准饱和效应

作品数：12被引量：7H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：孙伟锋张珺程东方鲍嘉明王磊更多>>
相关机构：东南大学上海大学电子科技大学北方工业大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《电源技术应用》《物理学报》《应用科学学报》更多>>
相关基金：江苏省自然科学基金上海市国际科技合作基金中国航空科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaN HEMT源漏通道区电阻的自热和准饱和效应模型
《华南理工大学学报（自然科学版）》2024年第7期1-8,共8页姚若河 姚永康 耿魁伟 
国家重点研发计划项目(2018YFB1802100);广东省重点领域研发计划项目(2019B010143003)。
GaN HEMT在栅极与源极和漏极之间存在一段通道区域,在等效电路模型中通常等效为一电阻,称为源漏通道区电阻R_(D,S)。准确构建GaN HEMT R_(D,S)模型,对于分析GaN HEMT直流和射频特性,构建GaN HEMT大信号模型具有十分重要的意义。本研究...
关键词：源漏通道区电阻 GaN HEMTs 自热效应 准饱和效应 
功率VDMOS器件中纵向电场的研究
《电子设计工程》2017年第8期83-86,共4页任向兵 鲍嘉明 宁可庆 
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化,为优化器件的性能起到指导作用。通过二维仿真工具TSUPREM4和MEDICI仿真...
关键词：纵向电场 外延层厚度 栅源电压 准饱和效应 
高压LDMOS准饱和效应研究
《固体电子学研究与进展》2013年第5期466-471,共6页翟宪振 吴海峰 罗向东 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012656)
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFE...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 准饱和效应 线性工作区 
功率VDMOS器件的新型SPICE模型
《东南大学学报（自然科学版）》2013年第3期478-482,共5页朱荣霞 黄栋 马德军 王锦春 孙伟锋 张春伟 
航空科学基金资助项目(20122469);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012559)
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体...
关键词：VDMOS SPICE模型 内部节点 准饱和效应 
一种高压SJ—nLDMOS的准饱和特性研究
《电源技术应用》2013年第5期48-52,共5页徐英雪 
研究了高压sj—nLDMOS器件中的一种特殊的电流饱和现象一准饱和效应。利用仿真工具SILVACO，对三维nLDMOS器件进行仿真，并从准漏极电压仉’和漂移区耗尽层入手，研究了准饱和效应的物理机制。与常规双RESURF—nLDMOS器件相比，在不改...
关键词：准饱和效应 超结 高压nLDMOS 
考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型被引量：1
《微电子学》2011年第4期612-616,共5页鲍嘉明 孙伟锋 时龙兴 
在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移区电压降求解方法等在内的一整套处理方法,并由此提出了VDMOS的一种改进物理模型。计算结果表明,与Kim Ye...
关键词：垂直双扩散MOS场效应晶体管 物理模型 准饱和效应 
一款超高压LDMOS管的物理建模被引量：1
《半导体技术》2010年第6期538-541,共4页程东方 汪维勇 易志飞 沈伟星 
上海市国际科技合作项目(07SA03)
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性。按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明...
关键词：LDMOS 宏模型 准饱和效应 物理模型 
高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模被引量：5
《物理学报》2010年第1期571-578,共8页王磊 杨华岳 
研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和效应的物理机理是漂移区载流子的速度饱和.进而从本征漏极电压Vk入手,给出了描述LDMOS管电流饱和特性的...
关键词：LDMOS 准饱和效应 高压 
高压CoolMOS的准饱和效应分析及优化设计
《微电子学》2009年第4期580-583,共4页祝靖 钱钦松 孙伟锋 李海松 
分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因。为了改善器件的准饱和效应,提出一种...
关键词：高压器件 COOLMOS 准饱和 浮置P—Pillar 
小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究被引量：1
《应用科学学报》2005年第4期380-383,共4页张珺 程东方 徐志平 
分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻Rj和MOS沟道电阻Rch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟...
关键词：VDMOS 准饱和效应 导通电阻 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部