林殷茵

作品数：62被引量：97H指数：4
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发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
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一种延长NAND闪存寿命的新策略
《半导体技术》2019年第9期735-740,共6页苟军林 赵彦卿 林殷茵 
国际合作项目:TB时代通过在应用场景中进行数据挖掘方法来终身跟踪存储器质量
提出预测刷新策略来延长与非型(NAND)闪存寿命。预测刷新的核心是挖掘闪存中块的最大刷新周期,然后使用该周期刷新块来减少驻留错误,保证块中页的错误数(FBC)在错误纠正码(ECC)的纠错能力范围内。预测刷新利用驻留错误与驻留时间近似线...
关键词：预测刷新 与非型(NAND)闪存 寿命 驻留错误 最大刷新周期 
还原时间对AlO_x/WO_x RRAM开关速度的调制作用
《半导体技术》2017年第9期650-655,668,共7页徐娟 傅雅蓉 林殷茵 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032902)
基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的...
关键词：阻变存储器 开关速度 还原时间 速度波动 速度测试算法 
一种降低DRAM系统刷新功耗的混合主存设计
《复旦学报（自然科学版）》2017年第3期328-335,共8页杨凯 赵彦卿 徐娟 薛晓勇 林殷茵 
传统计算机体系结构中主存由动态随机存取存储器(DRAM)构成,而DRAM的刷新功耗随容量的增大而急剧增大.为应对这一问题,业界开始关注新型非易失性存储器(NVM).NVM具有掉电后数据不会丢失、不需刷新的优势,然而它们仍然处于研究阶段,单颗...
关键词：动态随机存储器 相变存储器 混合主存结构 刷新功耗 页分配 
一种解决半选择单元干扰问题的SRAM设计方案被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2016年第6期783-789,共7页程瑞娇 薛晓勇 林殷茵 
半选择单元的干扰问题是SRAM工作电压无法随工艺微缩持续降低的主要原因,同时,作为常用写稳定性帮助策略和提高读写速度的策略,PWB中字线增强时间点对半选择单元干扰问题的影响非常值得关注.本文深入分析了半选择单元干扰问题的电路机理...
关键词：静态随机存储器 半选择单元 干扰 字线增强 写稳定性 
不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响
《半导体技术》2016年第10期769-773,788,共6页王博 杨建国 林殷茵 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032902)
通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成...
关键词：氧化铝/氧化钨 阻变存储器(RRAM) 形成算法 可靠性 阻变机制 工艺优化 
IR压降实时多点检测的两种方法
《半导体技术》2016年第10期784-788,共5页沈越明 薛晓勇 林殷茵 
介绍了游标时数转换器(TDC)和循环时数转换器这两种用于实时多点检测电源网络IR压降的方案。游标TDC方案采用精调粗调结合的思想,在继承传统时数转换器方案高精度、单周期响应优点的基础上,对面积进行了优化。循环TDC方案采用倍频的思想...
关键词：IR压降 环振(RO) 时数转换器 游标时数转换器 循环时数转换器 
通过边界行标记的低刷新功耗内存被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2016年第3期347-353,共7页韦祎 杨任花 林殷茵 
提出一种通过数个边界行地址寄存器,将DRAM内存按照行地址划分为正常刷新区域、低频刷新区域和无需刷新区域的方案.当数据被集中于DRAM中连续行时,该方案不刷新未存放数据的DRAM行,并且对非关键数据区域采取比正常更低的频率进行刷新,...
关键词：DRAM刷新功耗 内存仿真 DRAMSim2 
氧化钽基RRAM的循环耐受特性优化研究
《复旦学报（自然科学版）》2016年第1期28-35,共8页刘佩 林殷茵 
国家高技术研究发展计划(2014AA032602)
阻变存储器(RRAM)因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺兼容而被各大研究机构广泛关注,但TaOx基RRAM存储阵列的可...
关键词：氧化钽 Ta2O5/TaOx 循环耐受特性 阻变存储器 
版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路被引量：1
《半导体技术》2015年第10期754-758,共5页胡心仪 林殷茵 
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小...
关键词：工艺波动 版图邻近效应(LPE) 标准单元 阈值电压 压控环形振荡器(VCO) 
Cu_xSi_yO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应
《半导体技术》2015年第6期464-467,共4页周晓羽 薛晓勇 杨建国 林殷茵 
对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵...
关键词：阻变存储器(RRAM) 抗辐照 总剂量效应(TID) 单粒子效应(SEE) 地面辐照实验 
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