反向击穿

作品数：55被引量：39H指数：3
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用于Si-APD的高能注入工艺优化研究
《电子与封装》2024年第11期81-85,共5页刘祥晟 荆思诚 王晓媛 张明 陈慧蓉 潘建华 朱少立 
雪崩区注入能量对硅基雪崩光电二极管性能影响极大,大束流高能注入工艺需要极高的设备成本。通过理论仿真计算和实验流片,调整雪崩区的注入能量和增加雪崩区的扩散时间,将注入能量从600 keV降低到390 keV,并在低成本的中束流离子注入机...
关键词：雪崩光电二极管 高能注入 反向击穿 
新型集成隐埋齐纳二极管的研制及稳定性研究
《微电子学》2024年第4期551-557,共7页路婉婷 阚玲 刘青 杨赉 刘娇 张新宇 李永林 孔相鳗 龚榜华 谢迪 
介绍了一种采用40 V高压双极工艺制作的新型集成隐埋齐纳二极管的稳定性研究。这种新型隐埋齐纳二极管击穿电压值可调,齐纳击穿区避开表面,隐埋在硅体内,且内阻小、噪声低。首先分析了40 V高压双极工艺现有的次表面集成齐纳二极管长期...
关键词：集成隐埋齐纳二极管 稳定性 反向击穿 电压温度系数 高压双极工艺 
低反向击穿电压特性对光伏组件阴影遮挡下输出功率的影响被引量：1
《材料导报》2023年第S02期79-83,共5页李得银 赵邦桂 常洛嘉 杨振英 魏云 王琪 
局部阴影遮挡会导致光伏组件输出功率下降,温度升高,严重的会导致光伏组件失效甚至起火,严重威胁光伏电站安全运行。本工作从晶硅太阳能电池反向击穿电压入手,着重分析了反向击穿电压对光伏组件输出功率的影响。结果表明:在相同的遮挡...
关键词：IBC太阳电池 局部阴影 反向击穿电压 输出功率损失 热斑 
光电晶体管反向击穿特性研究
《电子与封装》2023年第6期76-79,共4页陈慧蓉 孔德成 张明 彭时秋 
由于特殊的应用场景,光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异,在器件设计时需要兼顾各项参数的影响。通过理论及仿真计算结合实验流片,归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素,包括掺杂浓度、结深以...
关键词：光电晶体管 反向击穿 掺杂浓度 放大倍数 
具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究被引量：2
《电子元件与材料》2021年第2期119-123,149,共6页刘晓忠 汪再兴 孙霞霞 郑丽君 高金辉 
场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构。分别仿真场限环结深...
关键词：PIN二极管 场限环 击穿电压 结深 漂移区掺杂浓度 电场分布 
基于强电光耦开入伏安特性的二次回路正确性检验方法
《电力系统装备》2020年第21期113-114,共2页贾子然 
在变电站进行二次回路拆接线工作时,往往通过在电源侧拆接时在空接点侧测量地电位电压变化的方式确认正确性。而对于某些保护装置强电开入回路,这样的方法却遇到了困难。文章结合行业规范对开入电压门槛的要求、光耦开入回路的原理、光...
关键词：二次回路 强电开入 光耦 二极管伏安特性 反向击穿电压 
湘西永顺县10 kV线路跳闸情况简析
《通讯世界》2020年第10期126-127,共2页欧阳兴永 赖晋涛 
湖南湘西地区高山逶迤、沟壑纵横、人员居住相对分散,10 kV配网线路运行环境相对恶劣,尽管国家农网改造政策对其进行了大规模改造,但停电跳闸次数依然较多,严重威胁人民生命财产安全、影响正常生产次序。本文通过对2019年永顺县所有10 k...
关键词：10 kV配网线路 跳闸率 绝缘电阻 接地电阻 最大风偏 雷击 反向击穿 
齐纳管稳定性技术研究被引量：1
《环境技术》2020年第S01期71-73,78,共4页陈波 王菡 刘青 彭克武 蒲璞 
基于1.5μm 32 V双极工艺制造的某芯片在经历老炼、温度循环试验后,芯片内部齐纳管电压发生明显漂移,严重影响了芯片性能。针对该现象,本文开展了齐纳管电压漂移的机理分析和试验验证,并提出了齐纳管电压漂移的解决方法。经过试验证明,...
关键词：齐纳管 反向击穿 电压漂移 齐纳蠕变 隐埋齐纳管 
ADALM2000:齐纳二极管稳压器
《世界电子元器件》2020年第2期18-20,共3页Doug Mercer Antoniu Miclaus 
目标稳压器是一种让负载上的输出电压保持恒定而不随负载电流变化的电路。例如,负载可以是微控制器系统,这就要求电源电压保持恒定,即使其电流会随着系统活动的变化而变化。图1中的齐纳二极管稳压器提供了一种非常简单的方法来将负载电...
关键词：稳压器 负载电阻 齐纳二极管 微控制器系统 输出电压 反向击穿电压 直流电压源 交流电源 
一种新型的双槽栅结构高压MOSFET被引量：1
《微电子学》2019年第2期262-265,269,共5页赵磊 冯全源 
国家自然科学基金重点项目(61531016);四川省科技支撑计划重点项目(2017GZ0110)
设计了一种能减小导通电阻并提高击穿电压的功率MOSFET。分析了击穿电压与外延浓度、耗尽层宽度、电阻率之间的关系。采用计算机仿真软件TCAD,对500 V、4 A下的N沟道MOSFET进行仿真验证。结果表明,相比传统VDMOS,双槽栅新型MOSFET的导...
关键词：双槽栅结构 VDMOS 反向击穿电压 导通电阻 
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