雪崩光电二极管

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适用于APD阵列的TDC电路研究进展
《激光与红外》2025年第4期491-500,共10页余越 王静 喻松林 
基于APD阵列的探测系统非常适合超高灵敏度、超高速探测,在主被动成像、激光雷达、医学检测、波前探测、光纤通信等领域应用广泛,时间数字转换器(Timeto Digital Converter,TDC)是其中的核心电路,完成对光子飞行时间(Time of Flight,ToF...
关键词：雪崩光电二极管 时间数字转换器 光子飞行时间 距离探测 
基于InGaAs/InP的高效率GHz单光子探测器
《光学仪器》2025年第1期79-85,共7页马靖 梁焰 
国家自然科学基金(61927813,62175152);上海市市级科技重大专项(2019SHZDZX01)。
作为量子信息系统的接收终端,提高单光子探测器的探测效率与工作速率意义重大。基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD)设计了2 GHz高探测效率单光子探测器,采用正弦门控与低通滤波技术相结合的方法,有效抑制了门控模...
关键词：单光子探测器 雪崩光电二极管 低通滤波技术 
532nm硅基单光子雪崩管制备及其电压调控效应
《四川大学学报（自然科学版）》2024年第6期17-23,共7页李喆 郝昕 王江 邓世杰 
硅基单光子雪崩管具备体积小、功耗低、暗计数低、可见光波段量子效率高、探测灵敏度达单光子量级等优势,在交通、医疗和军事等领域有重要应用前景.然而,平面结构硅基单光子雪崩管的暗计数率和可见光-近红外波段单光子探测率仍需提升,...
关键词：雪崩光电二极管 单光子探测 盖革模式 硅 可见光 近红外 
基于4H-SiC APD单光子探测的主动淬灭电路研究
《激光技术》2024年第6期809-815,共7页陶晓强 李天义 徐尉宗 周东 任芳芳 陆海 
国家自然科学基金资助项目(61921005,U2141241,U21A20496)。
为了对比不同类型淬灭电路对4H-SiC雪崩光电二极管(APD)探测性能的影响,采用被动淬灭电路(PQC)和主动淬灭电路(AQC),对两种类型SiC紫外APD进行了单光子探测实验,发现在PQC较长死区时间内,会频发后脉冲现象,导致APD的暗计数率(DCR)较高,...
关键词：传感器技术 雪崩光电二极管 主动淬灭电路 4H-SIC 单光子探测 
用于Si-APD的高能注入工艺优化研究
《电子与封装》2024年第11期81-85,共5页刘祥晟 荆思诚 王晓媛 张明 陈慧蓉 潘建华 朱少立 
雪崩区注入能量对硅基雪崩光电二极管性能影响极大,大束流高能注入工艺需要极高的设备成本。通过理论仿真计算和实验流片,调整雪崩区的注入能量和增加雪崩区的扩散时间,将注入能量从600 keV降低到390 keV,并在低成本的中束流离子注入机...
关键词：雪崩光电二极管 高能注入 反向击穿 
SOI基横向SAMBM APD三维建模与特性研究
《电子设计工程》2024年第16期59-63,68,共6页谢进 宜新博 刘景硕 崔凯月 谢海情 
湖南省自然科学基金(2021JJ30739);长沙市科技计划重点项目(kq1901102);湖南省教育厅科学研究项目(20K007)。
为更好表征器件的工作过程,为后续器件工艺制备实现提供更精确的理论支撑,采用SEN-TAURUS软件对SOI基横向多缓冲区SAM雪崩光电二极管进行三维建模仿真与特性研究。对器件的雪崩电压、光暗电流、响应度、雪崩增益、雪崩发生概率、光子探...
关键词：雪崩光电二极管 三维建模 I-V特性 光子探测效率 暗计数率 
多晶键合层对分离吸收电荷倍增型锗/硅雪崩光电二极管性能的影响
《硅酸盐学报》2024年第7期2316-2328,共13页苏小萍 李嘉辉 王战仁 柯少颖 
国家自然科学基金(62004087);福建省自然科学基金(2020J01815);漳州市自然科学基金(ZZ2020J32)。
分离吸收电荷倍增(SACM)型Ge/Si雪崩光电二极管(APD)因其高速、低噪声、高灵敏度、具备光增益等优点在光通信、光学成像和安全检测等领域具有广泛的应用前景。然而由于Si和Ge的晶格常数相差4.2%,因此在Ge/Si异质结界面会形成高密度的穿...
关键词：雪崩光电二极管 锗/硅键合 多晶硅键合层 晶格失配 键合层掺杂浓度 
高均匀性1×128 SiC紫外雪崩光电二极管探测阵列
《电子元件与材料》2024年第7期804-808,共5页李红旭 苏琳琳 杨成东 
国家自然科学基金(62106111);江苏省高等学校基础科学(自然科学)研究项目(22KJB510043);无锡市科技创新创业资金“太湖之光”科技攻关计划(K20231001);无锡学院引进人才科研启动项目(550222001,2021r011,2021r012)。
主要研究了SiC雪崩光电二极管(APD)阵列对微弱紫外光的探测均匀性问题,设计并制备了1×128 SiC APD探测阵列,通过表征各像素点的电流-电压曲线,提取出APD阵列的击穿电压波动在±0.1 V;通过被动淬灭电路表征各像素点的微弱紫外光探测能力...
关键词：雪崩光电二极管 SIC 探测阵列 高均匀性 良率 
应用于脉冲ToF激光雷达接收器的宽带高增益跨阻放大器
《微电子学》2024年第3期362-368,共7页郑浩 杨东东 刘延飞 郭小男 
国家自然科学基金资助项目(62274182)。
设计了一款应用于脉冲飞行时间(ToF)激光雷达(LiDAR)接收器的宽带高增益跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)。该TIA由跨阻预放大器、后级电压放大器、增益补偿放大器和输出缓冲器组成。跨阻预放大器采用改进型RGC电路实现;后级...
关键词：跨阻放大器 激光雷达接收器 飞行时间 雪崩光电二极管 
InGaAs单光子探测器封装技术进展
《激光与光电子学进展》2024年第9期102-111,共10页张晨阳 莫德锋 徐红艳 马英杰 李雪 苏文献 
国家自然科学基金(62075229,62175250);上海市科技重大项目(2019SZZX01)。
InGaAs单光子探测器已被广泛应用于激光三维成像、长距离高速数字通信、自由空间光通信和量子通信等。针对单元、线列和小面阵器件,已发展出同轴封装、蝶形封装、插针网格阵列封装等多种封装形式。探讨了温度对InGaAs单光子器件性能的...
关键词：雪崩光电二极管 INGAAS 单光子探测器 封装 
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