云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 钱钦松

钱钦松: 作品数：16被引量：18H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：东南大学更多>>; 发文主题：多晶硅栅绝缘体上硅栅氧化层氧化层金属更多>>; 发文领域：电子电信电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Southeast University(English Edition)》更多>>; 所获基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>

基于遗传算法的两级DC/DC系统的效率优化: 《通信电源技术》2019年第6期58-62,共5页吴媛钱钦松孙伟锋; 对于高频高功率两级结构的DC/DC电源系统,其轻载效率和重载效率差异较大,整体效率低。因此,提出了一种基于遗传算法和PID的联合控制的方法,通过优化两级电源系统的控制参数,如相移和死区时间,从而优化整体电源系统效率。该方法可以在不...; 关键词：高频高效率两级DC/DC变换器 PID 遗传算法

700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究: 《固体电子学研究与进展》2012年第4期330-335,共6页崔其晖刘斯扬钱钦松孙伟锋苏巍张森何乃龙; 江苏省自然科学基金支持项目(BK2011059); 详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内...; 关键词：横向双扩散金属氧化物半导体器件瞬态失效机理温度

SOI-LIGBT器件正偏安全工作区的研究被引量：2: 《电子科技》2012年第7期106-109,113,共5页霍昌隆刘斯扬钱钦松; 江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059); 研究了高压SOI-LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区(FBSOA)的绘制方法。首先,分别提取器件的热阻与热容,并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗,进而根据热阻抗与最大允许功率之间的关系,获得直流与脉冲条件下的正偏安全工作区。同时,还...; 关键词：正偏安全工作区热阻热容电热耦合

SOI-LDMOS器件改善电安全工作区后驼峰现象的研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2012年第3期262-268,共7页霍昌隆刘斯扬钱钦松孙伟锋; 江苏省自然科学基金支持项目(BK2008287); 研究了高压SOI-LDMOS器件在引入P-sink结构改善电安全工作区(E-SOA)后I-V特性曲线呈现的驼峰现象(hump)。首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析,确定高栅压下电子电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因...; 关键词：电安全工作区驼峰现象 Kirk效应电导调制

SOI双槽隔离结构的耐压特性: 《东南大学学报（自然科学版）》2012年第2期234-238,共5页陈健朱奎英刘斯扬钱钦松孙伟锋; 江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059); 理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以...; 关键词：双槽隔离结构耐压模型压降不均衡沟槽纵横比槽间距临界击穿电压

Double RESURF nLDMOS功率器件的优化设计被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2010年第2期256-261,共6页朱奎英钱钦松孙伟峰; 基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层...; 关键词：降低表面电场的双扩散金属氧化物晶体管 P-top层终端结构电场峰值击穿电压导通电阻

Analysis of hot-carrier degradation in N-LDMOS transistor with step gate oxide被引量：1: 《Journal of Southeast University(English Edition)》2010年第1期17-20,共4页刘斯扬钱钦松孙伟锋; The Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2008287);the Preresearch Project of the National Natural Science Foundation of Southeast University(No.XJ2008312); In order to minimize the hot-carrier effect（HCE）and maintain on-state performance in the high voltage N-type lateral double diffused MOS（N-LDMOS）, an optimized device structure with step gate oxide is proposed. Co...; 关键词：HOT-CARRIER degradation step gate oxide N-type lateral double diffused MOS（N-LDMOS）

SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究被引量：2: 《半导体技术》2010年第1期54-57,共4页陈越政钱钦松孙伟锋; 采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实...; 关键词：绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管电流增益β n型缓冲层漂移区长度

200V高压SOI PLDMOS研究被引量：1: 《电子器件》2009年第5期880-883,共4页宋慧滨李维聪钱钦松; 江苏省自然科学基金资助(BK2008287); 提出了一种200V高压SOI PLDMOS器件结构,重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真,在0.8μm埋氧层...; 关键词：击穿电压导通电阻 SOI PLDMOS

高压CoolMOS的准饱和效应分析及优化设计: 《微电子学》2009年第4期580-583,共4页祝靖钱钦松孙伟锋李海松; 分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因。为了改善器件的准饱和效应,提出一种...; 关键词：高压器件 COOLMOS 准饱和浮置P—Pillar

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