统。与上一代相比,优化各层结构的同时,在其中加入了介质-金属反射层并改...; 关键词：INGAAS/INP 单光子探测器单光子雪崩二极管负反馈雪崩二极管光子探测效率激光通信

MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性: 《红外与毫米波学报》2024年第1期63-69,共7页郭子路王文娟曲会丹范柳燕诸毅诚王亚杰郑长林王兴军陈平平陆卫; Supported by the National Natural Science Foundation of China(12027805,62171136,62174166,U2241219);the Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(2019SHZDZX01,22JC1402902);the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDB43010200)。; InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用...; 关键词：分子束外延 P/As切换异质界面扩散 InGaAs/InP雪崩光电二极管

基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究: 《红外与毫米波学报》2023年第5期634-642,共9页曹嘉晟李淘于一榛于春蕾杨波马英杰邵秀梅李雪龚海梅; Supported by National Natural Science Foundation of China(62175250,62075229,62274169);Shanghai Municipal Science and Technology Major Project(2019SHZDZX01)。; 系统研究了快速热退火对锌扩散的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In_(0...; 关键词：短波红外铟镓砷探测器快速热退火扩散

InGaAs/InP SAGCM APD的电流响应模型研究: 《华中科技大学学报（自然科学版）》2023年第9期160-166,共7页谢生张帆毛陆虹; 国家自然科学基金资助项目(11673019).; 从吸收、渐变、电荷和倍增层分离型(SAGCM)InGaAs/InP APD的器件结构和工作原理出发,分析了载流子扩散、产生-复合等影响暗电流的主要因素,推导了光电流响应和碰撞电离倍增因子的表达式,同时考虑了温度和高偏压下隧穿效应的影响,构建了...; 关键词：雪崩光电二极管(APD) 半导体器件模型 INGAAS/INP 电流响应倍增因子碰撞电离

Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响: 《光子学报》2023年第6期184-194,共11页郭可飞尹飞刘立宇乔凯李鸣汪韬房梦岩吉超屈有山田进寿王兴; 国家自然科学基金(No.62075236);中国科学院青年创新促进会(No.2020397);陕西省青年科技新星(No.2021SR5061)。; 对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研...; 关键词：雪崩光电二极管 INGAAS/INP ZN扩散单光子探测雪崩击穿概率

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