不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应  

Ionizing Radiation Effects and Annealing Characteristics of InP DHBT

作　　者：张兴尧[1,2,3] 李豫东[1,2,3] 文林[1,2,3] 于新[1,2,3] 郭旗[1,2,3] 

机构地区：[1]中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011 [2]新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011 [3]中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011

出　　处：《现代应用物理》2017年第4期57-62,共6页Modern Applied Physics

摘　　要：对InP DHBT进行了钴源辐射试验,研究了InP DHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应。使用Keysight B1500半导体参数分析仪,测试了InP DHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明:将InP DHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同。In this paper,the total ionizing dose effects of InP DHBT irradiated by ^(60)Co γ ray under different bias conditions are studied,and the total ionizing dose(TID)failure mechanism of the device is also analyzed.The Gummel curves and the I-Vparameters of InP DHBT are tested by using Keysight B1500 analyzer,and the radiation-sensitive parameters are obtained through analyzing the test data.The results show that a large number of oxide trap charges and the interface state trap charges are generated,resulting in different functional failure thresholds of InP DHBT.

关 键 词：INP DHBT 总剂量辐射 偏置 退火效应 ^60Coγ 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]