朱凌妮

作品数：11被引量：56H指数：6
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：半导体激光器量子阱混杂腔面激光器解理更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《光学学报》《红外与激光工程》《光子学报》《中国激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金中国科学院战略性先导科技专项国家教育部博士点基金更多>>
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1550nm高功率基横模半导体激光器及温度特性被引量：5
《光学学报》2023年第7期104-110,共7页常津源 熊聪 祁琼 王翠鸾 朱凌妮 潘智鹏 王振诺 刘素平 马骁宇 
中国科学院战略性先导科技专项(B类)(XDB43030301)。
通过引入渐变Al组分和脊型波导的设计,制备了1550 nm高功率AlGaInAs/InP基横模半导体激光器,室温连续工作模式下器件的斜率效率达到0.35 mW/mA,在500 mA的工作电流下,输出功率为138 mW,垂直和水平方向的远场发散角分别为32.9°和11.1°...
关键词：激光器 1550nm 基横模 KINK效应 温度 
宽温度锁定808 nm激光器阵列被引量：4
《中国激光》2023年第5期14-19,共6页张娜玲 王翠鸾 熊聪 朱凌妮 李伟 刘素平 马骁宇 赵鑫 马晓辉 
为了提高808 nm激光器对固体激光器的泵浦效率,对其波长稳定性进行了研究。阐述了光栅设计的理论基础。将纳米压印、干法刻蚀及湿法腐蚀工艺相结合,制备了含有一阶光栅的808 nm分布反馈(DFB)激光器阵列。在准连续条件(脉宽为200µs,频率...
关键词：激光器 锁定 808 nm 激光器阵列 一阶光栅 
Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究被引量：1
《中国光学》2022年第3期426-432,共7页王予晓 朱凌妮 仲莉 孔金霞 刘素平 马骁宇 
腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介...
关键词：量子阱混杂 半导体激光器 腔面光学灾变损伤 
Si_(x)N_(y)沉积参数对量子阱混杂效果的影响被引量：2
《光学学报》2022年第10期265-269,共5页王予晓 朱凌妮 仲莉 林楠 刘素平 马骁宇 
广东省重点领域研发计划项目(2020B090922003)。
Si_(x)N_(y)常被用作量子阱混杂(QWI)的抑制材料,为了探索Si_(x)N_(y)的生长工艺对InGaAs/GaAs量子阱结构混杂效果的影响,对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的工艺参数,如沉积时间、SiH_(4)流量以及射频(RF)功率进行一系列实验。实...
关键词：薄膜 Si_(x)N_(y)量子阱混杂 INGAAS/GAAS 蓝移 PECVD 
基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀)被引量：1
《光子学报》2022年第2期103-109,共7页王予晓 朱凌妮 仲莉 祁琼 李伟 刘素平 马骁宇 
国家自然科学基金(No.62174154)。
腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式,研究了不...
关键词：半导体激光器 量子阱混杂 非吸收窗口 腔面光学灾变损伤 硅 退火 
对915nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究被引量：6
《光学学报》2022年第1期192-198,共7页何天将 井红旗 朱凌妮 刘素平 马骁宇 
国防科技重点基金(6142405041803)。
高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性。为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉...
关键词：激光器 高功率半导体激光器 快速热退火 量子阱混杂 光学灾变损伤 非吸收窗口 
915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺被引量：8
《红外与激光工程》2019年第1期77-81,共5页王鑫 朱凌妮 赵懿昊 孔金霞 王翠鸾 熊聪 马骁宇 刘素平 
国家自然科学基金(61306057)
针对半导体激光器腔面光学灾变损伤的发生机制,设计了一种单管芯半导体激光器腔面真空解理钝化工艺方法。在真空中解理并且直接对半导体激光器腔面蒸镀钝化膜,提出用ZnSe材料作为单管芯半导体激光器真空解理工艺的钝化膜材料,发现利用...
关键词：半导体激光器 腔面钝化 真空解理钝化 失效分析 
基于SiO_2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究被引量：8
《光子学报》2018年第3期94-100,共7页王鑫 赵懿昊 朱凌妮 侯继达 马骁宇 刘素平 
国家自然科学基金(No.61306057)资助~~
为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO_2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO_2薄膜厚度...
关键词：半导体激光器 光学灾变 量子阱混杂 非吸收窗口 薄膜 
电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析（英文）被引量：6
《发光学报》2018年第2期180-187,共8页刘启坤 孔金霞 朱凌妮 熊聪 刘素平 马骁宇 
利用电致发光(EL)的方法,研究了突然失效的975 nm大功率应变量子阱激光器。起初,我们以为激光器失效是由于腔面发生了突然光学灾变(COMD)。然而,通过EL实验,发现其中一部分激光器腔面没有任何损伤,而内部发生了突然光学灾变(COBD),为工...
关键词：大功率半导体激光器 失效模式分析 电致发光 突然光学灾变 暗线缺陷 
GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究被引量：8
《发光学报》2015年第9期1018-1021,共4页王鑫 王翠鸾 吴霞 朱凌妮 马骁宇 刘素平 
设计了一种高亮度、高功率半导体激光器单管耦合输出模块,采用波长为975 nm的10 W的Ga As基半导体激光器,将半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.18、纤芯直径105μm的光纤中,获得10 A电流下的输出功率为9.37 W,耦合效率为94.3%,亮度为...
关键词：半导体激光器 光纤耦合 亮度 
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