高压LDMOS

作品数：30被引量：41H指数：4
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关键工艺参数对高压SOI LDMOS击穿特性的影响研究被引量：2
《微电子学与计算机》2022年第10期126-132,共7页何晓斐 宋坤 赵杰 孙有民 王英民 
装备预研基金项目(31513040204)。
本文基于顶层硅膜厚度为3μm的SOI衬底,设计了一种超薄硅层线性变掺杂漂移区结构的LDMOS晶体管,通过优化漂移区的工艺参数,显著改善了器件的表面电场分布,降低了漂移区两端的电场峰值,提高了横向耐压能力;通过形成超薄硅层漂移区提高了...
关键词：绝缘体上硅 高压LDMOS 超薄漂移区 
SOI高压LDMOS单粒子烧毁效应机理及脉冲激光模拟研究被引量：3
《电子与封装》2021年第11期65-69,共5页师锐鑫 周锌 乔明 王卓 李燕妃 
广东省自然科学基金(2018A030310015)。
SOI (Silicon-On-Insulator)高压LDMOS (Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semiconductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中。通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件...
关键词：单粒子烧毁效应 SOI高压LDMOS 脉冲激光 
新型抗总剂量辐照高压LDMOS结构
《电子产品世界》2019年第11期58-62,共5页冯垚荣 
通过分析低压MOS中存在的漏电路径,针对高压LDMOS面积大,最小宽长比有限制的特点,提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐照结构。器件仿真结果显示,新结构在实现500 krad(Si)的抗辐照能力,并且新结构不会增加面积消耗,与现有...
关键词：总剂量效应 高压LDMOS 抗辐照加固 辐射致漏电路径 
LDMOS器件ESD保护能力的一种优化结构
《集成电路应用》2018年第8期41-44,共4页苏庆 苗彬彬 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150223)
目前,高压工艺技术已经变得越来越成熟,其应用领域也越来越广泛。但是其ESD保护技术却一直受到狭窄的设计窗口,可靠性等问题困扰。如何在现有高压工艺平台上,设计出满足要求的保护器件一直是高压工艺的难题。从开发的难易度考虑,LDMOS...
关键词：集成电路制造 高压LDMOS 静电保护 器件优化 
超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究被引量：3
《微电子学》2015年第6期812-816,共5页王卓 周锌 陈钢 杨文 庄翔 张波 
中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2013J043);国家重点实验室开放课题(KFJJ201203)
针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及...
关键词：超薄SOI层 线性变掺杂 高压LDMOS 耐压模型 RESURF 
高压LDMOS总剂量辐射效应研究被引量：8
《微电子学与计算机》2015年第10期82-86,共5页王丹辉 赵元富 岳素格 边强 莫艳图 
在太空环境中,辐射会造成电源管理电路严重漏电和性能下降.LDMOS相比于CMOS,具有更高的工作电压,作为大尺寸的功率管被广泛应用于电源管理电路中.针对一种0.25μm BCD工艺LDMOS进行总剂量辐射效应研究.实验表明,总剂量辐射会造成LDMOS...
关键词：LDMOS 总剂量辐射 环栅加固 边缘漏电 阈值电压漂移 
高压LDMOS击穿电压退化机理研究
《固体电子学研究与进展》2015年第4期371-376,共6页金锋 徐向明 宁开明 钱文生 王惠惠 邓彤 王鹏飞 张卫 
以700V超高压LDMOS器件为例,对击穿电压的退化机理进行了物理解析及失效机理的理论分析,发现栅致漏极漏电(Gate induced drain leakage,GIDL)应力会诱导击穿电压退化,提出了多晶硅栅下场氧鸟嘴处电场强度是影响LDMOS击穿电压可靠性的重...
关键词：高压横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压退化 栅致漏极漏电 可靠性 
具有单层浮空场板的高压LDMOS器件研究被引量：2
《电子与封装》2015年第8期34-37,共4页文帅 乔明 
通过器件仿真软件Silvaco对带单层浮空场板的高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件进行了设计与优化。仿真结果表明:对于击穿电压为600 V的RESURF(reduced surface field)LDMOS器件,场板能够有效地优化器件表面电势分布,降低...
关键词：LDMOS 浮空场板 RESURF 
基于薄埋氧层及三顶层硅的SOI高压LDMOS研究被引量：1
《微电子学》2014年第1期101-104,共4页雷剑梅 胡盛东 朱志 武星河 罗俊 谭开洲 
重庆市自然科学基金资助项目(cstcjjA40008);中央高校基本科研业务费科研专项自然科学类项目(CDJZR11160002);中国博士后科学基金面上资助项目(2012M511905);中国博士后科学基金特别资助项目(2013T60835)
详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶层硅内引入一高浓度n+层,当器件处于反向阻断状态时,高浓度n+区部分耗尽,漏端界面处已耗尽n+层内的高浓...
关键词：埋氧层 绝缘体上硅 高压器件 
高压LDMOS准饱和效应研究
《固体电子学研究与进展》2013年第5期466-471,共6页翟宪振 吴海峰 罗向东 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012656)
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFE...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 准饱和效应 线性工作区 
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