云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 光电晶体管

光电晶体管: 作品数：105被引量：54H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>; 相关作者：江灏高伟郝跃李国辉张春福更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院中山大学天津大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>

4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应: 《强激光与粒子束》2025年第5期29-35,共7页叶思恩黄丹阳付祥和赵小龙贺永宁; 国家自然科学基金项目(62004158)。; 当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压...; 关键词：4H-SiC探测器双极型晶体管电子束辐照响应电流紫外探测

二酮吡咯并吡咯基半导体/碳量子点平面异质结光电晶体管的制备及性能研究: 《功能材料》2024年第9期9031-9039,共9页艾志强周涵钱勇程在天王辉张发培; 国家自然科学基金资助项目(12074383);国家重点研发计划项目(2021YFA1600202)。; 采用二酮吡咯并吡咯基半导体聚合物PDVT-10与新型碳纳米材料碳量子点(CQDs)复合,通过溶液法制备了平面异质结薄膜有机光电晶体管(OPT)。PDVT-10/CQDs薄膜叠加了PDVT-10和CQDs的光学特性,在紫外至近红外的宽频范围显示了很高的光吸收能...; 关键词：半导体聚合物碳量子点平面异质结有机光电晶体管电荷分离

基于CsPbBr_(3)-MXene纳米结构的高线性度突触光电晶体管用于图像分类和边缘检测: 《Science China Materials》2024年第7期2246-2255,共10页代岩陈耿旭黄伟龙许晨晖刘常飞黄紫玉郭太良陈惠鹏; supported by the National Natural Science Foundation of China(62274035,62374033,U21A20497,61974029);National Key Research and Development Program of China(2022YFB3603803,2022YFB3603802);Natural Science Foundation of Fujian Province(2020J05104,2020J06012);Fujian Science&Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China(2021ZZ129,2021ZZ130);Cooperation Project of Tianjin University&Fuzhou University Independent Innovation Fund(TF2023-10).; 人工光突触为克服数据存储和处理中的冯诺依曼瓶颈,提供了一种有效的解决方案.人工光突触通过消除带宽连接密度的权衡和低功耗,展现了其相较于电突触的优势.钙钛矿量子点由于其易于合成和良好的光电性能,在人工光突触中引起了广泛的关注...; 关键词：in-situ growth CsPbBr_(3)-attached MXene synaptic phototransistor pattern recognition accuracy image preproces-sing

本征可修复的导电聚合物/水凝胶纳米复合薄膜及其独特的体沟道用于实现高性能、柔性和可修复的有机光电晶体管: 《Science China Materials》2024年第5期1491-1499,共9页严育杰朱晓婷张国成汪秀梅韩笑李伟洲孙东亚李月婵王义谢安陈惠鹏; supported by the National Natural Science Foundation of China(62304189 and 62304002);the Natural Science Foundation of Xiamen City(3502Z20227063);the Natural Science Foundation of Fujian Province(2023J011450 and 2023J011452);the Key Technologies Innovation and Industrialization Projects of Fujian Province(2023XQ022);the National Natural Science Foundation of China Joint Fund for Cross-strait Scientific and Technological Cooperation(U2005212);the Open Fund of Xiamen Key Laboratory of High Performance Metal and Materials of Xiamen University。; 柔性有机光电晶体管(OPTs)在大机械形变的下一代可穿戴系统中至关重要.然而,目前报道的大多数OPTs都是场效应基结构,其界面电荷传输和本征低跨导的特性限制了OPTs的机械柔性和光电性能的发展.此外,沟道层的p共轭半导体聚合物也缺乏特殊...; 关键词：electrochemical transistor interface PHOTOTRANSISTOR HEALING volumetric channel FLEXIBILITY

溅射压强对MoZnO光电晶体管性能的影响被引量：1: 《吉林建筑大学学报》2023年第6期73-79,共7页王晗高晓红张悦孙玉轩王森; 吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF)。; 采用射频磁控溅射法在表面长有SiO2绝缘层的P-Si片上沉积MoZnO薄膜,并制作成光电晶体管,研究了不同溅射压强对MoZnO薄膜及器件性能的影响.实验结果表明,当溅射压强为10 mTorr时,MoZnO薄膜的晶粒尺寸最大,结晶程度最好,其在可见光区域的...; 关键词：MoZnO 光电晶体管磁控溅射溅射压强

高纵横比单层MoS_(2)纳米-微米带的可控合成及其在高性能光电晶体管中的应用: 《Science China Materials》2023年第10期3941-3948,共8页蹇鹏承谭仕周郑志华刘伟杰赵永明许丹王鹏戴江南吴峰陈长清; supported by the National Natural Science Foundation of China(62174063,62174061,and 61974174);the National Key Research and Development Program of China(2022YFB3605104);the Key Research and Development Program of Hubei Province(2021BAA071);the Natural Science Foundation of Hubei Province(2022CFB011);the Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences(IIMDKFJJ-21-07);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(2020kfyXJJS124)。; 本文报道了一种快速、可控合成单层MoS_(2)纳米-微米带的方法:通过在蓝宝石衬底上旋涂Na_(2)MoO_(4)和NaOH的混合溶液后一步化学气相沉积硫化的方式进行生长.其中,通过改变NaOH的浓度,对气-液-固生长过程中的反应物液滴流动性进行调控,...; 关键词：MoS_(2)ribbons controllable synthesis chemical vapor deposition high-performance phototransistors

光电晶体管反向击穿特性研究: 《电子与封装》2023年第6期76-79,共4页陈慧蓉孔德成张明彭时秋; 由于特殊的应用场景,光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异,在器件设计时需要兼顾各项参数的影响。通过理论及仿真计算结合实验流片,归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素,包括掺杂浓度、结深以...; 关键词：光电晶体管反向击穿掺杂浓度放大倍数

非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展被引量：3: 《光电工程》2023年第6期1-20,共20页肖演杨斯铄程凌云周游钱凌轩; 国家自然科学基金面上项目(62174025)。; 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。...; 关键词：非晶氧化镓光电探测器光电晶体管薄膜晶体管探测日盲紫外超宽禁带半导体

硫化锑晶体管制备及其光电突触特性研究: 《光电子技术》2023年第2期150-155,共6页周婧文; 福建省自然科学基金(2019J01218)。; 采用快速热蒸发的方法制备薄膜,制作晶体管并模拟光、电信号刺激下的突触行为。研究表明,器件具有光、电信号调制的栅控能力,还可以模拟双脉冲抑制、长时程增强、巴普洛夫条件反射及遗忘过程、尖峰脉冲时间依赖可塑性等突触行为。; 关键词：光电晶体管人工突触硫化锑

有源层厚度对MGZO光电晶体管性能的影响: 《吉林建筑大学学报》2023年第2期77-83,共7页孙玉轩高晓红王森王晗张悦; 吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF);吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20200276KJ).; 室温情况下使用射频磁控溅射设备在100 nm的P型单抛热氧化SiO_(2)上生长镁镓掺杂氧化锌(MGZO)薄膜,并制备成光电晶体管器件.分析MGZO薄膜生长过程中不同有源层厚度对薄膜及器件的影响.使用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察...; 关键词：MGZO 光电晶体管磁控溅射有源层厚度

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