INGAAS/GAAS

作品数：123被引量：141H指数：6
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基于InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射标定因子实验研究
《发光学报》2023年第12期2258-2264,共7页王伟 杨舒婷 汪雅欣 王宇轩 王茹 于庆南 
国家自然科学基金项目(62204172);“锡山英才计划”高校创新领军人才项目(2023xsyc002);江苏省高等学校基础科学(自然科学)研究项目(22KJB140016);江苏省双创博士项目(JSSCBS20210870,JSSCBS20210868);南京信息工程大学滨江学院人才启动经费(550221009,550221036)。
辐射标定因子作为半导体激光器的重要物理参数,在揭示器件性能方面一直扮演着重要角色。本文提出了一种测量辐射标定因子的实验方法,利用这一方法开展了对980 nm InGaAs/GaAs量子阱结构的辐射特性研究。该方法通过收集InGaAs/GaAs边发...
关键词：INGAAS/GAAS 辐射标定因子 光致发光光谱 能带填充水平 
InGaAs阱簇复合结构中铟原子自适应迁移的临界厚度
《光学学报》2023年第21期174-179,共6页于庆南 刘子键 王新宇 李可 王茹 刘新雨 潘玉 李晖 张建伟 
国家自然科学基金(62204172);江苏省高等学校基础科学(自然科学)研究项目(22KJB140016);江苏省双创博士项目(JSSCBS20210870,JSSCBS20210868);南京信息工程大学滨江学院人才启动经费(550221009,550221036)。
为了探究铟原子发生自适应迁移的临界厚度,首先测量得到InGaAs阱簇复合结构表面不同位置的自发辐射光谱。铟原子的自适应迁移会导致阱簇复合结构中同时产生铟含量正常的和损失的In_(x)Ga_(1-x)As区域,进而导致其自发辐射光谱具有特殊的...
关键词：激光器 INGAAS/GAAS 富铟团簇 双峰光谱 临界厚度 
InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征
《光学学报》2023年第10期197-202,共6页于庆南 李可 王新宇 吴坚 张建伟 刘子键 邢佳童 廖玲 季慧娴 王青 李晖 
国家自然科学基金(62204172);江苏省双创博士(JSSCBS20210870,JSSCBS20210868);江苏省高等学校自然科学基金(22KJB140016);江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510037);南京信息工程大学滨江学院引进人才启动基金(550221009,550221036)。
研究一种基于富铟团簇(IRC)效应的新型高应变InGaAs/GaAs自适应阱簇复合(WCC)量子结构,该结构具有比较灵活的能带调控能力,可产生一种特殊的偏振双峰光谱。为探究该WCC结构的偏振双峰辐射机制及能带特征,利用IRC效应生长获得了自适应WC...
关键词：半导体激光器 INGAAS/GAAS 富铟团簇 偏振双峰光谱 混合能带 
高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题被引量：2
《发光学报》2023年第4期627-633,共7页王曲惠 王海珠 王骄 马晓辉 
吉林省科技发展计划(20210201089GX);重庆市自然科学基金(cstc2021jcyj-msxmX1060)。
针对高应变InGaAs/GaAs多量子阱中存在的局域态问题,利用金属有机化合物气相外延(MOCVD)技术,设计并生长了五周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs高应变多量子阱材料。通过原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)和变温光致发光(Photolum...
关键词：InGaAs/GaAs多量子阱 局域态 高应变 金属有机化合物气相外延(MOCVD) 
引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性
《人工晶体学报》2023年第1期73-82,共10页刘晓辉 刘景涛 郭颖楠 王颖 郭庆林 梁宝来 王淑芳 傅广生 
国家自然科学基金(61774053);河北省自然科学基金(F2019201446,F2020201051);河北大学高层次人才项目(8012605)。
在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后...
关键词：InGaAs量子点 Si掺杂 表面费米能级 荧光发光谱 间接跃迁辐射 时间分辨荧光光谱 
Si_(x)N_(y)沉积参数对量子阱混杂效果的影响被引量：2
《光学学报》2022年第10期265-269,共5页王予晓 朱凌妮 仲莉 林楠 刘素平 马骁宇 
广东省重点领域研发计划项目(2020B090922003)。
Si_(x)N_(y)常被用作量子阱混杂(QWI)的抑制材料,为了探索Si_(x)N_(y)的生长工艺对InGaAs/GaAs量子阱结构混杂效果的影响,对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的工艺参数,如沉积时间、SiH_(4)流量以及射频(RF)功率进行一系列实验。实...
关键词：薄膜 Si_(x)N_(y)量子阱混杂 INGAAS/GAAS 蓝移 PECVD 
InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征被引量：1
《电子技术应用》2021年第7期118-124,共7页李林森 汪涛 朱喆 
XX基础研发计划-JCKY2019210B006。
介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双...
关键词：INGAAS/GAAS 多量子阱 红外 
InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长被引量：4
《发光学报》2021年第4期448-454,共7页王旭 王海珠 张彬 王曲惠 范杰 邹永刚 马晓辉 
吉林省科技发展计划(20190302052GX)资助项目。
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究。针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组...
关键词：金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAsP 应变补偿 多量子阱 晶格失配 
InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性被引量：3
《发光学报》2020年第8期971-976,共6页李金友 王海龙 杨锦 曹春芳 赵旭熠 于文富 龚谦 
国家自然科学基金(61674096);山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目。
研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ...
关键词：量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温 温度电压特性 
Experimental investigation of spontaneous emission characteristics of InGaAs-based indium-rich cluster-induced special quantum structure被引量：5
《Chinese Optics Letters》2020年第5期31-35,共5页Ming Zheng Qingnan Yu Hanxu Tai Jianwei Zhang Yongqiang Ning Jian Wu 
the National Natural Science Foundation of China(Nos.61376067 and 61474118).
The unamplified spontaneous emission(SE) is one of the important physical processes of the light–matter interaction in a diode laser in terms of Einstein’s theory. The recent research on a kind of new indium-rich cl...
关键词：semiconductor laser spontaneous emission indium-rich cluster:InGaAs/GaAs strain 
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