云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- RESURF

RESURF: 作品数：82被引量：116H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李肇基张波乔明郭宇锋方健更多>>; 相关机构：电子科技大学南京邮电大学西安电子科技大学天津大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics Letters》《中国新通信》《电子元器件应用》《电子元件与材料》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>

具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS被引量：1: 《微电子学》2023年第1期134-138,共5页何乃龙许杰王浩赵景川王婷朱文明张森; 国家自然科学基金资助项目(62074030); 提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理,使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部...; 关键词：P型埋层 LDMOS 击穿电压比导通电阻

700 V超低比导通电阻的LDMOS器件: 《电子与封装》2020年第8期43-46,共4页李怡乔明; LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp)。然而,VB与RON,sp均强烈受制于漂移区长度及掺杂浓度,因此存在固有的矛盾关系。Triple RESURF技术被广泛使用于...; 关键词：LDMOS Triple RESURF 比导通电阻击穿电压

Theoretical analytic model for RESURF AlGaN/GaN HEMTs被引量：1: 《Chinese Physics B》2019年第2期395-399,共5页Hao Wu Bao-Xing Duan Luo-Yun Yang Yin-Tang Yang; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2015CB351906);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61774114);the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61334002);the 111 Project,China(Grant No.B12026); In this paper, we propose a two-dimensional(2D) analytic model for the channel potential and electric field distribution of the RESURF AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs). The model is constructed by t...; 关键词：RESURF ALGAN/GAN HEMTS two-dimensional ANALYTIC model potential DISTRIBUTION electric field DISTRIBUTION

三维数控弯板机多类型数据输入及转换的解决方案: 《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》2018年第9期00404-00405,共3页叶生志; 三维数控弯板机是目前国内外领先的自动化船体外板冷加工装备,设备根据数学放样数据,使用专门的计算机和控制软件实现加工过程自动检测计算与控制,自动完成曲面船板的成形加工。但用于加工的数学放样数据是由多个不同的设计软件生成,故...; 关键词：三维数控弯板机数学放样数据多种数据类型统一转换 Rhino-Resurf

TRIPLE RESURF LDMOS器件的优化设计被引量：1: 《电子设计工程》2017年第12期101-104,共4页颜世朋薛智民王清波; 提出了一种新型TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件,与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入,即在靠近源端一侧采用较高注入剂量,在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值,提高了击穿电压。利用SILVAC...; 关键词：击穿电压比导通电阻

采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计: 《电子元件与材料》2016年第8期50-54,共5页慈朋亮; 国家科技02重大专项项目资助(No.2012ZX02502); 研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构。该类型器件对击穿电压BV和导通电阻R_(DSon)等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构。通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,...; 关键词：RFLDMOS 击穿电压导通电阻 RESURF 双层场板仿真

集成电路BCD工艺平台中Double Resurf技术概述被引量：1: 《中国新通信》2016年第13期46-47,共2页慈朋亮; BCD工艺是一种先进的单片集成工艺技术,把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,使其互相取长补短,发挥各自的优点。更为重要的是,它集成了DMOS功率器件,DMOS...; 关键词：电源管理 LDMOS 集成电路

Novel high voltage RESURF Al GaN/GaN HEMT with charged buffer layer被引量：2: 《Science China(Information Sciences)》2016年第4期138-147,共10页Jiayun XIONG Chao YANG Jie WEI Junfeng WU Bo ZHANG Xiaorong LUO; A novel reduced surface field （RESURF） Al GaN /GaN high electron mobility transistor（HEMT）with charged buffer layer is proposed. Its breakdown mechanism and on-state characteristics are investigated.The HEMT featu...; 关键词：high voltage power device AlGaN/GaN HEMT charged buffer RESURF

RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究: 《电子设计工程》2016年第5期169-171,174,共4页安达露鲍嘉明; LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近...; 关键词：LDMOS RESURF 衬底掺杂浓度外延层单位面积杂质密度

超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究被引量：3: 《微电子学》2015年第6期812-816,共5页王卓周锌陈钢杨文庄翔张波; 中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2013J043);国家重点实验室开放课题(KFJJ201203); 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及...; 关键词：超薄SOI层线性变掺杂高压LDMOS 耐压模型 RESURF

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