偏置条件

作品数：35被引量：58H指数：5
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不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究
《核技术》2023年第11期55-63,共9页邱一武 郭风岐 殷亚楠 张平威 周昕杰 
氮化镓功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域重点关注,为探究氮化镓功率器件抗γ射线辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件开展不同偏置(开态、...
关键词：增强型AlGaN/GaN HEMT器件 总剂量效应 偏置条件 电学性能 退火恢复 
不同偏置条件下CMOS图像传感器质子辐照损伤效应的实验与分析被引量：2
《光学学报》2023年第19期280-288,共9页聂栩 王祖军 王百川 薛院院 黄港 赖善坤 唐宁 王茂成 赵铭彤 杨馥羽 王忠明 
国家自然科学基金(U2167208,11875223);国家重点实验室基金(SKLIPR1803,SKLIPR2012,SKLIPR2113)。
应用在空间辐射环境下的互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)会受到高能质子辐照损伤,导致性能退化,严重时甚至功能失效。为了分析CIS高能质子辐照损伤机理,本文以0.18μm工艺CIS为研究对象,利用西安200 MeV质子应用装置开展了注量分别...
关键词：遥感与传感器 CMOS图像传感器 质子辐照 瞬态响应 暗信号 随机电码信号 
考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究被引量：2
《电子器件》2023年第1期74-78,共5页王臻卓 任婷婷 
河南省科技攻关项目(212102310086)。
碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以...
关键词：SiC MOSFET 阈值电压测量 弛豫效应 预偏置条件 
不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期915-921,共7页杨智康 文林 周东 李豫东 冯婕 郭旗 
中科院西部之光计划资助项目(2020-XBQNXZ-004);国家自然科学基金资助项目(12175308);中国科学院青年创新促进会资助项目(20211437)。
电荷耦合器件(CCD)是用于空间光电系统可见光成像的图像传感器,在空间应用环境下受辐射效应作用导致CCD性能退化甚至失效。对于CCD空间辐射效应的地面模拟试验研究,辐照试验中CCD采用合适的偏置条件是分析其空间辐射损伤的必要措施。由...
关键词：电荷耦合器件 电离总剂量效应 位移损伤效应 偏置条件 
一种适用于改进P/E循环性能NAND闪存设计方法
《中国集成电路》2021年第8期42-47,共6页何勇翔 朱家骅 
随着NAND闪存工艺尺寸的缩小,为了确保闪存阈值电压分布在相对狭窄的区间,通常使用ISPP/ISPE(步进式编写操作/步进式擦除操作)对闪存操作。但是随着P/E循环的增加,相应的操作时间也随之改变,会极大的影响闪存的性能。因此本设计对传统IS...
关键词：步进式编写操作/步进式擦除操作 NAND闪存 寄存器 偏置条件 擦写循环 
低温低偏置条件下SiGe HBT四噪声温度参数建模
《制造业自动化》2021年第3期132-137,共6页何林 王军 
国家自然科学基金项目(699010003)。
为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性。在传统SiGe HBT小信号等效电路模型基础上提出了一种简化的等效电路模型,根据与之对应的高频等效噪声电路,建立了一种半经...
关键词：低温低偏置 SiGe HBT 小信号等效电路 半经验噪声模型 四噪声温度参数 
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
《辐射研究与辐射工艺学报》2020年第5期60-66,共7页王利斌 王信 吴雪 李小龙 刘默寒 陆妩 
模拟集成电路重点实验室稳定支持项目(JCKY2019210C055);自治区天池博士计划项目(新科证字[2018]111号);西部之光(2018-XBQNXZ-B-003)资助。
本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数...
关键词：SIGE BICMOS 偏置条件 电离总剂量 氧化物陷阱电荷 界面态 
不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应
《现代应用物理》2017年第4期57-62,共6页张兴尧 李豫东 文林 于新 郭旗 
对InP DHBT进行了钴源辐射试验,研究了InP DHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应。使用Keysight B1500半导体参数分析仪,测试了InP DHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退...
关键词：INP DHBT 总剂量辐射 偏置 退火效应 ^60Coγ 
偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响
《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第5期874-879,共6页刘莉 董磊 刘超铭 李兴冀 杨剑群 马国亮 
国家自然科学基金资助项目(61404038;11205038);黑龙省江博士后科学基金资助项目(LBH-Z14073);中央基本科研业务费专项资金资助项目(HIT.NSRIF.2015001)
选用35 MeV Si离子,针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置条件下的影响规律。通过原位测试不同偏置条件的双极晶体管电流增益等参数随辐照注量的变化关系,研究了...
关键词：双极晶体管 重离子辐照 位移辐射 深能级缺陷 
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
《现代电子技术》2016年第24期137-140,共4页林洁馨 杨发顺 马奎 唐昭焕 傅兴华 
国家自然科学基金地区科学基金项目(61464002);贵州省科技合作项目(黔科合LH字[2015]7636);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2066号)
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件...
关键词：漏极持续电流 三维集成 自加热效应 导通偏置条件 
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