NAND闪存

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超640亿!芯片巨头完成重磅收购!
《变频器世界》2025年第3期53-53,共1页
据报道,SK海力士已完成对英特尔NAND闪存部门的全面收购,结束了长达四年的收购过程。这些资产将被整合到SK海力士的美国子公司Solidigm旗下,以提升企业级固态硬盘(SSD)的研发合作。韩国媒体此前消息指出,此次收购的价值约为88.5亿美元(...
关键词：SK海力士 英特尔NAND闪存部门 芯片巨头 
韩国政局搅动全球半导体产业
《世界知识》2025年第5期25-27,共3页李旻 崔明旭 
2024年,韩国半导体出口同比增长43.9%,达到1419亿美元,实现了自2023年11月以来连续第14个月保持增长态势,并刷新了2022年1292亿美元的纪录,再次证明其在全球半导体行业里的强大竞争力。韩国在DRAM、NAND闪存等关键领域拥有显著的技术优...
关键词：全球市场份额 半导体产业 政局动荡 竞争合作关系 半导体领域 半导体行业 NAND闪存 关键领域 
包含偏硅酸影响的3D NAND磷酸湿法刻蚀动力学
《化工学报》2025年第2期645-653,共9页彭子林 周蕾 邓庆航 叶光华 周兴贵 
国家自然科学基金项目(22378115)。
以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面...
关键词：3D NAND闪存 湿法刻蚀 氮化硅 氧化硅 偏硅酸 化学反应 动力学 动力学模型 
NAND闪存存储系统中的LDPC码优化设计
《中国科学:信息科学》2025年第1期202-216,共15页周璇 马征 庞琦珂 唐小虎 
四川省自然科学基金重点项目(批准号:2022NSFSC0043);四川省科技计划(批准号:2023YFG0100)资助。
面对日益增长的大容量需求, NAND闪存技术不断进步并实现了一系列突破,然而,存储密度的不断提升也极大程度削弱了NAND闪存系统的抗干扰能力.因此,针对NAND闪存存储系统中的差错控制码进行优化设计成为一个重要课题.本文首先对NAND闪存...
关键词：NAND闪存系统 低密度奇偶校验码 修正Student’s t模型 非对称密度进化算法 量化 
3D NAND闪存P/E次数的快速测评与寿命预测
《广东工业大学学报》2024年第6期52-59,共8页罗铮 韩国军 
NSFC-广东省联合基金项目(U2001203)。
基于3D三层单元NAND闪存的固态硬盘由于存储密度高、每比特成本低,正逐渐成为大规模存储系统中占主导地位的存储介质。随着技术的发展,3D NAND闪存芯片的存储密度越来越高,可靠性也越来越差。可靠性的降低和厂商制定寿命标称值过于保守...
关键词：3D闪存 寿命预测 数据保留错误 字线间干扰 支持向量机 
Solidigm推出全新D7系列超高速新品,为AI固态硬盘开启新篇章
《计算机应用文摘》2024年第17期202-203,共2页
2024年8月7日,作为全球领先的创新NAND闪存解决方案提供商,Solidigm正式推出了2款数据中心固态存储硬盘(SSD):Solidigm D7-PS1010和Solidigm D7-PS1030。作为正在批量出货的超高速PCIe 5.0 SSD,这2款高性能固态硬盘可满足现代主流、混...
关键词：固态硬盘 NAND闪存 固态存储 SOLID 数据中心 超高速 工作负载 SSD 
基于自适应块分配策略的NAND闪存垃圾回收算法
《现代计算机》2024年第11期23-28,共6页周勋 严华 
在NAND闪存垃圾回收算法中,冷热分离可以提高垃圾回收效率。但是,现有算法将数据分为固定数量的类,没有考虑数据写入过程中热度的聚类变化。为了解决这一问题,对基于自适应块分配策略的垃圾回收算法进行研究。通过监督受害块的有效页比...
关键词：NAND闪存 垃圾回收 冷热分离 块分配 磨损均衡 
3D NAND闪存中TiN与氧化表面F吸附作用的第一性原理研究
《物理学报》2024年第12期385-392,共8页方语萱 杨益 夏志良 霍宗亮 
国家重点研发计划(批准号:2023YFB4402500)资助的课题。
随着3D NAND技术的发展,存储阵列工艺的堆叠层数越来越高,后栅工艺中金属钨(W)栅字线(WL)层填充的工艺也面临越来越严峻的挑战.钨栅沉积工艺中的主要挑战在于氟攻击问题,钨栅填充时产生的空洞导致了含氟(F)副产物的积聚,并在后续高温制...
关键词：3D NAND闪存 氟攻击问题 第一性原理 
减轻读干扰的垃圾回收算法
《现代信息科技》2024年第7期81-85,共5页赵乾瑞 冉全 
武汉工程大学研究生创新基金(CX2021290)。
NAND闪存凭借许多特点让其在各种应用场景中得到广泛的应用,例如手机、平板电脑等,但是闪存也有两个受关注的特性:使用寿命和数据的可靠性。在闪存的使用过程中,读干扰对数据准确性的影响会随着时间的增长变大,因此,通过对读干扰造成的...
关键词：NAND闪存 垃圾回收 读干扰 FRT-GC 
3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进
《物理学报》2024年第6期368-373,共6页方语萱 夏志良 杨涛 周文犀 霍宗亮 
国家科技重大专项(批准号:21-02)资助的课题。
随着3D NAND闪存向更高层数堆叠,后栅工艺下,金属钨(W)栅字线(WL)层填充工艺面临的挑战进一步增大.由于填充路径增长,钨栅在沉积过程中易产生空洞,造成含氟(F)副产物的聚集,引起氟攻击问题.具体表现为,在后续高温制程的激发下,含氟副产...
关键词：3D NAND闪存 氟攻击问题 字线漏电 低压退火 
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