低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理  

Degradation mechanism of SOI NMOS devices exposed to ^(60)Co γ-ray at low dose rate

作　　者：商怀超[1] 刘红侠[1] 卓青青[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《物理学报》2012年第24期403-409,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61076097;60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~

摘　　要：本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结果表明:界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同,主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同.The total dose effect of 0.8μm SOI NMOS device with H-gate is analyzed. The device is exposed to 60Co γ-ray at low dose rate. The result shows that the irradiation effect is more serious at low dose rate for the same total irradiation dose. The threshold voltage shift in on state is lower than in off state. Irradiation leads to the increased drain voltage VD of kink effect. Because the number of effective interface traps varies with gate bias, interface trap has different influences on sub-threshold slope and transconductance.

关 键 词：低剂量率 总剂量效应 KINK效应 跨导 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]