徐娟

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供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文主题：DRALOWORRAM功耗更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《复旦学报（自然科学版）》更多>>
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还原时间对AlO_x/WO_x RRAM开关速度的调制作用
《半导体技术》2017年第9期650-655,668,共7页徐娟 傅雅蓉 林殷茵 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032902)
基于128 kbit AlO_x/WO_x双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试。还原处理的时间越长,AlO_x层的厚度越薄,同时氧空位的...
关键词：阻变存储器 开关速度 还原时间 速度波动 速度测试算法 
一种降低DRAM系统刷新功耗的混合主存设计
《复旦学报（自然科学版）》2017年第3期328-335,共8页杨凯 赵彦卿 徐娟 薛晓勇 林殷茵 
传统计算机体系结构中主存由动态随机存取存储器(DRAM)构成,而DRAM的刷新功耗随容量的增大而急剧增大.为应对这一问题,业界开始关注新型非易失性存储器(NVM).NVM具有掉电后数据不会丢失、不需刷新的优势,然而它们仍然处于研究阶段,单颗...
关键词：动态随机存储器 相变存储器 混合主存结构 刷新功耗 页分配 
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