杨兆年

作品数：5被引量：8H指数：2
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发文主题：CMOS工艺静电放电箝位电路碰撞电离ESD更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家教育部博士点基金更多>>
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90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路被引量：2
《西安电子科技大学学报》2015年第3期54-60,共7页杨兆年 刘红侠 朱嘉 费晨曦 
国家自然科学基金资助项目(61376099,11235008);教育部博士点基金资助项目(20130203130002,20110203110012);航天808所基金资助项目(20140418)
提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某...
关键词：反馈 检测电路 静电放电 电压触发 
90nm CMOS工艺下3×V_(DD)容限静电检测电路被引量：1
《西安电子科技大学学报》2015年第1期56-61,206,共7页杨兆年 刘红侠 朱嘉 
国家自然科学基金资助项目(61376099;11235008);教育部博士点基金资助项目(20130203130002;20110203110012)
提出一种90nm 1.2VCMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺MOSFET的栅极泄漏特性和反馈技术来控制触发晶体管并进而开启箝位器件(可控硅整流器),同时采用多级叠加结构以承受高电压应力.在静电放电时...
关键词：检测电路 静电泄放 反馈 泄漏特性 叠加晶体管 
总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应
《物理学报》2013年第3期244-249,共6页卓青青 刘红侠 彭里 杨兆年 蔡惠民 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助~~
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变...
关键词：总剂量效应 KINK效应 碰撞电离 背栅异常跨导 
偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响被引量：5
《物理学报》2012年第22期167-172,共6页卓青青 刘红侠 杨兆年 蔡惠民 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助的课题~~
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,...
关键词：总剂量辐照效应 泄漏电流 栅偏置条件 碰撞电离 
量子阱Si/SiGe/Si p型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型
《物理学报》2012年第16期348-354,共7页李立 刘红侠 杨兆年 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005)资助的课题~~
Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了G...
关键词：SIGE P型场效应管 阈值电压 量子阱 空穴面密度 
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