KINK效应

作品数：26被引量：36H指数：3
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H型栅NMOS器件Kink效应的研究
《电子元件与材料》2024年第1期55-60,共6页徐大为 彭宏伟 秦鹏啸 王青松 董海南 
H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测...
关键词：H型栅NMOS KINK效应 PDSOI 总剂量辐照 TCAD 
1550nm高功率基横模半导体激光器及温度特性被引量：6
《光学学报》2023年第7期104-110,共7页常津源 熊聪 祁琼 王翠鸾 朱凌妮 潘智鹏 王振诺 刘素平 马骁宇 
中国科学院战略性先导科技专项(B类)(XDB43030301)。
通过引入渐变Al组分和脊型波导的设计,制备了1550 nm高功率AlGaInAs/InP基横模半导体激光器,室温连续工作模式下器件的斜率效率达到0.35 mW/mA,在500 mA的工作电流下,输出功率为138 mW,垂直和水平方向的远场发散角分别为32.9°和11.1°...
关键词：激光器 1550nm 基横模 KINK效应 温度 
SOI器件的kink效应研究
《固体电子学研究与进展》2022年第3期225-229,共5页王青松 彭宏伟 黄天 杨正东 朱少立 徐大为 
研究了SOI器件中的kink效应,主要包括不同器件类型、不同体接触结构、沟道长度以及栅氧厚度对kink效应的影响。研究发现NMOS器件由于能够产生较多的电子空穴对,在输出特性曲线中呈现明显的kink效应,而PMOS器件由于空穴的电离率较低,碰...
关键词：SOI器件 KINK效应 I-V特性 
一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件被引量：2
《微电子学》2021年第1期101-105,共5页李孟窈 刘云涛 蒋忠林 
黑龙江省自然科学基金资助项目(JJ2018ZR1021)。
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件。针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案。利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge...
关键词：STI PD SOI NMOS 总剂量辐照 S栅体接触 KINK效应 
包含Kink效应的改进型GaN HEMTs模型
《北京理工大学学报》2020年第11期1253-1258,共6页侯彦飞 刘祎静 李灏 何伟 吕元杰 刘军 杨宋源 王伯武 于伟华 
国家自然科学基金资助项目(61771057)。
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolically defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直流测试数据,对GaN器件进行精确建模.本文所用晶体管为双指AlGaN...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 大信号模型 KINK效应 
氮化镓基高电子迁移率晶体管Kink效应研究被引量：1
《微电子学》2019年第6期858-861,867,共5页朱培敏 陈雷雷 金宁 吴静 姜玉德 田葵葵 黄宜明 闫大为 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(61504050,11604124,51607022)
研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生Kink效应的物理机制,并进行了实验测试。测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压较大时,扩散进入耗尽区的电子在高场作用下形成热电子,碰撞电离出深能级施主态中的非平衡电子,第二次扫描...
关键词：氮化镓器件 高电子迁移率晶体管 KINK效应 热电子 
动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响被引量：1
《半导体技术》2015年第8期626-630,共5页刘琨 朱慧 冯士维 石磊 张亚民 郭春生 
国家自然科学基金(61201046;61376077);北京市自然科学基金资助项目(4122005;4132022;2132023);高等学校博士学科点专项科研基金。资助项目(20121103120019);北京工业大学博士生创新基金资助项目(YB201404)
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力。为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3...
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 交变应力 电学特性 KINK效应 缺陷 
总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应
《物理学报》2013年第3期244-249,共6页卓青青 刘红侠 彭里 杨兆年 蔡惠民 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200110203110012)资助~~
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变...
关键词：总剂量效应 KINK效应 碰撞电离 背栅异常跨导 
低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理被引量：2
《物理学报》2012年第24期403-409,共7页商怀超 刘红侠 卓青青 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结...
关键词：低剂量率 总剂量效应 KINK效应 跨导 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型被引量：2
《物理学报》2012年第4期414-418,共5页马骥刚 马晓华 张会龙 曹梦逸 张凯 李文雯 郭星 廖雪阳 陈伟伟 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2011CBA00606)资助的课题~~
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 KINK效应 模型 
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