总剂量辐照效应

作品数：21被引量：53H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张正选王祖军宁冰旭邹世昌胡志远更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国科学院研究生院中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：《核电子学与探测技术》《半导体光电》《半导体技术》《压电与声光》更多>>
相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》2022年第1期40-44,共5页杨燚 赵凯 赵钰迪 董俊辰 
北京市教委科研计划资助项目(KM202111232016);北京信息科技大学“勤信人才”培育计划资助项目(QXTCP C202109);北京信息科技大学校科研基金项目(2021XJJ20)。
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应。利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐...
关键词：高K栅介质 金属-氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压漂移 总剂量辐照效应 动力学蒙特卡洛 
半球谐振陀螺总剂量辐照效应性能研究被引量：1
《压电与声光》2021年第6期869-872,共4页周强 方海斌 简福斌 杨勇 
半球谐振陀螺是一种高可靠的哥氏振动陀螺,在宇航领域有广泛的应用前景。该文研究了在空间辐照环境下总剂量辐照效应对半球谐振陀螺性能的影响,分析了总剂量辐照效应对半球谐振陀螺不同功能模块的影响,包括陀螺敏感头、信号检测电路及...
关键词：半球谐振陀螺 总剂量效应 信号检测电路 抗辐照 
CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展被引量：14
《半导体光电》2017年第1期1-7,共7页王祖军 刘静 薛院院 何宝平 姚志斌 盛江坤 
国家自然科学基金项目(11305126;11235008);国家重点实验室基金项目(SKLIPR1211)
CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元...
关键词：CMOS图像传感器 总剂量效应 辐照损伤 抗辐射加固技术 
Cu_xSi_yO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应
《半导体技术》2015年第6期464-467,共4页周晓羽 薛晓勇 杨建国 林殷茵 
对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵...
关键词：阻变存储器(RRAM) 抗辐照 总剂量效应(TID) 单粒子效应(SEE) 地面辐照实验 
γ射线总剂量辐照效应对应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究被引量：1
《物理学报》2014年第23期239-246,共8页胡辉勇 刘翔宇 连永昌 张鹤鸣 宋建军 宣荣喜 舒斌 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高等学校基本科研基金(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~
分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程,揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律,建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET阈值电压与跨导等电学特...
关键词：应变SI p型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量辐照 阈值电压 跨导 
总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响被引量：1
《物理学报》2013年第7期311-316,共6页宁冰旭 胡志远 张正选 毕大炜 黄辉祥 戴若凡 张彦伟 邹世昌 
本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电...
关键词：总剂量效应(TID) 浅沟槽隔离(STI) 氧化层陷阱正电荷 SOI MOSFET 
栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究被引量：1
《物理学报》2012年第24期125-130,共6页彭里 卓青青 刘红侠 蔡惠民 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器...
关键词：PD SOI NMOS 总剂量辐照效应 栅长 偏置状态 
偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响被引量：5
《物理学报》2012年第22期167-172,共6页卓青青 刘红侠 杨兆年 蔡惠民 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助的课题~~
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,...
关键词：总剂量辐照效应 泄漏电流 栅偏置条件 碰撞电离 
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
《物理学报》2012年第5期92-96,共5页胡志远 刘张李 邵华 张正选 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的...
关键词：总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 金属氧化物半导体场效晶体管 
偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响被引量：1
《电子器件》2011年第5期511-513,共3页何玉娟 罗宏伟 恩云飞 
国家微电子预研项目(51308040403)
通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60%～80%,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程...
关键词：可靠性 辐照 总剂量 光耦合器 偏置条件 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部