赵磊

作品数:3被引量:4H指数:1
导出分析报告
供职机构:西南交通大学更多>>
发文主题:分压力横向力模型试验密封土压力更多>>
发文领域:电子电信交通运输工程自动化与计算机技术建筑科学更多>>
发文期刊:《微电子学》《电子元件与材料》《信息技术》更多>>
所获基金:国家自然科学基金四川省科技支撑计划更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-3
视图:
排序:
一种新型的双槽栅结构高压MOSFET被引量:1
《微电子学》2019年第2期262-265,269,共5页赵磊 冯全源 
国家自然科学基金重点项目(61531016);四川省科技支撑计划重点项目(2017GZ0110)
设计了一种能减小导通电阻并提高击穿电压的功率MOSFET。分析了击穿电压与外延浓度、耗尽层宽度、电阻率之间的关系。采用计算机仿真软件TCAD,对500 V、4 A下的N沟道MOSFET进行仿真验证。结果表明,相比传统VDMOS,双槽栅新型MOSFET的导...
关键词:双槽栅结构 VDMOS 反向击穿电压 导通电阻 
VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计被引量:3
《电子元件与材料》2018年第9期53-56,共4页赵磊 冯全源 
国家自然科学基金重点项目(61531016);四川省科技支撑计划重点项目(2017GZ0110)
击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击穿电压的提升。横向变掺杂(Variable Lateral Doping)技术是调整深阱杂质的注入开窗和掩膜间距,在终端形...
关键词:垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS) 场限环 横向变掺杂 击穿电压 终端 功率器件 
基于元胞自动机和模糊控制的交通仿真研究
《信息技术》2010年第11期135-138,共4页赵磊 唐慧佳 
以车辆在行驶过程中的驾驶行为作为研究对象,对元胞自动机的概念、类型、结构以及他们在驾驶行为仿真中的应用进行了学习和研究。元胞自动机实现方法简单,仿真效率高,但无法描述车辆在拥有不同类型驾驶员情况下的行为决策过程,导致所有...
关键词:元胞自动机 车辆驾驶行为 模糊控制 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部