崔伟

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供职机构:中电集团更多>>
发文主题:SI基P型晶向金属氧化物半导体椭球更多>>
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(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型
《物理学报》2016年第1期394-401,共8页宋建军 包文涛 张静 唐昭焕 谭开洲 崔伟 胡辉勇 张鹤鸣 
模拟集成电路重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~
利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁...
关键词:应变 电导率有效质量 双椭球 模型 
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