NMOS

作品数：211被引量：189H指数：6
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一种基于LM74700D-Q1大电流防反功能在车载产品的方案设计
《专用汽车》2024年第9期96-99,共4页梁展鸿 
随着科技的发展,车内各个域控制器的融合度越高,系统就变得越复杂,需要提供给产品的电流越来越大,对于产品防反电路设计难度也越来越大。以德州仪器半导体的LM74700D—Q1为防反电路芯片为研究对象。该器件它与外围N沟道MOSFET配合工作,...
关键词：防反 大电流 NMOS 低功耗 
基于Multisim14的NMOS场效应管放大电路仿真分析
《电子技术（上海）》2024年第6期7-9,共3页张华 
阐述Multisim14是一款工业级电子仿真软件,具有灵活的使用方式和强大的功能。在实际教学中,针对场效应管学习的难点,应用Multisim14仿真软件进行虚拟仿真辅助教学,仿真结果说明场效应管放大电路受温度影响很小,使用Multisim14进行仿真...
关键词：增强型NMOS Multisim14 电路仿真 
一种低功耗快速瞬态响应无片外电容LDO
《电子元件与材料》2024年第6期713-720,共8页於汉 张涛 
国家自然科学基金(61873196)。
针对无片外电容LDO瞬态响应问题,提出了一种基于Miller BICMOS OTA结构的N型功率管LDO。BJT Push-Pull作为电路的中间级,具有低功耗、高增益、高摆率的特点。输出扰动通过电容耦合至中间级,形成了一条快速反馈环路,拓展了反馈环路带宽,...
关键词：NMOS BICMOS OTA BJT Push-Pull 前馈电容 
基于NMOS的低成本双向电平转换电路的设计
《自动化应用》2024年第S01期31-33,36,共4页池海鹏 鲍廷义 
设计了基于NMOS的双向电平转换电路,详细阐述了信号转换过程中具体的电路行为,同时说明了电路应用过程中的注意事项和限制。
关键词：NMOS 电路 电平转换 
基于时间控制技术的双NMOS降压直流转换器
《微处理机》2024年第1期23-26,共4页梁博文 辛晓宁 任建 聂彤 
为有效降低系统功耗,设计一种基于时间控制的降压直流转换器。该系统架构以时间作为处理变量,使用CMOS级类数字信号,同时不增加任何量化误差。在积分器设计中使用环形振荡器代替传统上的运算放大器,以有效降低功耗。增加延迟线,实现电...
关键词：BUCK电路 DC-DC转换器 低功耗 时间控制技术 
快速瞬态响应低噪声无片外电容LDO被引量：1
《电子元件与材料》2023年第9期1143-1149,共7页张涛 吴小奔 刘劲 
国家自然科学基金(61873196)。
针对便携式设备快速瞬态响应、低噪声、高电源抑制比等应用需求,提出了一种无片外电容NMOS型低压差线性稳压器(LDO)。该LDO基于浮栅结构,通过具有推挽输出级的放大器辅助控制,减小了电荷泵的噪声耦合;另外,通过取样输出电流控制误差放...
关键词：LDO NMOS 无片外电容 瞬态响应 低噪声 
制播系统中NMOS实现方法
《现代电视技术》2023年第5期71-75,共5页朱亚男 
制播系统IP化发展过程中,SMPTE ST 2110协议规范并定义了制播系统中不同IP实体流的承载、同步和描述的标准,但只是解决了IP系统中传输层互联互通的问题,而NMOS(网络媒体开放规范)为SMPTE ST 2110的传输层规范补充了控制层与管理层,从而...
关键词：NMOS IS-04 IS-05 DNS-SD协议 
一种带自适应电荷泵的超低功耗NMOS LDO
《微电子学》2023年第2期189-196,共8页王世杰 李世磊 周泽坤 王卓 张波 
国家自然科学基金资助项目(62074028)。
设计了一种带自适应电荷泵的超低功耗快速瞬态响应NMOS LDO,电路主要包含误差放大器、缓冲器、功率级、动态零点模块以及自适应电荷泵模块。该自适应电荷泵能够根据负载电流的大小调节工作频率,在兼顾大负载条件下功率管栅极需求的同时...
关键词：自适应电荷泵 NMOS LDO 超低功耗 
剥离自组装法制备NMOs/g-C_(3)N_(4)复合材料用于活化过一硫酸盐降解污染物的研究
《现代化工》2023年第4期186-193,共8页陈斐轲 张青 宋怿洲 毛辉麾 左士祥 
采用液相剥离技术制备了石墨相氮化碳纳米片(g-C_(3)N_(4)),将2种n型金属氧化物(NMOs)、纳米氧化物(TiO_(2)和SnO_(2))通过自组装法分别负载到g-C_(3)N_(4)纳米片上制备NMOs/CN复合材料,并对其光催化活化过一硫酸盐(PMS)高效降解有机物...
关键词：石墨相氮化碳 液相剥离法 过一硫酸盐 光催化 
一种瞬态限流的全NMOS译码器设计方法
《厦门理工学院学报》2023年第1期40-48,共9页宋长坤 陈瑞隆 尹家宇 冯平 李伯阳 陈铖颖 
厦门市青年创新基金项目(3502Z20206074);厦门市重大科技项目(3502Z20221022)。
针对低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)和低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide,LTPO)工艺下的有机电致发光显示器(organic light emitting diode,OLED)电路设计时,驱动译码电路瞬态产生大电流引起的闩...
关键词：全N增强型金属氧化物半导体(NMOS) 译码器 组合逻辑 功耗延迟积 
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