耐压模型

作品数：11被引量：26H指数：2
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超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究被引量：3
《微电子学》2015年第6期812-816,共5页王卓 周锌 陈钢 杨文 庄翔 张波 
中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2013J043);国家重点实验室开放课题(KFJJ201203)
针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及...
关键词：超薄SOI层 线性变掺杂 高压LDMOS 耐压模型 RESURF 
考虑到纵向掺杂分布影响的SOI功率器件完全耐压模型
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2014年第3期85-89,共5页花婷婷 郭宇锋 于映 
国家自然科学基金(61076073);教育部博士点基金(20133223110003);江苏省普通高校研究生科研创新计划(CXZZ11_0382)资助项目
首先将任意纵向掺杂的漂移区等效为均匀掺杂的漂移区,然后基于二维泊松方程获得了SOI功率器件在全耗尽和不全耗尽情况下表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型对漂移区纵向均匀掺杂、高斯掺杂、线性掺杂和二阶掺杂SOI二极管...
关键词：绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 模型 
基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型
《北京理工大学学报》2012年第12期1279-1282,1287,共5页李琦 唐宁 王卫东 李海鸥 
广西自然科学基金资助项目(2010GXNSFB013054);广西省重大科技攻关工程资助项目(11107001-20)
提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N^+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求...
关键词：衬底偏压 电场调制 击穿电压 耐压模型 
SOI双槽隔离结构的耐压特性
《东南大学学报（自然科学版）》2012年第2期234-238,共5页陈健 朱奎英 刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059)
理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以...
关键词：双槽隔离结构 耐压模型 压降不均衡 沟槽纵横比 槽间距 临界击穿电压 
表面注入D-RESURF器件耐压模型被引量：1
《半导体技术》2011年第5期348-351,共4页李琦 王卫东 张杨 张法碧 
广西自然科学基金(2010GXNSFB013054);广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(1114001-10F);桂林电子科技大学博士科研启动基金(UF08021Y)
建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大,器件导通电阻降低。分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击...
关键词：表面注入 双重降低表面电场 模型 击穿电压 导通电阻 
任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型被引量：1
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2010年第5期11-15,共5页郭宇锋 花婷婷 
国家自然科学基金(60806027;61076073);中国博士后科学基金(20070411013);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KF2008001);江苏省高校自然科学基金(08KJA510002;09KJB510010)资助项目
基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据。借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、...
关键词：降低表面电场 功率器件 表面电场 击穿电压 解析模型 
基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型被引量：1
《电子元件与材料》2008年第5期71-72,共2页罗小蓉 李肇基 
国家自然科学基金重点资助项目(No.60436030)
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)因其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点而得以广泛应用。作为SOIHVIC的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压,限制了其在高压功率集成...
关键词：电子技术:ENDIF SOI 低εr介质 调制 击穿电压 解析模型 
薄外延层RESURF LDMOS完全耐压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第4期540-544,共5页李琦 张波 李肇基 
提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最...
关键词：薄外延 完全 击穿电压 模型 
薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第1期1-5,共5页李琦 李肇基 张波 
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结...
关键词：薄外延 阶梯掺杂 降低表面电场 击穿电压 解析模型 
阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2159-2163,共5页李琦 张波 李肇基 
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURFLDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参数的关系,其解析与数值结果吻合较好.结果表明:在导通...
关键词：薄漂移区 阶梯掺杂 击穿电压 模型 
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