胡辉勇

作品数：101被引量：168H指数：6
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：应变SIBICMOS双极器件多晶光刻更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《计算机与数字工程》《微电子学》《西北大学学报（自然科学版）》《微电子学与计算机》更多>>
所获基金：陕西省自然科学基金国家部委资助项目模拟集成电路国家重点实验室开放基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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集成电路本硕博贯通培养模式被引量：1
《新课程教学（电子版）》2024年第4期183-185,共3页陈明 郭强 胡辉勇 
西安电子科技大学研究生教育综合改革专项,集成电路未来领军人才“本硕博”一贯制贯通培养计划探索。
集成电路是现代科技的重要支撑,对经济社会发展起着关键作用。随着科技的快速发展,集成电路的应用领域将越来越广泛。培养一批具备高素质和创新能力的集成电路人才,对推动我国集成电路产业的快速发展,提高国家自主创新能力以及在国际战...
关键词：集成电路 本硕博贯通培养 人才培养 自主创新 
一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第6期527-532,共6页张键 胡辉勇 周远杰 何峥嵘 
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入...
关键词：低失调电压 低输入偏置电流 高精度 结型场效应管输入放大器 
GeSn红外光探测器性能参数模拟研究被引量：1
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2022年第4期63-67,共5页王晓利 李婉 舒斌 胡辉勇 
宝鸡市科技局工业攻关项目(2017JH2-05)。
目的 研究通过调整Sn组分提高GeSn红外探测器的性能,为其进一步发展和实现在光纤通信中的应用提供科学依据和设计思路。方法 基于GeSn合金设计并优化了光探测器,以期获得高的响应度和宽的响应波段。经过Silvaco软件仿真,建立了Ge基波导...
关键词：光电探测器 GeSn合金 光响应度 3 dB带宽 
偏振敏感双机制增强近红外GeSn等离型光电探测器设计(特邀)
《光子学报》2021年第10期225-232,共8页韩钊 张蓓 张峻铭 苑西西 张宁宁 孙浩 王利明 胡辉勇 
National Key Research and Development Program of China(No.2019YFB2204400);the Industry-University-Academy Cooperation Program of Xidian University-Chongqing IC Innovation Research Institute(No.CQIRI-2021CXY-Y11);。
为了解决GeSn光电探测器反应能力不足和信号噪声比差等方面的不足,提出一种偏振敏感的双机制增强的GeSn光电探测器。该光电探测器同时具有法布里-珀罗模式和表面等离激元模式,其中,GeSn薄膜和二氧化硅薄膜提供了法布里-珀罗模式,而表面...
关键词：法布里-珀罗 表面等离激元 光栅 光电探测器 偏振 
小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现
《物理学报》2018年第6期258-267,共10页陈航宇 宋建军 张洁 胡辉勇 张鹤鸣 
高等学校学科创新引智计划(批准号：B12026)资助的课题.
小尺寸单轴应变Si p型金属氧化物半导体(PMOS)沟道反型层迁移率与晶面/晶向密切相关,应变PMOS优化设计时应合理选择沟道的晶面/晶向.目前,文献已有1.5 GPa应力强度下单轴应变Si PMOS沟道反型层迁移率按晶面/晶向排序的理论模型.然而,在...
关键词：单轴应变 载流子迁移率 晶面/晶向 
γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响被引量：2
《物理学报》2017年第7期361-369,共9页郝敏如 胡辉勇 廖晨光 王斌 赵小红 康海燕 苏汉 张鹤鸣 
国家自然科学基金(批准号:61474085);陕西省科技计划项目(批准号:2016GY-085)资助的课题~~
基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照...
关键词：单轴应变Si 纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量 栅隧穿电流 
Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述被引量：1
《电子学报》2016年第7期1763-1771,共9页徐小波 张林 王晓艳 谷文萍 胡辉勇 葛建华 
中国博士后科学基金(No.2013M540732);国家自然科学基金(No.61504011);陕西省自然科学基金(No.2014JQ8344;No.2015JM6357);西安市科技计划项目(No.CXY1441(9));中央高校基本科研业务费(No.31083216002)
Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和Si Ge电路仿真器中的应用.具体为:(1...
关键词：Early效应 三极管 SPICE 积分电荷控制关系 
(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型
《物理学报》2016年第1期394-401,共8页宋建军 包文涛 张静 唐昭焕 谭开洲 崔伟 胡辉勇 张鹤鸣 
模拟集成电路重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~
利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁...
关键词：应变 电导率有效质量 双椭球 模型 
氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理机理被引量：1
《物理学报》2015年第23期388-395,共8页杨旻昱 宋建军 张静 唐召唤 张鹤鸣 胡辉勇 
模拟集成电路重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904);陕西省自然科学基础研究计(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~
应力作用下MOS性能可显著提升,小尺寸MOS沟道中单轴应力的引入可通过在MOS表面覆盖淀积SiN膜实现.虽然该工艺已广泛应用于MOS性能的提升,但有关SiN膜致MOS沟道应力的产生机理、作用机理,以及SiN膜结构与MOS沟道应力类型关联性等方面的...
关键词：单轴应变 金属氧化物半导体晶体管 氮化硅 物理机理 
Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型被引量：1
《物理学报》2015年第23期381-387,共7页康海燕 胡辉勇 王斌 宣荣喜 宋建军 赵晨栋 许小仓 
国家自然科学基金(批准号:61474085)资助的课题~~
采用横向表面PiN(SPiN)二极管构造的硅基可重构天线具有众多优于传统天线的独特优势,是实现天线小型化和提升雷达与微波通信系统性能的有效技术途径.本文提出一种Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管,并基于双极扩散模型与Fletcher型边界条件,...
关键词：SPIN 固态等离子体 大注入 异质结 
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