云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 超晶格材料

超晶格材料: 作品数：74被引量：81H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：徐应强牛智川缪向水王国伟程晓敏更多>>; 相关机构：中国科学院南京大学塞姆特里克斯公司苏州焜原光电有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

基于二维钙钛矿的室温莫尔超晶格材料: 《科学通报》2024年第35期5085-5087,共3页张亚楠耿凤霞; 近年来,莫尔超晶格(moiré superlattice)在探索二维材料中的强关联物理和拓扑量子物态等领域发挥了重要作用[1].通过调控二维范德华材料的扭转角度或使其晶格失配,可以形成周期性莫尔条纹图案,所产生的层间相互作用可以使电子波函数发...; 关键词：原子轨道量子现象相干叠加超导性超晶格结构电子波函数扭转角度莫尔条纹

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究被引量：1: 《红外与毫米波学报》2024年第1期15-22,共8页何苗周易应翔霄梁钊铭黄敏王志芳朱艺红廖科才王楠陈建新; 国家自然科学基金(61904183,61974152,62004205,62104236,62104237,62222412);国家重点研发计划(2022YFB3606800);上海市启明星培育项目扬帆专项(21YF1455000、22YF1455800);中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金(CX-399、CX-455)。; Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种...; 关键词：InAs/GaSbⅡ类超晶格离子注入平面结退火 HRXRD

钙钛矿超晶格材料挠曲电效应的理论计算: 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第2期76-83,共8页王继光陈许敏李珑玲王越昊; 国家自然科学基金资助项目(11874011)。; 运用密度泛函理论的第一性原理研究SrTiO_(3)和PbTiO_(3)所构成的钙钛矿超晶格材料中纵向和剪切挠曲电系数。对不同尺寸的钙钛矿超晶格施加应变后,分析弛豫后的钙钛矿超晶格中原子位移及应变,运用密度泛函微扰理论计算SrTiO_(3)/PbTiO_...; 关键词：挠曲电效应超晶格第一性原理伯恩有效电荷

低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究: 《红外》2023年第3期1-7,共7页李景峰刘铭李海燕温涛赵成城王丹; 采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤,影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。首先建立一种损伤评判机制,判断现有工艺刻蚀后材料是否...; 关键词：Ⅱ类超晶格低损伤刻蚀技术

晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究: 《物理学报》2023年第1期123-132,共10页尤明慧李雪李士军刘国军; 海南省重点研发计划项目(批准号:ZDYF2020020);国家自然科学基金(批准号:62204095,61774025);吉林省国家外国专家局引才引智项目(批准号:L202238,LP202216);广西机器视觉与智能控制重点实验室培育建设(厅市会商)项目(批准号:GKAD20297148)资助的课题。; InAs/GaSb超晶格是量子级联激光器(quantum cascade lase,QCL)和带间级联激光器(interband cascade lasers,ICL)结构中重要的组成,特别是作为ICL的上下超晶格波导层是由大量的超薄外延层(纳米量级)交替生长而成,细微的晶格失配便会直接...; 关键词：分子束外延晶格匹配超晶格材料晶格失配

InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面特性的表征分析被引量：1: 《红外技术》2022年第2期115-122,共8页任洋覃钢李俊斌杨晋李艳辉杨春章孔金丞; 本文系统地介绍了国内外研究机构对超晶格界面进行研究时采用的测试分析手段。其中,通过拉曼光谱、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、扫描隧道显微镜(STM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等测试方法可以对InAs/GaSbⅡ类超晶...; 关键词：InAs/GaSbⅡ类超晶格 InSb-like界面 GaAs-like界面陡峭性

软外延生长法构筑纳米粒子超晶格材料: 《中国科学：化学》2021年第6期751-760,共10页仉凤华魏璟婧杨志杰; 国家自然科学基金(编号:21972076)资助项目。; 由纳米粒子自下而上自组装而成、高度有序的纳米粒子超晶格材料是近年来兴起的一类新型材料.本文主要概述了软外延生长法构筑纳米粒子超晶格材料的概念及组装策略,结合近几年本课题组的相关研究工作,主要介绍了几种不同的基底材料,以及...; 关键词：纳米粒子超晶格软外延生长整合自组装范德华作用超分子结构

锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展被引量：1: 《发光学报》2021年第2期165-186,共22页刘胜达房丹方铉赵鸿滨李承林王登魁王东博王晓华马晓辉魏志鹏; 国家自然科学基金(62704018,61574022,61674021,12074045,11674038,61704011);吉林省科技发展计划(20200301052RQ,20180519017JH,20180520177JH);中国博士后科学基金面上项目(2019M652176,2019M661680);深圳市科技计划项目基础研究(自由探索)项目(JCYJ20180307151538972);广东省自然科学基金(2020A1515010868)资助项目。; 近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿...; 关键词：锑化物超晶格分子束外延少子寿命

生长中断法生长InAs/GaSbⅡ型超晶格材料表面形貌的研究被引量：4: 《光学学报》2019年第9期294-298,共5页李承林房丹张健高佳旭方铉王登魁唐吉龙; 国家自然科学基金(11674038,61674021,61574022,61704011); 利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ML)Ⅱ型超晶格材料。实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了...; 关键词：材料光学材料超晶格生长中断法 INAS/GASB 分子束外延

InAs/GaSb二类超晶格材料湿法腐蚀工艺研究被引量：3: 《激光与红外》2018年第7期867-871,共5页亢喆温涛郭喜; 研究了不同腐蚀溶液体系下铟砷镓锑(InAs/GaSb)二类超晶格材料的湿法腐蚀工艺。根据腐蚀效果选择了由柠檬酸(C_6H_8O_7)、磷酸(H_3PO_4)、过氧化氢(H_2O_2)构成的混合腐蚀液。这种腐蚀液对InAs/GaSb材料腐蚀速率稳定,腐蚀后表面光滑,且...; 关键词：铟砷镓锑二类超晶格湿法腐蚀溶液配比

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