姚若河

作品数：189被引量：530H指数：9
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GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型
《华南理工大学学报（自然科学版）》2024年第7期1-8,共8页姚若河 姚永康 耿魁伟 
国家重点研发计划项目(2018YFB1802100);广东省重点领域研发计划项目(2019B010143003)。
GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究...
关键词：源漏通道区电阻 GaN HEMTs 自热效应 准饱和效应 
Al_(x)Ga_(1–x)N插入层对双沟道n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN HEMT器件性能的影响被引量：1
《物理学报》2022年第16期325-334,共10页蔡静 姚若河 耿魁伟 
国家重点研发计划(批准号:2018YFB1802100);广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003)资助的课题。
双沟道AlGaN/GaNHEMT器件在电子限域性、电流运输等方面优于单沟道结构,且能更好地缓解电流崩塌,提高设备的运行能力,在高功率应用中具有重要意义.本文对n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN结构中的电荷状态以及运输性质...
关键词：双沟道 2 DEG 迁移率 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型被引量：2
《物理学报》2021年第21期274-280,共7页刘乃漳 姚若河 耿魁伟 
国家重点研发计划(批准号:2018YFB1802100);广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003)资助的课题。
Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管的栅极电容由本征电容和边缘电容组成.边缘电容分为外部边缘电容和内部边缘电容,内部边缘电容相比外部边缘电容对器件的开关转换特性更为敏感.本文基于内部边缘电容的形成机理,推导了内部边缘电容C_(ifs...
关键词：高电子迁移率晶体管 内部边缘电容 栅极电容 模型 
低功耗低温漂的RC张弛振荡器被引量：6
《华中科技大学学报（自然科学版）》2021年第10期79-84,共6页姚若河 陈东侨 
广东省重点领域研发计划资助项目(2020B010171001)。
针对在物联网设备中使用的电阻电容(RC)张弛振荡器低功耗低温漂的需求,通过将RC张弛振荡器中的参考电压产生电路和自偏置电流产生电路复合使用,简化电路结构,减小供电电压和偏置电流,降低电路的功耗.采用水平级联的共栅共源结构、反相...
关键词：RC张弛振荡器 电流模 低功耗 低温漂 延时 
一个圆柱形双栅场效应晶体管的物理模型
《物理学报》2021年第15期249-256,共8页刘佳文 姚若河 刘玉荣 耿魁伟 
广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003);国家自然科学基金(批准号:61871195)资助的课题.
圆柱形双栅场效应晶体管(CSDG MOSFET)是在围栅MOSFET器件增加内部控制栅而形成,与双栅、三栅及围栅MOSFET器件相比,圆柱形双栅MOSFET提供了更好的栅控性能和输出特性.本文通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程,得到了圆柱形双栅MOSFET...
关键词：圆柱形双栅场效应晶体管 模型 栅介质 电学特性 
基于交叉耦合管线性化技术的LC-VCO被引量：4
《华中科技大学学报（自然科学版）》2020年第10期20-25,共6页姚若河 王立姣 刘爽 许泽韬 
广东省科技计划资助项目(2019B010143003)。
针对电感电容压控振荡器(LC-VCO)中交叉耦合管非线性恶化相位噪声的问题,提出了基于交叉耦合管线性化技术的低相位噪声LC-VCO.该LC-VCO在经典差分LC-VCO拓扑结构基础上增加了自启动开关系统,并引入了基于负反馈的交叉耦合管线性化技术....
关键词：电感电容压控振荡器 低相位噪声 线性化技术 负反馈 Groszkowski效应 
短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管的散粒噪声模型被引量：2
《物理学报》2020年第17期192-200,共9页张梦 姚若河 刘玉荣 耿魁伟 
广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003);国家自然科学基金(批准号:61871195)资助的课题.
随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的尺寸进入到纳米量级,器件的噪声机理逐渐开始转变.传统的热噪声与漏源电流模型精度出现下降,散粒噪声成为器件噪声不可忽略的因素.本文通过求解能量平衡方程,推导了短沟道MOSFET器件的...
关键词：散粒噪声 抑制因子 电子温度 短沟道 场效应晶体管 
基于噪声消除的低噪声放大器架构被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2020年第9期82-88,共7页姚若河 许泽韬 
广东省科技计划资助项目(2019B010143003)。
提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数...
关键词：低噪声放大器 宽带 噪声消除 交叉耦合 增益增强 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射被引量：3
《物理学报》2020年第15期237-242,共6页张雪冰 刘乃漳 姚若河 
国家重点研发计划(批准号:2018YFB1802100);广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003)资助的课题.
AlGaN/GaN界面处的二维电子气迁移率是描述高电子迁移率晶体管特性的一个重要参数,极化光学声子散射是高温时限制二维电子气迁移率的主要散射机制.本文对极化光学声子散射进行计算,结果表明在二维电子气浓度为6×10^11-1×10^13 cm^–2...
关键词：二维电子气 极化光学声子散射 高温迁移率 光学声子能量 
一种新型环形振荡器结构被引量：4
《华南理工大学学报（自然科学版）》2020年第5期67-74,共8页姚若河 王晓婷 
广东省重大科技专项项目(2019B010143003)。
为了减小环形振荡器的相位噪声,提出一种具有噪声消除结构的差分延迟单元。该延迟单元由主路径、辅助路径以及有源反馈构成,其主要噪声源在差分输出端形成相位相同的噪声电压。当满足噪声消除条件时,其噪声电压相互抵消,从而减小差分输...
关键词：噪声消除 相位噪声 差分延迟单元 环形振荡器 
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