无片外电容

作品数：83被引量：125H指数：7
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基于体端调制技术的快速瞬态响应LDO设计
《电子元件与材料》2024年第12期1493-1501,共9页夏荣华 陈磊 崔杰 
国家自然科学基金青年项目(62001232)。
随着Wi-Fi 7标准的提出,对低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应能力提出了更高的要求。为满足需要,基于0.11μm CMOS工艺,设计了一种快速瞬态响应的无输出电容高性能LDO。利用体端调制技术,为功率管级缓冲级体端提供自适应偏置,在负载跳变...
关键词：快速瞬态响应 无片外电容 体端调制技术 Hybrid Cascode补偿 超级源跟随 
基于动态偏置误差放大器的超低功耗LDO设计
《电子元件与材料》2024年第12期1502-1508,共7页袁小龙 吴巍 王俊峰 
为了满足便携式设备对低功耗的需求,同时解决低功耗下低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,设计了一款带有动态偏置误差放大器的超低功耗无片外电容LDO。采用了自适应偏置电路为误差放大器提供偏置电流,同时结合动态偏置,既能降低轻...
关键词：动态偏置误差放大器 超低功耗 无片外电容LDO 自适应偏置 CMOS基准 
一种高PSRR超低噪声CL-LDO设计被引量：1
《电子器件》2024年第5期1173-1180,共8页姚佳 武华 冯秀平 陈翰民 杨煌虹 曾伟 曹先国 
国家自然科学基金项目(61650404);江西省教育厅科技项目(GJJ201411)。
提出了一种高电源抑制比(PSRR)超低噪声无片外电容低压差线性稳压器(CL-LDO)。采用自偏置折叠共源共栅结构的自适应误差放大器降低系统噪声;利用过温保护电阻和电流增强电阻的基准电压源结构,使电压基准源在高工作电压下具有较高PSRR;...
关键词：无片外电容低压差线性稳压器 超低噪声 电源抑制比 负载调整率 线性调整率 
一种高精度、快速瞬态响应的无片外电容低压差稳压器
《科技创新与应用》2024年第28期39-42,共4页白创 李凯 
湖南省大学生创新创业训练计划(S202310536160)。
该文基于0.18μm工艺设计一种无片外电容低压差稳压器(LDO),设计带推挽输出级的高摆率误差放大器提高输出电压精度和瞬态性能。此外,设计自适应偏置电路取样输出电流从而动态改变偏置电流,进一步提升LDO的瞬态性能。仿真结果表明,LDO压...
关键词：低压差稳压器 无片外电容 自适应偏置 高摆率 快速瞬态响应 
基于前馈补偿的快速响应无片外电容LDO设计
《电子测量技术》2024年第17期31-37,共7页孙帆 黄海波 卢军 王卫华 彭国生 
湖北省技术创新专项(揭榜制)科技项目(2023BEB015);湖北省教育厅科学技术研究项目(Q20221805)资助。
无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左...
关键词：无片外电容LDO 前馈补偿 环路稳定性 快速瞬态响应 宽负载范围 
一种双环快速瞬态响应无片外电容LDO
《微电子学与计算机》2024年第8期115-120,共6页奥鹏龙 李海鸥 徐卫林 王媛 
国家自然科学基金(62064002,62174041);广西精密导航技术与应用重点实验室基金(DH202212);广西研究生教育创新计划(YCSW2023305);云南省科技重大专项计划新材料专项(202102AB080008-2)。
针对传统低压差线性稳压器(LDO)需要离片大电容的不足,基于180 nm CMOS工艺设计了一款双环快速瞬态响应的无片外电容LDO。该LDO采用极点分裂技术,以保证在不同负载电流情况下的稳定性,并通过瞬态增强电路检测输出电压的波动来为功率管...
关键词：无片外电容 低压差线性稳压器 极点分裂 瞬态增强 
高稳定性快速响应的无片外电容LDO设计
《微电子学与计算机》2024年第7期119-126,共8页谢晋 李景虎 吴思妮 陈启彬 涂瑞泳 罗志聪 
福建省高校产学合作项目(2023H6010);国家重点研发项目(2018YFB2201000)。
针对光通信集成电路及片上系统的电源与电路之间相互干扰的问题,基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种高稳定性、快速响应的无片外电容低压差线性稳压器(Capacitor-Less Low Dropout Regulator,CL-LDO)。LDO电路包括带隙基准模块、推挽...
关键词：无片外电容 高稳定性 快速响应 LDO 推挽放大器 
一种低功耗高稳定性的LDO设计被引量：2
《电子设计工程》2024年第14期115-120,共6页谢海情 曹武 崔凯月 赵欣领 刘顺城 
湖南省自然科学基金(2021JJ30739);长沙市科技计划重点项目(kq1901102);湖南省教育厅科学研究项目(20K007)。
基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应...
关键词：低压差线性稳压器(LDO) 无片外电容 低功耗 瞬态响应 
一种低功耗快速瞬态响应无片外电容LDO
《电子元件与材料》2024年第6期713-720,共8页於汉 张涛 
国家自然科学基金(61873196)。
针对无片外电容LDO瞬态响应问题,提出了一种基于Miller BICMOS OTA结构的N型功率管LDO。BJT Push-Pull作为电路的中间级,具有低功耗、高增益、高摆率的特点。输出扰动通过电容耦合至中间级,形成了一条快速反馈环路,拓展了反馈环路带宽,...
关键词：NMOS BICMOS OTA BJT Push-Pull 前馈电容 
一种无片外电容高电源抑制比LDO设计
《中国集成电路》2024年第5期28-33,78,共7页郭少威 盛祥和 卢杨 王少昊 
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路要求低输入输出压差和高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。本文采用前馈纹波消除电路和负电容电路实现了在低输入输出压差(≤0.2 V)条件下分别对无片外电容高电源抑制比...
关键词：高电源抑制比 前馈纹波消除 负电容电路 无电容型LDO 
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