云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 晶格失配

晶格失配: 作品数：109被引量：173H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：郝跃张进成孙强刘如彬董建荣更多>>; 相关机构：中国科学院华灿光电(浙江)有限公司江西兆驰半导体有限公司华灿光电(苏州)有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目福建省自然科学基金更多>>

Al_(2)O_(3)夹杂物在浸入式水口内衬材料上的成核与反应性研究: 《材料导报》2024年第24期89-96,共8页殷彦菲顾强李红霞刘国齐李欣哲; 国家自然科学基金(51932008,52302031);中原科技创新领军人才(204200510011);国家重点研发计划(2021YFB3701404)。; 浸入式水口复合无硅无碳内衬材料是减缓结瘤堵塞的重要措施。为深化研究Al_(2)O_(3)夹杂物在浸入式水口内衬表面的结瘤现象,采用晶格失配计算及高温模拟试验验证的方法研究了钢液中Al_(2)O_(3)夹杂物在氧化锆质、尖晶石质、刚玉质、莫...; 关键词：浸入式水口 Al_(2)O_(3) 结瘤沉积晶格失配异相成核

GaAs三结太阳电池1MeV中子辐射效应研究: 《电源技术》2024年第9期1846-1852,共7页唐光海周银行李盟刘珉强艾尔肯·阿不都瓦衣提马腾; 研究了金属有机气相外延(MOCVD)方法制备的晶格匹配(LM)和正向晶格失配(UMM)砷化镓三结太阳电池在1 MeV中子辐照后的电学和光学性能衰退情况。结果表明:在中子辐照下,电池电学性能,包括短路电流(J_(sc))、开路电压(V_(oc))、最大功率(P_...; 关键词：三结太阳电池晶格匹配正向晶格失配中子辐照性能衰退

基于不同衬底角度的GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池性能研究: 《光源与照明》2024年第8期37-39,共3页朱鸿根; 带隙组合为1.9/1.42/1.0 eV的三结GaAs太阳电池具有很好的电流匹配,AM0光谱下理论效率可达38%。由于不同衬底角度生长倒置三结的性能研究报道较少,文章分别采用6°和15°偏向角生长GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池进行研究,并研究其...; 关键词：衬底角度倒置生长三结GaAs太阳电池晶格失配

多晶键合层对分离吸收电荷倍增型锗/硅雪崩光电二极管性能的影响: 《硅酸盐学报》2024年第7期2316-2328,共13页苏小萍李嘉辉王战仁柯少颖; 国家自然科学基金(62004087);福建省自然科学基金(2020J01815);漳州市自然科学基金(ZZ2020J32)。; 分离吸收电荷倍增(SACM)型Ge/Si雪崩光电二极管(APD)因其高速、低噪声、高灵敏度、具备光增益等优点在光通信、光学成像和安全检测等领域具有广泛的应用前景。然而由于Si和Ge的晶格常数相差4.2%,因此在Ge/Si异质结界面会形成高密度的穿...; 关键词：雪崩光电二极管锗/硅键合多晶硅键合层晶格失配键合层掺杂浓度

基于晶格大失配In_(0.58)Ga_(0.42)As材料的高效四结太阳电池: 《微纳电子技术》2024年第5期52-58,共7页王波周丽华施祥蕾郭哲俊钱勇张占飞李彬孙利杰王训春; Ⅲ-Ⅴ族晶格失配多结太阳电池是实现高效太阳电池的主要途径之一,但面临晶格失配材料的高质量生长及其所导致的子电池光电转换效率下降的难题。重点针对晶格失配子电池结构中的(AlGa)InAs缓冲层开展台阶层厚度优化研究,设计了150、200和...; 关键词：四结太阳电池晶格失配 In_(0.58)Ga_(0.42)As材料缓冲层台阶层厚度

基于poly-Si键合层的SACM型Ge/Si APD的优化设计研究: 《中国激光》2024年第8期46-59,共14页张娟苏小萍李嘉辉王战仁柯少颖; 国家自然科学基金(62004087)。; Ge/Si雪崩光电二极管(APD)被广泛应用于近红外探测领域,但由于Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配,故难以获得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si键合界面处引入多晶硅(poly-Si)键合中间层,弱化Ge/Si失配晶格对APD器件性能的影响。poly-Si引入...; 关键词：材料 Ge/Si雪崩光电二极管晶格失配 poly-Si键合层掺杂浓度

不同晶态Ge薄膜键合层对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响研究被引量：3: 《中国激光》2023年第14期50-62,共13页鲍诗仪母浩龙周锦荣黄志伟柯少颖; 国家自然科学基金(62004087);福建省自然科学基金(2020J01815);漳州市自然科学基金(ZZ2020J32)。; 由于InGaAs与Si之间存在7.7%的晶格失配,因此难以获得制备方式简单、性能良好的InGaAs/Si雪崩光电二极管(APD)。从理论上提出了一种从源头弱化InGaAs/Si晶格失配对APD性能影响的办法,即在InGaAs/Si键合界面引入一层a-Ge或poly-Ge键合层...; 关键词：材料雪崩光电二极管 InGaAs/Si键合 ploy-Ge键合层 a-Ge键合层晶格失配

InAs基室温中波红外探测器的液相外延生长: 《红外与毫米波学报》2023年第3期306-310,共5页陈泽中段永飞林虹宇张振宇谢浩孙艳胡淑红戴宁; Supported by the National Natural Science Foundation of China (11933006);the Frontier Science Research Project (Key Programs) of the Chinese Academy of Sciences (QYZDJ-SSW-SLH018);the National Natural Science Foundation of China (U2141240)。; 材料质量好坏对于获得高性能红外探测器至关重要。提出决定材料质量的关键点在于精准控制材料结构中层与层之间的晶格失配度,报道了晶格失配对材料质量和器件暗电流性能的影响。实验结论表明在液相外延技术生长的InAs/InAsSbP材料体系中...; 关键词：半导体四元合金红外探测器液相外延晶格失配

晶格失配对InAs基室温中波红外探测器性能的影响: 《激光与红外》2023年第3期402-407,共6页段永飞张振宇陈泽中胡淑红; 采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质...; 关键词：外延薄膜半导体材料与器件光伏探测器红外材料与器件

晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究: 《物理学报》2023年第1期123-132,共10页尤明慧李雪李士军刘国军; 海南省重点研发计划项目(批准号:ZDYF2020020);国家自然科学基金(批准号:62204095,61774025);吉林省国家外国专家局引才引智项目(批准号:L202238,LP202216);广西机器视觉与智能控制重点实验室培育建设(厅市会商)项目(批准号:GKAD20297148)资助的课题。; InAs/GaSb超晶格是量子级联激光器(quantum cascade lase,QCL)和带间级联激光器(interband cascade lasers,ICL)结构中重要的组成,特别是作为ICL的上下超晶格波导层是由大量的超薄外延层(纳米量级)交替生长而成,细微的晶格失配便会直接...; 关键词：分子束外延晶格匹配超晶格材料晶格失配

晶格失配