云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 局域态

局域态: 作品数：116被引量：211H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：黄伟其刘世荣袁峰苗信建黄忠梅更多>>; 相关机构：中国科学院贵州大学长春理工大学复旦大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金河北省自然科学基金更多>>

2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响: 《发光学报》2024年第12期2011-2020,共10页甘露露王海珠张崇赵书存王祯胜王登魁马晓辉; 重庆自然科学基金(cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401);吉林省科技发展计划(20210101473JC)。; 为探明GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱材料发光性能的影响问题,基于InGaAs/InAlGaAs和InGaAs/AlGaAs两种量子阱材料,利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,制备了905 nm波段的InGaAs多量子阱材料。通过AFM和XRD测试发现,G...; 关键词：多量子阱 GaAs插入层局域态金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)

纳秒脉冲激光制备黑硅及其光学性能的研究: 《量子电子学报》2024年第5期813-821,共9页王可王梓霖周晓雨黄伟其张铁民彭鸿雁王安琛张茜黄忠梅刘世荣; 国家自然科学基金(11847084);贵州省科技计划重点资助项目(黔科合-ZK[2022]重点010)。; 利用纳秒脉冲激光器在常温常压室内环境下扫描刻蚀单晶硅片,通过改变扫描方式和扫描的线间距制备了各种不同结构的黑硅样品,重点研究了扫描方式、扫描间隔、高温吹氧退火时间等对黑硅光致发光(PL)特性的影响,以及不同参量制备的硅表面...; 关键词：激光技术黑硅吹氧退火光致发光谱反射谱局域态发光

高温退火对硅基微腔的光致发光影响: 《长春理工大学学报（自然科学版）》2024年第3期23-28,共6页周晓雨彭鸿雁邵铭程相正谭勇; 吉林省自然科学基金(YDZJ202201ZYTS510)。; 纳米硅的研究是目前发光领域中非常活跃的方向。其发光性能可改进目前的硅基发光器件的性能,实现硅基光源集成,有利于突破其发光效率低的技术瓶颈。通过分别控制空气和氧退火氛围、不同的退火时间,采用纳秒脉冲激光制备蜂窝状纳米单晶...; 关键词：光致发光局域态纳米硅

从紧局域态解密平带: 《Science Bulletin》2023年第24期3165-3171,M0005,共8页陈宇戈黄俊涛蒋坤胡江平; supported by the Ministry of Science and Technology of China(2022YFA1403901);the National Natural Science Foundation of China(11888101 and 12174428);the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDB28000000);the Chinese Academy of Sciences through the Youth Innovation Promotion Association(2022YSBR-048)。; 平带系统由于平带自身不存在结构,是研究由电子——电子关联导致的各种新奇物理效应的理想量子平台.因此,从理论上寻找各种新型的平带系统就十分的重要.实现一个平带的核心要素是找到系统中蕴含的紧局域激发.本文开发了一种系统的方法,...; 关键词：Flat bands Compact localized states Electronic structure Destructive interference

GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响被引量：1: 《发光学报》2023年第11期1967-1973,共7页于海鑫王海珠郎天宇吕明辉徐睿良范杰邹永刚; 吉林省科技发展计划(20210201089GX);吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20220769KJ);重庆市自然科学基金项目(cstc2021jcyj-msxmX1060)。; InGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)作为一种常见的Ⅲ-Ⅴ族外延材料,通常应用于半导体激光器和太阳能电池等领域。然而,由于量子阱的势阱层和势垒层生长温度不同,铟原子的偏析和多量子阱生长质量较差等问题尚未得到很好的解决。本文设计了一...; 关键词：InGaAs/AlGaAs多量子阱局域态插入层金属有机化合物气相外延(MOCVD)

转角双层石墨烯中的势杂质效应: 《物理学进展》2023年第5期151-160,共10页刘泽众王达; supported by National Key R&D Program of China(Grant No.2022YFA1403201);National Natural Science Foundation of China(Grant No.12274205 and No.11874205).; 近年来,平带在转角双层石墨烯(TBG)中的发现引起了越来越多的关注。在这项工作中,我们报告了我们对这个平带系统中杂质效应的研究,这对于真实材料来说是一个重要问题。通过采用Lanczos递归方法,我们求解了杂质附近的局域态密度(LDOS)。...; 关键词：杂质效应转角双层石墨烯局域态密度平带

高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题被引量：2: 《发光学报》2023年第4期627-633,共7页王曲惠王海珠王骄马晓辉; 吉林省科技发展计划(20210201089GX);重庆市自然科学基金(cstc2021jcyj-msxmX1060)。; 针对高应变InGaAs/GaAs多量子阱中存在的局域态问题,利用金属有机化合物气相外延(MOCVD)技术,设计并生长了五周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs高应变多量子阱材料。通过原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)和变温光致发光(Photolum...; 关键词：InGaAs/GaAs多量子阱局域态高应变金属有机化合物气相外延(MOCVD)

光子准晶研究进展: 《人工晶体学报》2021年第7期1248-1258,共11页车治辕石磊; 国家自然科学基金(11774063,11727811,91750102,9196321)。; 准晶是具有长程有序但不具有周期性的奇特结构。光子准晶以其优越的调控电磁波的能力和广阔的应用前景受到国内外学者的广泛关注。光子准晶不仅具有全带隙、局域态、负折射、近零折射率等一般特性,还因其独特的旋转对称性在激光和非线...; 关键词：光子准晶全带隙局域态负折射光子准晶激光非线性光子准晶

快速热退火对InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料发光特性的影响被引量：3: 《中国激光》2021年第7期188-195,共8页申琳唐吉龙贾慧民王登魁房丹方铉林逢源魏志鹏; 国家自然科学基金(61574022,61674021,11674038,61704011,61904017);高功率半导体激光器国家重点实验室基金、长春理工大学青年基金(XQNJJ-2018-18)。; I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的光学性能,本文对其进行了快速热退火处理,通过光致发光光谱研究了快速热退火对量子阱材料光致发光...; 关键词：光谱学光致发光 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱快速热退火局域态

掺氧纳米硅局域态中的电子自旋能级展宽效应: 《物理学报》2020年第17期121-126,共6页李鑫黄忠梅刘世荣彭鸿雁黄伟其; 国家自然科学基金(批准号:11847084)资助的课题.; 本文发现很有趣的量子效应,纳米硅表面掺杂氧而形成的电子局域态中电子自旋能级间隔会有明显的展宽,被约束在局域态中的电子自旋±1/2能态间距被展宽两个数量级,达到100 meV左右.本文用纳秒脉冲激光在氧氛围中制备了掺杂氧纳米硅结构并...; 关键词：电子自旋局域态掺杂纳米硅带谷劈裂量子震荡

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