有源层厚度

作品数：20被引量：29H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王超高晓红赵道木王绍民徐锦心更多>>
相关机构：吉林建筑大学华南理工大学深圳大学五邑大学更多>>
相关期刊：《信息工程大学学报》《华南理工大学学报（自然科学版）》《电子学报》《井冈山大学学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金吉林省科技厅科技发展计划项目上海市自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
有源层厚度对Li-ZTO TFT电学性能的影响被引量：1
《吉林建筑大学学报》2024年第3期76-82,共7页裘锦春 杨小天 郭亮 杨帆 王超 迟耀丹 
吉林省科技发展计划项目(20220201068GX)。
本研究旨在制备Li-ZTO单有源层薄膜晶体管,并研究有源层厚度对其性能的影响。该研究采用磁控溅射方法,使用Li-ZTO靶材制备出了有源层厚度分别为70 nm,90 nm,110 nm的器件。采用了X射线光电子能谱(XPS)、原子粒显微镜(AFM)、X射线衍射仪(...
关键词：薄膜晶体管 Li掺杂ZTO 溅射时间 电学性能 
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管制备工艺及性能研究
《物理与工程》2024年第3期178-185,共8页刘丽 吕腾博 刘嘉乐 程乾 王小力 
陕西省重点研发计划项目(2023-YBSF-407)。
本文介绍了利用射频磁控溅射技术在氧化硅衬底上制备非晶氧化铟镓锌(a-IGZO)薄膜,对溅射的薄膜进行了不同条件下的特性分析,制备成a-IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT),并分别研究了溅射气氛、有源层厚度和退火工艺对器件电学性能的影响。实...
关键词：铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 磁控溅射 有源层厚度 退火 
有源层厚度对MGZO光电晶体管性能的影响
《吉林建筑大学学报》2023年第2期77-83,共7页孙玉轩 高晓红 王森 王晗 张悦 
吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF);吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20200276KJ).
室温情况下使用射频磁控溅射设备在100 nm的P型单抛热氧化SiO_(2)上生长镁镓掺杂氧化锌(MGZO)薄膜,并制备成光电晶体管器件.分析MGZO薄膜生长过程中不同有源层厚度对薄膜及器件的影响.使用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察...
关键词：MGZO 光电晶体管 磁控溅射 有源层厚度 
有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响被引量：1
《日用电器》2022年第8期92-96,116,共6页李超 王超 杨帆 王艳杰 
吉林省科技计划项目(2022-KL-09);吉林省科技发展计划项目(20200201177JC);吉林省科技厅中央引导地方科研项目(202002012JC);吉林省科技厅(YDZJ202201ZYTS430);吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20210256KJ,JJKH20210277KJ,JJKH20210276KJ)。
在室温下,采用射频磁控溅射法在聚酰亚胺(Polyimide PI)衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,AZO薄膜厚度分别为53 nm,62 nm,79 nm,94 nm。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)测试分析了不同厚度AZO薄...
关键词：柔性 厚度 铝掺杂氧化锌(AZO) 薄膜晶体管 
有源层厚度对IGZO薄膜晶体管性能的影响被引量：1
《吉林建筑大学学报》2022年第1期80-84,共5页孟冰 高晓红 付钰 孙玉轩 王森 
吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF);吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20200276KJ).
室温下使用射频磁控溅射设备在热氧化SiO2衬底上沉积厚度为33 nm,47 nm和59 nm的InGaZnO(IGZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察IGZO薄膜的表面形貌,研究有源层厚度对IGZO薄膜晶体管电学性...
关键词：IGZO 薄膜晶体管 有源层厚度 磁控溅射 
AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响
《吉林建筑大学学报》2021年第6期80-83,共4页胡小强 杨小天 李慧 李博 胡伟涛 雷明洲 
随着信息时代的到来,各种信息类产品飞速发展,对薄膜晶体管(TFT)的性能要求也越来越高.AZTO以其优异的性能被广泛关注并且应用于薄膜晶体管的制备.本文主要研究AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响,采用磁控溅射设备制备了不同厚度的A...
关键词：AZTO 薄膜晶体管 有源层厚度 磁控溅射 
有源层厚度对InSnZnO薄膜晶体管的影响被引量：3
《稀有金属》2019年第1期61-66,共6页杨浩志 李治玥 刘媛媛 孙珲 吕英波 刘超 
山东省自然科学基金项目(ZR2018QEM002);山东大学(威海)青年学者未来计划资助
在室温下,采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡锌(ITZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层, ITZO薄膜厚度分别为16, 25, 36, 45和55 nm。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计测试分析了不同厚度ITZO薄膜的结晶情...
关键词：射频磁控溅射 ITZO薄膜 薄膜晶体管 厚度 
非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2018年第2期195-199,共5页王韬 张希清 
国家自然科学基金(No.51372016;61275022)
制备了Mg-In-Sn-O薄膜晶体管(MITO-TFT)并探究了其电学性能.作为薄膜晶体管有源层的MITO薄膜在室温条件下通过射频磁控溅射沉积在SiO2/p-type Si衬底上.为了优化MITO-TFT的器件性能,研究了有源层厚度对器件性能的影响.结果表明25nm厚度...
关键词：薄膜晶体管 有源层厚度 场效应迁移率 阈值电压 
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响被引量：3
《华南理工大学学报（自然科学版）》2016年第9期61-66,72,共7页蔡旻熹 姚若河 
国家自然科学基金资助项目(61274085)~~
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:...
关键词：双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管 界面缺陷态 场效应迁移率 亚阈值摆幅 
有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响被引量：3
《电子元件与材料》2016年第6期44-47,共4页吴捷 门传玲 
上海市自然科学基金项目资助(No.13ZR1428200);上海理工大学国家级项目培育基金资助(No.14XPM06)
使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响。实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大。此外,还研究了有源层厚度对器件...
关键词：氧化铟镓锌 薄膜晶体管 有源层厚度 迁移率 氧空位 稳定性 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部