阈值电压漂移

作品数：53被引量：132H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张盛东杨盛际廖聪维刘红侠李文杰更多>>
相关机构：京东方科技集团股份有限公司深圳市华星光电半导体显示技术有限公司北京大学深圳市华星光电技术有限公司更多>>
相关期刊：《中原工学院学报》《微电子学》《北京信息科技大学学报（自然科学版）》《河南科技》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
考虑阈值电压漂移的SiC MOSFET功率循环寿命修正技术
《半导体技术》2024年第11期1008-1015,共8页顾殿杰 谢露红 邓二平 吴立信 刘昊 黄永章 
国家自然科学基金(52007061)。
在SiC MOSFET的功率循环测试(PCT)中,饱和压降主要表征键合线的老化状态,其值由导通电阻决定。SiC MOSFET的阈值电压漂移会在导通电阻中引入非键合线老化导致的芯片电阻增量,进而影响寿命判断。为了准确判定键合线失效,设计和搭建阈值...
关键词：SiC MOSFET 阈值电压漂移 功率循环测试(PCT) 在线监测 芯片电阻 键合线失效 寿命修正 
脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响
《液晶与显示》2024年第4期466-471,共6页丘鹤元 谢鑫 李宗祥 陈周煜 王宝强 王文超 刘正 刘耀 刘娜妮 王洋 
超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本...
关键词：InGaZnO薄膜晶体管 集成栅极驱动电路 异常显示 阈值电压漂移 
基于IGZO薄膜晶体管的高可靠性时分驱动GOA电路
《电子学报》2023年第12期3463-3472,共10页周刘飞 邵贤杰 王海宏 王保平 
本文提出一种新颖的基于IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)薄膜晶体管的双向扫描集成栅极驱动(Gate Driver on Array,GOA)电路,特别适用于in-cell触控显示.本文提出的GOA电路采用时分驱动方式(Time-Division Driving Method,TDDM)实现高...
关键词：IGZO薄膜晶体管 集成栅极驱动 时分驱动法 可靠性 阈值电压漂移 内置触控 
30V SGT N-Channel MOSFET总剂量效应研究被引量：1
《电子与封装》2023年第11期102-107,共6页徐海铭 汪敏 
对30V SGT型N-Channel MOSFET进行了两种不同偏置的总剂量辐射实验,随着^(60)Coγ源射线剂量的增加,给出了两种偏置状态下器件实验前后的转移曲线和直流参数变化,揭示了SGT型功率器件随剂量和偏置的变化趋势和机理。研究结果表明,随着...
关键词：SGT 总剂量效应 阈值电压漂移 MOSFET 
SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性
《半导体技术》2023年第5期380-388,共9页于洪权 尉升升 刘兆慧 尹志鹏 白娇 谢威威 王德君 
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC ...
关键词：碳化硅 MOS电容 热氧化 偏压温度不稳定性(BTI) 阈值电压漂移 
一款100 V的GaN HEMT功率器件及其温度特性
《电子产品可靠性与环境试验》2023年第1期26-30,共5页蒲阳 吴昊 
模拟集成电路国家级重点实验室基金项目--高压Si/GaN级联器件设计及抗辐射加固技术(2021-JCJQ-LB-049-5)资助。
功率器件应用于航空航天等领域,可以起到功率转换、开关控制等作用。以GaN为代表的宽禁带半导体材料器件已逐渐地成为新型功率器件的不二选择。介绍了一款p型GaN栅的100 V GaN HEMT功率器件,给出了该器件各项参数的仿真情况、常态测试...
关键词：功率器件 氮化镓高电子迁移率晶体管 温度特性 阈值电压漂移 
高可靠性InGaZnO薄膜晶体管集成栅极驱动电路的研究被引量：1
《电子学报》2022年第12期3014-3020,共7页周刘飞 邵贤杰 陈旭 王海宏 王保平 
InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO Thin Film Transistor,IGZO TFT)具有高迁移率特性,易实现高分辨率且高刷新率的有源矩阵液晶显示(Liquid Crystal Displays,LCD).然而,由于IGZO TFT长期运行后较严重的性能下降,集成栅极驱动电路(Gate Driver...
关键词：InGaZnO薄膜晶体管 集成栅极驱动 阈值电压漂移 双极性脉冲偏压 可靠性 拉伸-指数方程 
辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》2022年第1期40-44,共5页杨燚 赵凯 赵钰迪 董俊辰 
北京市教委科研计划资助项目(KM202111232016);北京信息科技大学“勤信人才”培育计划资助项目(QXTCP C202109);北京信息科技大学校科研基金项目(2021XJJ20)。
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐...
关键词：高K栅介质 金属-氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压漂移 总剂量辐照效应 动力学蒙特卡洛 
基于改进HTGB试验的SiC MOSFET栅极可靠性研究被引量：2
《电力电子技术》2021年第12期36-39,共4页熊一 廖晓红 柯方超 王成智 
国家重点研发计划(2016YFC0600804)。
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的栅极可靠性考核是一项重要的可靠性测试项目,然而现行测试表征均是针对硅(Si)器件制定的,并未充分考虑SiC器件的特性。这里以阈值电压为栅极老化表征参数,首先对SiCMOSFET器件进...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 高温栅偏试验 阈值电压漂移 
一种总剂量辐照加固的双栅LDMOS器件
《电子与封装》2021年第8期71-76,共6页马红跃 方健 雷一博 黎明 卜宁 张波 
提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚栅和薄栅构成,其中薄栅位于p阱的N+有源区上方,厚栅为原器件结构的栅,在受到TID辐照时,薄栅结构可以抑制...
关键词：600 V NLDMOS 双栅 总剂量 阈值电压漂移 
全选清除导出
共6页<123456>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部