云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 崔伟

崔伟: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：中电集团更多>>; 发文主题：SI基P型晶向金属氧化物半导体椭球更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：陕西省自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>

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(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型: 《物理学报》2016年第1期394-401,共8页宋建军包文涛张静唐昭焕谭开洲崔伟胡辉勇张鹤鸣; 模拟集成电路重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~; 利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁...; 关键词：应变电导率有效质量双椭球模型